4H-SiC BJT功率器件特性与工艺研究
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4H-SiC BJT功率器件特性与工艺研究
论文目录
摘要
第1-6页
abstract
第6-10页
第一章 绪论
第10-16页
1.1 研究背景
第10-12页
1.2 SiC BJT的发展概况
第12-14页
1.3 SiC BJT的优势和面临的挑战
第14-15页
1.4 本文的主要工作
第15-16页
第二章 4H-SiC BJT刻蚀工艺研究
第16-39页
2.1 刻蚀的基本知识
第16-20页
2.2 湿法腐蚀
第20-21页
2.2.1 二氧化硅的湿法腐蚀
第20页
2.2.2 碳化硅的湿法腐蚀
第20-21页
2.3 干法刻蚀
第21-28页
2.3.1 碳化硅的等离子体刻蚀工艺
第21-23页
2.3.2 反应离子刻蚀和电感耦合等离子体刻蚀
第23页
2.3.3 4H-SiC ICP刻蚀工艺的实验研究
第23-28页
2.4 4H-SiC BJT ICP刻蚀工艺的实验研究
第28-38页
2.4.1 发射极台面刻蚀
第29-34页
2.4.2 基极台面刻蚀
第34-36页
2.4.3 台面终端刻蚀
第36-38页
2.5 本章总结
第38-39页
第三章 4H-SiC BJT欧姆接触工艺研究
第39-63页
3.1 SiC欧姆接触的工艺过程
第39-42页
3.2 SiC欧姆接触的材料表征
第42-43页
3.3 SiC欧姆接触的电学描述
第43-44页
3.4 比接触电阻的测试结构
第44-46页
3.5 SiC欧姆接触的实验研究
第46-53页
3.5.1 N型 4H-SiC欧姆接触
第46-50页
3.5.2 P型 4H-SiC欧姆接触
第50-53页
3.6 4H-SiC BJT欧姆接触的实验研究
第53-62页
3.6.1 金属剥离工艺开发
第53-57页
3.6.2 BJT发射极欧姆接触
第57-60页
3.6.3 BJT基极欧姆接触
第60-62页
3.7 本章小结
第62-63页
第四章 4H-SiC BJT工作机理与器件研制
第63-75页
4.1 BJT的工作机理
第63-66页
4.2 4H-SiC BJT器件版图设计
第66-70页
4.3 4H-SiC BJT流片和测试
第70-74页
4.3.1 4H-SiC BJT流片的工艺过程
第70-72页
4.3.2 4H-SiC BJT测试与分析
第72-74页
4.4 本章小结
第74-75页
第五章 结论
第75-77页
致谢
第77-78页
参考文献
第78-83页
攻读硕士学位期间取得的成果
第83-84页
本篇论文共
84
页,
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。
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