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黑硅PIN四象限探测器研究
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黑硅PIN四象限探测器研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-11页
第一章 绪论第11-17页
　　1.1 引言第11-12页
　　1.2 光电探测器及其应用概况第12-13页
　　　　1.2.1 分类及特点第12页
　　　　1.2.2 挑战与机遇第12-13页
　　1.3 黑硅材料及其器件化应用第13-15页
　　　　1.3.1 黑硅与微结构硅第13-14页
　　　　1.3.2 黑硅材料的应用第14-15页
　　1.4 研究内容和技术路线第15-17页
　　　　1.4.1 研究内容第15-16页
　　　　1.4.2 技术路线第16-17页
第二章 Si-PIN四象限探测器结构设计第17-30页
　　2.1 器件工作原理第17-22页
　　　　2.1.1 光学吸收第17页
　　　　2.1.2 PN结第17-19页
　　　　2.1.3 工作原理第19-22页
　　2.2 性能参数第22-25页
　　　　2.2.1 响应度第23页
　　　　2.2.2 响应时间及串扰第23-24页
　　　　2.2.3 响应非均匀性第24页
　　　　2.2.4 灵敏度及暗电流第24-25页
　　2.3 器件结构设计第25-29页
　　　　2.3.1 PIN各层设计第25-27页
　　　　2.3.2 隔离槽的设计第27-29页
　　2.4 本章小结第29-30页
第三章 飞秒激光烧蚀黑硅材料制备及性能研究第30-39页
　　3.1 引言第30页
　　3.2 材料制备第30-32页
　　　　3.2.1 材料制备第30-31页
　　　　3.2.2 黑硅材料性能表征方法第31-32页
　　3.3 性能研究第32-37页
　　　　3.3.1 激光功率的影响第32-33页
　　　　3.3.2 激光扫描速度的影响第33-35页
　　　　3.3.3 气体氛围的影响第35-37页
　　3.4 黑硅S元素验证检测第37-38页
　　3.5 本章小结第38-39页
第四章 MEMS微结构硅制备及性能研究第39-53页
　　4.1 微结构硅光学仿真研究第39-44页
　　　　4.1.1 Lumerical FDTD软件介绍第39页
　　　　4.1.2 微结构仿真第39-44页
　　4.2 MEMS微结构的制备第44-49页
　　　　4.2.1 掩模板设计第44-45页
　　　　4.2.2 图形化及刻蚀工艺第45-49页
　　4.3 基于MEMS微结构硅的元素掺杂效应研究第49-52页
　　　　4.3.1 S元素二次离子注入第49-50页
　　　　4.3.2 光谱吸收特性第50-52页
　　4.4 本章小结第52-53页
第五章 基于黑硅材料的Si-PIN四象限探测器研究第53-75页
　　5.1 引言第53页
　　5.2 Si-PIN四象限探测器仿真研究第53-59页
　　　　5.2.1 Lumerical DEVICE软件介绍第53页
　　　　5.2.2 基本结构第53-55页
　　　　5.2.3 伏安特性、暗电流第55-56页
　　　　5.2.4 光谱响应、串扰第56-59页
　　　　5.2.5 响应时间第59页
　　5.3 基于黑硅Si-PIN四象限探测器仿真研究第59-66页
　　　　5.3.1 黑硅的等效折射率和吸收系数第59-61页
　　　　5.3.2 基本结构第61页
　　　　5.3.3 伏安特性、暗电流第61-63页
　　　　5.3.4 光谱响应、串扰第63-64页
　　　　5.3.5 响应时间第64-66页
　　5.4 原理性黑硅PIN四象限探测器试制第66-74页
　　　　5.4.1 引言第66-68页
　　　　5.4.2 基于飞秒黑硅第68-70页
　　　　5.4.3 基于MEMS微结构黑硅第70-71页
　　　　5.4.4 器件功能测试方法介绍第71-74页
　　5.5 本章小结第74-75页
第六章 总结与展望第75-77页
　　6.1 总结第75-76页
　　6.2 展望第76-77页
致谢第77-78页
参考文献第78-82页
攻硕期间取得的研究成果第82-83页

本篇论文共83页，点击这进入下载页面。
 
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