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半导体三极管（晶体管）类文章774篇，页次：1/3页 【 第一页‖ 上一页 ‖ 下一页‖ 最后页】 转到
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| 新型SiC沟槽IGBT的模拟研究[本文78页] | 高压SiC BJT在脉冲功率领域的快速驱[本文86页] | 基于MATLAB编程的HBT集成电路温度分[本文73页] |
| 高压大容量IGBT串联动态均压技术研[本文65页] | 基于广义端口特性的IGBT功率模块可[本文87页] | 计及疲劳累积效应的IGBT模块焊料层[本文79页] |
| p型氧化物薄膜及晶体管的制备与性能[本文56页] | 溶液法制备氧化铪介电层及其在薄膜[本文54页] | 基于有机薄膜晶体管的电子纸显示器[本文65页] |
| 非晶硅薄膜晶体管PECVD成膜工艺的优[本文59页] | IGBT机理建模及驱动问题研究[本文68页] | 基于闭环控制的IGBT并联均流方法研[本文66页] |
| 高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)的设计[本文92页] | ALD氧化锌薄膜晶体管制备与稳定性研[本文90页] | 垂直结构有机薄膜晶体管的制备与气[本文50页] |
| 氧化锌薄膜晶体管的工作特性解析[本文57页] | 脉冲功率系统中IGBT模块封装的研究[本文82页] | 钇铟共掺杂氧化锌薄膜特性的研究[本文74页] |
| 用于固态调制器的IGBT串并联电路研[本文69页] | 4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计[本文65页] | 磁控溅射CuO-TFT的制备工艺及性能研[本文79页] |
| 半导体脉冲功率开关模型实验研究与[本文78页] | 片上集成的光机械晶体管研究[本文58页] | 金属氧化物薄膜的低温溶液法制备及[本文70页] |
| 高k金属氧化物薄膜及晶体管的制备与[本文53页] | 基于水性超薄ZrO_2高κ介电层的薄膜[本文54页] | 基于电流体直写掩膜的晶体管制备与[本文73页] |
| MgInSnO薄膜晶体管的研制[本文49页] | IGBT驱动技术的研究[本文56页] | 基于氧化锌薄膜晶体管的透明指纹识[本文88页] |
| IGBT器件的低开关损耗驱动技术研究[本文79页] | 基于机器学习算法的IGBT模块故障预[本文95页] | 压接式IGBT开关特性测试平台的设计[本文83页] |
| 高性能有机及有机复合光电晶体管的[本文58页] | FS结构的3300V IGBT终端设计[本文68页] | 基于溶液法的金属氧化物薄膜晶体管[本文65页] |
| 10KV 4H-SiC IGBT的分析与设计[本文70页] | 基于600V的IGBT驱动电路设计[本文76页] | 集成温度采样功能的IGBT设计[本文80页] |
| 一种开关过程优化的高压IGBT驱动电[本文72页] | 高温环境下IGBT建模与结温预测方法[本文80页] | GPNP晶体管电离/位移协同效应研究[本文75页] |
| 双极晶体管电离缺陷演化规律及物理[本文74页] | 不同温度条件下GLPNP晶体管的电离辐[本文70页] | 栅控PNP晶体管ELDRS效应的开关剂量[本文61页] |
| 超低功耗FS-IGBT研究[本文71页] | 高压栅驱动电路中抑制噪声技术的研[本文63页] | 4H-SiC BJT功率器件特性与工艺研究[本文84页] |
| 非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管的制备与[本文81页] | 基于HfO_x介电层有机薄膜晶体管的制[本文68页] | 1700V RC-IGBT的设计与仿真分析[本文66页] |
| 基于复合绝缘层的a-IGZO薄膜晶体管[本文82页] | 一种具有电子注入的槽栅IGBT的设计[本文79页] | 一种用于逆变模块的IGBT设计[本文66页] |
| 大功率IGBT器件的结构设计优化[本文65页] | 压接式IGBT器件内部电场分析与绝缘[本文52页] | 压接式IGBT封装技术研究[本文56页] |
| 静电感应晶体管的等效电路模型及其[本文71页] | IGBT模块热阻测试方法及其退化估测[本文79页] | IGBT模块电热特性测试试验研究[本文75页] |
| IGBT模块的热应力分布及其与器件寿[本文66页] | IGBT功率模块电热参数的时间序列与[本文77页] | IGBT模块通态电热特性退化试验研究[本文75页] |
