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基于电场集中的高Ion与低Ioff TFET结构设计研究
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基于电场集中的高Ion与低Ioff TFET结构设计研究
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-10页
第一章 绪论第10-19页
　　1.1 课题的背景及意义第10-13页
　　1.2 国内外研究动态第13-17页
　　1.3 本论文主要研究内容第17-19页
第二章 低功耗器件与典型的隧穿器件第19-32页
　　2.1 后摩尔定律时代第19页
　　2.2 新型低功耗器件介绍第19-21页
　　　　2.2.1 自旋逻辑器件第19-20页
　　　　2.2.2 石墨烯器件第20页
　　　　2.2.3 TFET器件第20-21页
　　2.3 几种典型的隧穿器件第21-30页
　　　　2.3.1 隧穿二极管第21-25页
　　　　2.3.2 隧穿场效应晶体管第25-30页
　　　　　　2.3.2.1 隧穿场效应晶体管(TFET)工作机理第25-27页
　　　　　　2.3.2.2 几种典型的隧穿场效应晶体管第27-28页
　　　　　　2.3.2.3 隧穿场效应晶体管开态电流第28-30页
　　2.4 本章小结第30-32页
第三章 基于SOI技术的EFC-TFET结构设计第32-46页
　　3.1 电场集中分析第32-33页
　　3.2 电场集中的TFET结构与工作机制第33-35页
　　3.3 仿真与讨论第35-45页
　　　　3.3.1 介质块尺寸的影响第35-39页
　　　　3.3.2 介质块介电常数的影响第39-40页
　　　　3.3.3 栅场板对器件电学性能的影响第40-45页
　　3.4 本章总结第45-46页
第四章 不同结构参数对EFC- TFET分析第46-61页
　　4.1 薄外延层厚度对开关态电流影响第46-51页
　　4.2 不同介质对隧穿结不同位置隧穿几率的影响第51-53页
　　4.3 源区杂质浓度对EFC-TFET电学特性影响第53-55页
　　　　4.3.1 不同源区杂质浓度的转移特性仿真研究第54页
　　　　4.3.2 源区杂质浓度不同时的能带仿真研究第54-55页
　　4.4 EFC介质块位置对TFET隧穿结电场仿真研究第55-58页
　　4.5 真空介质块在降低EFC-TFET源区杂质浓度研究第58-60页
　　4.6 本章总结第60-61页
第五章 基于硅基衬底的EFC-TFET关态电流抑制第61-68页
　　5.1 TFET关态泄漏电流起源第61页
　　5.2 抑制关态泄漏电结构设计第61-65页
　　5.3 N型掺杂层厚度对关态泄漏电流影响第65-66页
　　5.4 衬底厚度对关态泄漏电流影响第66-67页
　　5.5 本章总结第67-68页
第六章 结论第68-70页
　　6.1 本文的主要工作和贡献第68-69页
　　6.2 后续工作展望第69-70页
致谢第70-71页
参考文献第71-75页
攻读硕士期间取得的成果第75-76页

本篇论文共76页，点击这进入下载页面。
 
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