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高性能有机薄膜晶体管的研究及其应用

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高性能有机薄膜晶体管的研究及其应用
论文目录
 
摘要第1-8页
abstract第8-13页
第一章 绪论第13-21页
  1.1 引言第13-14页
  1.2 有机场效应晶体管的发展现状第14-16页
  1.3 当前存在的主要问题第16-19页
  1.4 本文选题意义及研究的主要内容第19-21页
第二章 有机场效应管基本原理和相关理论第21-41页
  2.1 OTFTs的基本机构和工作原理第21-26页
    2.1.1 OTFTs的基本结构第21-23页
    2.1.2 OTFTs的工作原理第23-26页
  2.2 OTFTs的重要性能指标第26-32页
    2.2.1 输出特性曲线和转移特性曲线第26-29页
    2.2.2 场效应迁移率第29-30页
    2.2.3 开关电流比第30页
    2.2.4 阈值电压第30-31页
    2.2.5 亚阈值陡度第31-32页
  2.3 载流子注入及相关概念第32-36页
    2.3.1 功函数第32-33页
    2.3.2 能级结构与势垒第33-34页
    2.3.3 电接触与接触电势第34-35页
    2.3.4 载流子注入第35-36页
  2.4 有机场效应晶体管的电荷传输模型第36-41页
    2.4.1 能带传输模型第36-37页
    2.4.2 跃迁传输模型第37-38页
    2.4.3 极化子模型第38页
    2.4.4 多重陷阱捕获和释放模型第38-41页
第三章 利用碘化亚铜进行OTFTs器件电极/有机半导体层界面修饰的研究第41-60页
  3.1 引言第41-42页
  3.2 接触电阻构成及计算第42-46页
    3.2.1 接触电阻的组成第42-45页
    3.2.2 接触电阻的提取第45-46页
  3.3 器件的制备第46-48页
  3.4 器件的测量结果与讨论第48-58页
    3.4.1 电学性能表征第48-51页
    3.4.2 有源层表面形貌对接触电阻的影响第51-52页
    3.4.3 能级结构对接触电阻的影响第52-53页
    3.4.4 掺杂效应对接触电阻的影响第53-55页
    3.4.5 不同的并五苯厚度对载流子迁移率的影响第55-57页
    3.4.6 器件稳定性的研究第57-58页
  3.5 本章小结第58-60页
第四章 基于溶液法制备高性能绝缘层的研究第60-85页
  4.1 引言第60-63页
  4.2 基于热氧化SiO_2与SiO_2/PVP为绝缘栅的OTFTs性能的研究第63-68页
    4.2.1 器件的制备第63-64页
    4.2.2 测量的结果与讨论第64-68页
  4.3 基于Sol gel-SiO_2与Sol gel-SiO_2/PVP为绝缘栅的OTFTs性能的研究第68-82页
    4.3.1 器件的制备第68-70页
    4.3.2 电学性能表征第70-74页
    4.3.3 绝缘层表面形貌对器件性能的影响第74-77页
    4.3.4 绝缘层表面能量态密度(接触角)变化对器件性能的影响第77-79页
    4.3.5 陷阱态密度对器件稳定性的影响第79-82页
  4.4 本章小结第82-85页
第五章 基于有机晶体管的免标签生物传感器的研究第85-98页
  5.1 引言第85-87页
  5.2 器件的制备第87-89页
  5.3 器件的测量结果与讨论第89-96页
    5.3.1 DNA分子的表面固化对器件性能的影响第89-93页
    5.3.2 DNA分子的表面杂化对器件性能的影响第93-94页
    5.3.3 DNA探针浓度的变化对传感器灵敏度的影响第94-96页
  5.4 本章小结第96-98页
第六章 结论与展望第98-101页
  6.1 结论第98-100页
  6.2 展望第100-101页
参考文献第101-116页
作者在攻读博士学位期间参与的项目第116页
作者在攻读博士学位期间公开发表的论文第116-117页
致谢第117页

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