| 550V U型沟道厚膜SOI-LIGBT器件特性[本文78页] | 具有温度相关性的薄膜晶体管电流模[本文67页] | 柔性工艺薄膜晶体管直流栅应力可靠[本文67页] |
| 基于温度自适应调节的功率器件栅驱[本文89页] | 有机色素酞菁铅薄膜晶体管制备与光[本文59页] | 有机薄膜晶体管的工作特性及载流子[本文60页] |
| 氧化锌薄膜晶体管制备工艺及性能解析[本文56页] | 高k栅介质氧化锌薄膜晶体管的制备及[本文72页] | 基于非晶氧化物薄膜晶体管的标签存[本文67页] |
| 多晶硅薄膜晶体管电学特性与可靠性[本文96页] | 低温、高迁移率金属氧化物薄膜晶体[本文95页] | 掺硅氧化锡薄膜晶体管的研究[本文80页] |
| 基于新型半导体材料和热压烧结靶材[本文89页] | 1200V SiC MOSFET与Si IGBT的短路可[本文76页] | 基于组合式动态热敏电参数的功率IG[本文68页] |
| 高性能有机薄膜晶体管的研究及其应用[本文117页] | 高压高性能LIGBT器件新结构研究[本文121页] | 基于温度梯度及统计特性的IGBT模块[本文151页] |
| 计及低强度热载荷疲劳累积效应的IG[本文123页] | 基于双栅结构的非晶硅薄膜晶体管建[本文125页] | 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管在栅压应力[本文118页] |
| 氧化物薄膜晶体管及其有源材料的研究[本文151页] | 影响纳米CMOS器件单粒子效应电荷收[本文128页] | 氧化铟基薄膜晶体管的制备与性能研究[本文103页] |
| 有机薄膜晶体管的制备及其气敏性能[本文128页] | 阱复用LIGBT与矩阵式驱动电路研究[本文110页] | 基于动态热敏电参数法的大容量IGBT[本文140页] |
| 新型聚合物绝缘材料的设计、制备及[本文158页] | 高压IGBT功率模块瞬态直通模型与关[本文115页] | 非晶硅锗/氧化铟锌薄膜性能优化及其[本文130页] |
| SOI基高速横向IGBT模型与新结构研究[本文110页] | RC-IGBT的理论模型与新结构研究[本文106页] | 可用于柔性光电子器件的薄膜晶体管[本文157页] |
| 新型RC-IGBT的研究[本文112页] | 氧化物薄膜晶体管的制备与物性研究[本文130页] | 背沟道刻蚀型氧化物薄膜晶体管的研究[本文102页] |
| 非晶半导体薄膜晶体管模型研究及参[本文115页] | 氧化物电子材料及其在薄膜晶体管的[本文97页] | 钙钛矿晶体管的制备与性能研究[本文73页] |
| 1200V SiC BJT器件仿真及实验研究[本文78页] | 超高灵敏度的压电三极管[本文70页] | 具有大电流关断能力的3300V IGBT的[本文68页] |
| 基于热敏感电参数的功率器件结温预[本文51页] | 二维磷烯的电子结构与输运性质研究[本文63页] | 超结（Super-Junction）IGBT电力半[本文69页] |
| 有机半导体厚度对薄膜晶体管气体传[本文68页] | 基于Al_2O_3栅介质的ZnO TFT制备与[本文64页] | 智能功率模块用550V厚膜SOI-LIGBT短[本文88页] |
| 智能功率驱动芯片IGBT栅极控制方法[本文73页] | 550V厚膜SOI-LIGBT热载流子退化机理[本文75页] | 智能功率驱动芯片用SOI-LIGBT关断特[本文84页] |
| InGaZnO-TFT和InTiZnO-TFT的制备及[本文77页] | 纳米银焊膏无压低温烧结连接方法的[本文118页] | 基于生物材料的有机薄膜晶体管研究[本文121页] |
| 微波GaN HEMT大信号模型参数提取研[本文158页] | SiGe HBT性能增强的技术研究[本文105页] | 基于高κ栅介质的高性能Ⅲ-Ⅴ族晶体[本文125页] |
| 面向低温低压应用的射频晶体管等效[本文68页] | 基于物理特性的射频晶体管简洁模型[本文65页] | 基于态密度模型的铟镓锌氧化物薄膜[本文62页] |
| IGBT驱动策略与仿真研究[本文68页] | 高性能、低功耗二硫化钼晶体管研究[本文114页] | IGBT并联电流均衡模型和神经网络控[本文116页] |
| 大功率逆导型IGBT应用特性研究与专[本文99页] | 氧化物薄膜晶体管及新型有源层材料[本文145页] | 薄膜晶体管的界面修饰及相关器件研究[本文128页] |
