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TFET结构设计研究
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论文目录
摘要
第1-6页
abstract
第6-10页
第一章 绪论
第10-19页
1.1 课题的背景及意义
第10-13页
1.2 国内外研究动态
第13-17页
1.3 本论文主要研究内容
第17-19页
第二章 低功耗器件与典型的隧穿器件
第19-32页
2.1 后摩尔定律时代
第19页
2.2 新型低功耗器件介绍
第19-21页
2.2.1 自旋逻辑器件
第19-20页
2.2.2 石墨烯器件
第20页
2.2.3 TFET器件
第20-21页
2.3 几种典型的隧穿器件
第21-30页
2.3.1 隧穿二极管
第21-25页
2.3.2 隧穿场效应晶体管
第25-30页
2.3.2.1 隧穿场效应晶体管(TFET)工作机理
第25-27页
2.3.2.2 几种典型的隧穿场效应晶体管
第27-28页
2.3.2.3 隧穿场效应晶体管开态电流
第28-30页
2.4 本章小结
第30-32页
第三章 基于SOI技术的EFC-TFET结构设计
第32-46页
3.1 电场集中分析
第32-33页
3.2 电场集中的TFET结构与工作机制
第33-35页
3.3 仿真与讨论
第35-45页
3.3.1 介质块尺寸的影响
第35-39页
3.3.2 介质块介电常数的影响
第39-40页
3.3.3 栅场板对器件电学性能的影响
第40-45页
3.4 本章总结
第45-46页
第四章 不同结构参数对EFC- TFET分析
第46-61页
4.1 薄外延层厚度对开关态电流影响
第46-51页
4.2 不同介质对隧穿结不同位置隧穿几率的影响
第51-53页
4.3 源区杂质浓度对EFC-TFET电学特性影响
第53-55页
4.3.1 不同源区杂质浓度的转移特性仿真研究
第54页
4.3.2 源区杂质浓度不同时的能带仿真研究
第54-55页
4.4 EFC介质块位置对TFET隧穿结电场仿真研究
第55-58页
4.5 真空介质块在降低EFC-TFET源区杂质浓度研究
第58-60页
4.6 本章总结
第60-61页
第五章 基于硅基衬底的EFC-TFET关态电流抑制
第61-68页
5.1 TFET关态泄漏电流起源
第61页
5.2 抑制关态泄漏电结构设计
第61-65页
5.3 N型掺杂层厚度对关态泄漏电流影响
第65-66页
5.4 衬底厚度对关态泄漏电流影响
第66-67页
5.5 本章总结
第67-68页
第六章 结论
第68-70页
6.1 本文的主要工作和贡献
第68-69页
6.2 后续工作展望
第69-70页
致谢
第70-71页
参考文献
第71-75页
攻读硕士期间取得的成果
第75-76页
本篇论文共
76
页,
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。
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