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4H-SiC BJT功率器件特性与工艺研究
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4H-SiC BJT功率器件特性与工艺研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-10页
第一章 绪论第10-16页
　　1.1 研究背景第10-12页
　　1.2 SiC BJT的发展概况第12-14页
　　1.3 SiC BJT的优势和面临的挑战第14-15页
　　1.4 本文的主要工作第15-16页
第二章 4H-SiC BJT刻蚀工艺研究第16-39页
　　2.1 刻蚀的基本知识第16-20页
　　2.2 湿法腐蚀第20-21页
　　　　2.2.1 二氧化硅的湿法腐蚀第20页
　　　　2.2.2 碳化硅的湿法腐蚀第20-21页
　　2.3 干法刻蚀第21-28页
　　　　2.3.1 碳化硅的等离子体刻蚀工艺第21-23页
　　　　2.3.2 反应离子刻蚀和电感耦合等离子体刻蚀第23页
　　　　2.3.3 4H-SiC ICP刻蚀工艺的实验研究第23-28页
　　2.4 4H-SiC BJT ICP刻蚀工艺的实验研究第28-38页
　　　　2.4.1 发射极台面刻蚀第29-34页
　　　　2.4.2 基极台面刻蚀第34-36页
　　　　2.4.3 台面终端刻蚀第36-38页
　　2.5 本章总结第38-39页
第三章 4H-SiC BJT欧姆接触工艺研究第39-63页
　　3.1 SiC欧姆接触的工艺过程第39-42页
　　3.2 SiC欧姆接触的材料表征第42-43页
　　3.3 SiC欧姆接触的电学描述第43-44页
　　3.4 比接触电阻的测试结构第44-46页
　　3.5 SiC欧姆接触的实验研究第46-53页
　　　　3.5.1 N型 4H-SiC欧姆接触第46-50页
　　　　3.5.2 P型 4H-SiC欧姆接触第50-53页
　　3.6 4H-SiC BJT欧姆接触的实验研究第53-62页
　　　　3.6.1 金属剥离工艺开发第53-57页
　　　　3.6.2 BJT发射极欧姆接触第57-60页
　　　　3.6.3 BJT基极欧姆接触第60-62页
　　3.7 本章小结第62-63页
第四章 4H-SiC BJT工作机理与器件研制第63-75页
　　4.1 BJT的工作机理第63-66页
　　4.2 4H-SiC BJT器件版图设计第66-70页
　　4.3 4H-SiC BJT流片和测试第70-74页
　　　　4.3.1 4H-SiC BJT流片的工艺过程第70-72页
　　　　4.3.2 4H-SiC BJT测试与分析第72-74页
　　4.4 本章小结第74-75页
第五章 结论第75-77页
致谢第77-78页
参考文献第78-83页
攻读硕士学位期间取得的成果第83-84页

本篇论文共84页，点击这进入下载页面。
 
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