| 碳化硅BJT的PSpice建模与实验验证[本文95页] | 开关三极管抗过电损伤能力的提高与[本文76页] | 基于联动测试设备的晶体管测试方法[本文75页] |
| 基于结构函数的IGBT热疲劳寿命预测[本文75页] | 基于湿法制备的有机薄膜晶体管器件[本文111页] | LTPS TFT层间绝缘层的工艺优化及器[本文76页] |
| IGBT疲劳老化失效剩余使用寿命预测[本文70页] | IGBT电力电子系统多时间尺度动态性[本文76页] | 大功率IGBT模块健康状态信息提取方[本文90页] |
| 压接型IGBT开关特性测试平台的设计[本文73页] | 压接式IGBT器件内部芯片电流测量的[本文94页] | 基于瞬态热阻的IGBT模块寿命评估方[本文80页] |
| 基于端口电特性的IGBT模块可靠性研[本文96页] | 基于氧化锌薄膜晶体管的射频识别标[本文66页] | 金属氧化物薄膜晶体管SPICE模型参数[本文101页] |
| 膦酸自组装分子（SAMs）在基于萘四[本文87页] | IGBT的新型实时结温监测方法及其在[本文72页] | ELDRS效应加速实验方法的数值模拟[本文63页] |
| 漂移区多沟槽耐压的SOI高压器件特性[本文78页] | 双层二硫化钼/石墨烯层状组装体的制[本文65页] | 高功率IGBT芯片的瞬时低温烧结互连[本文61页] |
| 大功率IPM模块的结构设计与仿真[本文73页] | 基于噻吩异靛蓝衍生物的共轭聚合物[本文78页] | 羟醛缩合反应制备异靛蓝类共轭聚合[本文82页] |
| 以有机膦酸/氧化铝为绝缘层的低伏柔[本文75页] | RSD新型低能耗重频触发技术研究及其[本文87页] | 纳米CMOS器件单粒子瞬态效应机理及[本文66页] |
| 基于Saber的IGBT模块电热联合仿真的[本文87页] | 多功能有机薄膜晶体管研究[本文72页] | 功率模块在线工作温热失效的预测模[本文54页] |
| IGBT功率模块热传导与退化研究[本文87页] | 基于MEMS技术硅磁敏三极管差分结构[本文80页] | SOI SA-LIGBT中负阻效应的机理和新[本文60页] |
| 3300V/400A SiC混合模块设计与热应[本文76页] | 电力系统用3300V-50A IGBT芯片设计[本文73页] | IGBT专用驱动芯片中的BUCK型DC-DC转[本文83页] |
| 4500V/900A IGBT模块驱动保护电路设[本文67页] | 大功率IPM驱动保护芯片设计[本文87页] | 低功耗无回跳逆导型IGBT的结构设计[本文72页] |
| 基于表面势的单栅与围栅多晶硅薄膜[本文45页] | 基于MOTFT的行集成驱动电路的研究[本文66页] | IGBT驱动及过压保护研究[本文83页] |
| 应用于AMOLED显示的金属氧化物TFT行[本文65页] | 海藻酸钠为栅介质低电压双电层薄膜[本文79页] | 基于IGBT控制的高速直流断路器设计[本文79页] |
| 高性能IGBT驱动板的设计[本文71页] | 反向开关晶体管RSD硅基结构优化与碳[本文58页] | 基于表面势的非晶铟镓氧化锌薄膜晶[本文68页] |
| 基于TCAD的SJ-IGBT特性设计与分析[本文75页] | 有机薄膜分子取向影响机理及其电荷[本文115页] | IGBT的寿命评估方法研究[本文79页] |
| 基于In_2O_3纳米线晶体管的性能调控[本文67页] | 纤维基有机电化学晶体管制备及其在[本文65页] | 采用IGBT逆变焊接电源模块的设计[本文74页] |
| 大功率IGBT驱动模块的设计与研究[本文87页] | 栅控功率器件过渡区可靠性的研究[本文65页] | 高压4H-SiC BJT功率器件特性研究[本文73页] |
| 6500V IGBT设计及动态特性研究[本文67页] | 一种高性能IGBT驱动电路设计[本文71页] | 铟镓锌氧薄膜晶体管的制备及其性能[本文69页] |
| 基于光纤通信与电源供电的IGBT光驱[本文85页] | 一种高压IGBT半桥驱动芯片设计[本文70页] | 1200V RC Trench IGBT的设计[本文63页] |
| 铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备和性[本文71页] | 非均匀界面电荷对pMOS及TFT阈值电压[本文62页] | 溶液法制备IGZO-TFT器件的性能优化[本文72页] |
| 阳极氧化法制备TFT绝缘层研究[本文81页] | 磁控溅射法制备MgAlSnO薄膜及其特性[本文65页] | IGBT模块电—热—力耦合与失效分析[本文68页] |
