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1700V RC-IGBT的设计与仿真分析

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1700V RC-IGBT的设计与仿真分析
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-10页
第一章 绪论第10-21页
  1.1 IGBT的发展简介第10-13页
  1.2 RC-IGBT的发展简介第13-16页
  1.3 功率P-i-N二极管简介第16-20页
    1.3.1 功率P-i-N二极管的反向阻断状态第16-18页
    1.3.2 功率P-i-N二极管的正向导通状态第18-19页
    1.3.3 功率P-i-N二极管的动态特性第19-20页
  1.4 本文的主要工作第20-21页
第二章 1700V传统RC-IGBT的仿真第21-35页
  2.1 传统RC-IGBT的Snapback现象第21-24页
  2.2 1700V传统RC-IGBT的仿真第24-31页
    2.2.1 1700V传统RC-IGBT和常规IGBT的仿真比较第25-29页
    2.2.2 传统RC-IGBT在不同N-anode长度下的仿真比较第29-31页
  2.3 RC-IGBT的耐压分析第31-34页
    2.3.1 常规IGBT和传统RC-IGBT在正向阻断状态下的耐压模型第31-32页
    2.3.2 传统RC-IGBT在不同N-anode长度下的正向耐压的仿真第32-34页
  2.4 本章小结第34-35页
第三章 新型RC-IGBT结构的提出第35-44页
  3.1 新型RC-IGBT的结构以及优化导通特性的原理第35-36页
  3.2 新型 1700V RC-IGBT特性的仿真第36-40页
  3.3 新型RC-IGBT元胞部分N-anode长度对关断特性的影响第40-42页
    3.3.1 新型RC-IGBT在不同元胞N-anode长度下的关断特性第40-41页
    3.3.2 新型RC-IGBT元胞部分是否可以不要N-anode的讨论第41-42页
  3.4 本章小结第42-44页
第四章 新型RC-IGBT反向恢复特性的研究第44-59页
  4.1 新型RC-IGBT反向恢复失效的理论分析第44-46页
  4.2 新型RC-IGBT反向恢复的仿真第46-52页
    4.2.1 反向恢复的电路模型的建立第46-47页
    4.2.2 反向恢复成功和失效两种情况下的结果第47-52页
  4.3 新型RC-IGBT反向恢复失效问题的解决途径第52-57页
    4.3.1 增加元胞部分N-anode长度第52-54页
    4.3.2 减小结终端部分N-anode掺杂浓度第54-55页
    4.3.3 减小结终端部分N-anode长度第55-57页
  4.4 本章小结第57-59页
第五章 结论与展望第59-61页
  5.1 本文工作总结第59页
  5.2 工作展望第59-61页
致谢第61-62页
参考文献第62-65页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第65-66页

本篇论文共66页,点击这进入下载页面
 
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