场截止沟道IGBT裂片的失效机理及改进方案



场截止沟道IGBT裂片的失效机理及改进方案

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场截止沟道IGBT裂片的失效机理及改进方案

论文目录
中文摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第一章绪论	第8-13页
· 课题概述	第8-9页
· 课题来源	第8-9页
· 基本概念	第9-10页
· 贴片工艺	第9页
· 裂片的概述及裂片机理	第9-10页
· 实验设计	第10页
· 研究的方向和流程	第10-11页
· 本课题主要工作	第11-13页
· 主要研究工作及思路	第11页
· 本文的组织架构及创新点	第11-13页
第二章场截止沟道IGBT、UV膜和顶针机构的介绍	第13-17页
· 场截止沟道IGBT	第13-14页
· UV膜的构造	第14-15页
· 顶针机构的介绍	第15-17页
第三章对于异种芯片的实验设计	第17-25页
· 引言	第17页
· 异种芯片实验设计方案	第17-20页
· 抗断强度理论	第17-20页
· 实验结果及分析	第20-24页
· 实验设计结论	第24-25页
第四章对于UV膜参数优化的实验设计	第25-36页
· 引言	第25页
· UV膜的实验设计方案	第25-29页
· 紫外光照射时间的实验设计	第25-29页
· 紫外光照射时间的实验设计裂片组现象机理分析	第29-35页
· UV膜实验设计结论	第35-36页
第五章对于贴片顶针的实验设计	第36-46页
· 引言	第36页
· 顶针的实验设计方案	第36-40页
· 顶针机构的实验设计	第36-39页
· 拾取头的分析	第39-40页
· 顶针实验设计的结论	第40-46页
第六章实验设计的总结	第46-48页
· 引言	第46页
· 实验设计总结	第46页
· 解决方案的可靠性确认	第46-47页
· 展望	第47-48页
参考文献	第48-49页
致谢	第49页

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