| 基于非晶氧化物半导体薄膜晶体管的[本文83页] | 基于结构函数的IGBT芯片焊接质量分[本文70页] | IZO TFT参数提取与电应力退化特性研[本文72页] |
| 金属氧化物TFT在数字集成电路中的应[本文71页] | 基于变开关频率的IGBT功率模块结温[本文69页] | 基于异质诱导生长的红荧烯薄膜晶体[本文53页] |
| 毫米波亚毫米波段InP HBT特性及模型[本文76页] | 有机半导体在溶液中取向生长机制及[本文79页] | 基于非对称结构的有机半导体喷墨打[本文89页] |
| 碳纳米管薄膜晶体管极性调控及柔性[本文117页] | 湿法制备的晶态金属氧化物薄膜及其[本文128页] | 多元金属氧化物n型半导体薄膜制备与[本文110页] |
| 大功率压接式IGBT内部芯片并联均流[本文79页] | 大电流IGBT模块开关不良特性分析与[本文64页] | 压接型IGBT串联技术研究[本文69页] |
| 高压大功率压接型IGBT器件并联芯片[本文136页] | 埋栅4H-SiC静电感应晶体管结构设计[本文77页] | 石墨烯量子点器件的制备与输运研究[本文65页] |
| Al-Zn-Sn-O薄膜晶体管制备与研究[本文69页] | 基于IGBT寄生参数的门极驱动技术[本文63页] | 基于SiN_x绝缘层的a-IGZO TFT性能提[本文69页] |
| 基于C_(60)有源层的高性能N沟有机薄[本文64页] | 基于双电层晶体管的神经形态器件与[本文104页] | 双有源层a-IGZO薄膜晶体管的特性仿[本文55页] |
| 一种基于Pspice的IGBT模型的研究与[本文53页] | 以壳聚糖/氧化石墨烯复合固态电解质[本文63页] | 基于表面势的多晶硅纳米线晶体管直[本文132页] |
| 有机薄膜晶体管模型建立及其集成电[本文125页] | 基于量子点/低维纳米碳材料的光调制[本文146页] | 非晶IGZO薄膜晶体管背沟道表面修饰[本文79页] |
| ZnSnO基薄膜晶体管的制备和性能研究[本文114页] | 全旋涂工艺构建核心体系制备浮栅有[本文114页] | 溶胶凝胶法制备Hf基高k栅介质薄膜及[本文92页] |
| 二维原子晶体材料SnSe_x的制备及其[本文118页] | 双电层耦合氧化物神经形态晶体管研究[本文128页] | 一氧化锡薄膜晶体管与类CMOS电子器[本文162页] |
| 氧化物双电层晶体管及其人造突触和[本文112页] | IGBT功率模块封装可靠性研究[本文135页] | 利用旋涂掺杂工艺与激光退火技术制[本文69页] |
| 功率晶体管建模及射频与微波功率放[本文147页] | 大容量IGBT模块应用工况复现平台的[本文91页] | 一种新型IGBT多阶段驱动方法[本文78页] |
| 场截止沟道IGBT裂片的失效机理及改[本文49页] | 非晶ZnTiSnO薄膜的制备及薄膜晶体管[本文78页] | IGBT智能功率模块的驱动保护研究[本文67页] |
| 重复过流冲击下IGBT退化的在线监测[本文68页] | 尖晶石型复合金属氧化物的电子性能[本文68页] | 有机薄膜晶体管的界面性能研究[本文117页] |
| 大电流IGBT芯片的研究[本文72页] | 非晶氧化物薄膜晶体管热稳定性的研究[本文75页] | 非晶铟镓锌氧薄膜晶体管光照稳定性[本文81页] |
| 离子凝胶栅介电层有机薄膜晶体管的[本文54页] | 源漏电极对底栅底接触有机薄膜晶体[本文71页] | 新型可集成横向功率器件以及分立纵[本文115页] |
| 金属氧化物和有机薄膜晶体管的溶液[本文140页] | 薄膜晶体管的功能层修饰与性能关系[本文160页] | 静电感应晶体管抗辐射特性的研究与[本文78页] |
| 干扰信号下IGBT的动态电磁特性研究[本文78页] | 薄膜晶体管器件在动态应力下的退化[本文110页] | 氧化物薄膜晶体管和反相器的制备与[本文72页] |
| 基于双层结构InGaZnO/InGaZnO:N薄膜[本文102页] | 一种新型GaN功率开关器件（GIT）中[本文88页] | 电动汽车1200V/75A IGBT芯片设计与[本文105页] |
| 仿神经元突触行为的碳纳米管晶体管[本文68页] | IGZO-TFT器件的制备工艺探索及性能[本文86页] | nc-Si：H/c-Si异质结硅磁敏三极管特[本文84页] |
| 基于SOI硅磁敏三极管差分结构集成化[本文81页] | 异质外延生长红荧烯薄膜及性质的研究[本文46页] | 基于IGBT的软启动器研究[本文71页] |
| 功能化聚噻吩材料的制备与性能研究[本文78页] | 模板法制备有机半导体纳米线及其场[本文68页] | 溶液法薄膜制备工艺中微观表面梯度[本文77页] |
