高性能有机薄膜晶体管的研究及其应用
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高性能有机薄膜晶体管的研究及其应用
论文目录
摘要
第1-8页
abstract
第8-13页
第一章 绪论
第13-21页
1.1 引言
第13-14页
1.2 有机场效应晶体管的发展现状
第14-16页
1.3 当前存在的主要问题
第16-19页
1.4 本文选题意义及研究的主要内容
第19-21页
第二章 有机场效应管基本原理和相关理论
第21-41页
2.1 OTFTs的基本机构和工作原理
第21-26页
2.1.1 OTFTs的基本结构
第21-23页
2.1.2 OTFTs的工作原理
第23-26页
2.2 OTFTs的重要性能指标
第26-32页
2.2.1 输出特性曲线和转移特性曲线
第26-29页
2.2.2 场效应迁移率
第29-30页
2.2.3 开关电流比
第30页
2.2.4 阈值电压
第30-31页
2.2.5 亚阈值陡度
第31-32页
2.3 载流子注入及相关概念
第32-36页
2.3.1 功函数
第32-33页
2.3.2 能级结构与势垒
第33-34页
2.3.3 电接触与接触电势
第34-35页
2.3.4 载流子注入
第35-36页
2.4 有机场效应晶体管的电荷传输模型
第36-41页
2.4.1 能带传输模型
第36-37页
2.4.2 跃迁传输模型
第37-38页
2.4.3 极化子模型
第38页
2.4.4 多重陷阱捕获和释放模型
第38-41页
第三章 利用碘化亚铜进行OTFTs器件电极/有机半导体层界面修饰的研究
第41-60页
3.1 引言
第41-42页
3.2 接触电阻构成及计算
第42-46页
3.2.1 接触电阻的组成
第42-45页
3.2.2 接触电阻的提取
第45-46页
3.3 器件的制备
第46-48页
3.4 器件的测量结果与讨论
第48-58页
3.4.1 电学性能表征
第48-51页
3.4.2 有源层表面形貌对接触电阻的影响
第51-52页
3.4.3 能级结构对接触电阻的影响
第52-53页
3.4.4 掺杂效应对接触电阻的影响
第53-55页
3.4.5 不同的并五苯厚度对载流子迁移率的影响
第55-57页
3.4.6 器件稳定性的研究
第57-58页
3.5 本章小结
第58-60页
第四章 基于溶液法制备高性能绝缘层的研究
第60-85页
4.1 引言
第60-63页
4.2 基于热氧化SiO_2与SiO_2/PVP为绝缘栅的OTFTs性能的研究
第63-68页
4.2.1 器件的制备
第63-64页
4.2.2 测量的结果与讨论
第64-68页
4.3 基于Sol gel-SiO_2与Sol gel-SiO_2/PVP为绝缘栅的OTFTs性能的研究
第68-82页
4.3.1 器件的制备
第68-70页
4.3.2 电学性能表征
第70-74页
4.3.3 绝缘层表面形貌对器件性能的影响
第74-77页
4.3.4 绝缘层表面能量态密度(接触角)变化对器件性能的影响
第77-79页
4.3.5 陷阱态密度对器件稳定性的影响
第79-82页
4.4 本章小结
第82-85页
第五章 基于有机晶体管的免标签生物传感器的研究
第85-98页
5.1 引言
第85-87页
5.2 器件的制备
第87-89页
5.3 器件的测量结果与讨论
第89-96页
5.3.1 DNA分子的表面固化对器件性能的影响
第89-93页
5.3.2 DNA分子的表面杂化对器件性能的影响
第93-94页
5.3.3 DNA探针浓度的变化对传感器灵敏度的影响
第94-96页
5.4 本章小结
第96-98页
第六章 结论与展望
第98-101页
6.1 结论
第98-100页
6.2 展望
第100-101页
参考文献
第101-116页
作者在攻读博士学位期间参与的项目
第116页
作者在攻读博士学位期间公开发表的论文
第116-117页
致谢
第117页
本篇论文共
117
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