论文目录 | |
| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-36页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 TFT技术现状 | 第17-20页 |
| 1.2.1 非晶硅TFT | 第17页 |
| 1.2.2 多晶硅TFT | 第17-18页 |
| 1.2.3 微晶硅TFT | 第18页 |
| 1.2.4 有机TFT | 第18-19页 |
| 1.2.5 氧化物半导体TFT | 第19-20页 |
| 1.3 氧化物TFT有源层材料的选择以及绝缘层材料的选择 | 第20-25页 |
| 1.3.1 氧化物TFT有源层材料的选择 | 第20-23页 |
| 1.3.2 氧化物TFT绝缘层材料的选择 | 第23-25页 |
| 1.4 选择研究氧化物TFT的意义 | 第25页 |
| 1.5 TFT结构以及工作原理 | 第25-28页 |
| 1.5.1 TFT结构 | 第25-26页 |
| 1.5.2 TFT工作机理 | 第26-28页 |
| 1.6 衡量薄膜晶体管性能的几个主要指标 | 第28-30页 |
| 1.6.1 迁移率 | 第28-29页 |
| 1.6.2 开关比 | 第29页 |
| 1.6.3 开启电压和阈值电压 | 第29-30页 |
| 1.6.4 亚阈值摆幅 | 第30页 |
| 1.7 研究方法和实验设备 | 第30-34页 |
| 1.8 论文的主要内容及章节安排 | 第34-36页 |
| 第二章 低介电常数与高介电常数绝缘层的IGZO-TFT的研究 | 第36-54页 |
| 2.1 磁控溅射SiO_2与H_fO_2为绝缘层的IGZO-TFT性能的研究 | 第37-44页 |
| 2.1.1 器件的制备 | 第37-38页 |
| 2.1.2 器件的测量结果和讨论 | 第38-43页 |
| 2.1.3 本节小结 | 第43-44页 |
| 2.2 热氧化SiO_2与溅射Al_2O_3为绝缘层的IGZO-TFT性能的研究 | 第44-48页 |
| 2.2.1 器件的制备 | 第44-45页 |
| 2.2.2 器件的测量结果和讨论 | 第45-48页 |
| 2.2.3 本节小结 | 第48页 |
| 2.3 溅射Al_2O_3与原子层沉积Al_2O_3为绝缘层的IGZO-TFT性能的研究 | 第48-54页 |
| 2.3.1 器件的制备 | 第48-50页 |
| 2.3.2 器件的测量结果和讨论 | 第50-54页 |
| 第三章 基于原子层沉积（ALD）Al_2O_3为绝缘层的IGZO-TFT的制备及稳定性研究 | 第54-85页 |
| 3.1 ALD-Al_2O_3生长温度对IGZO-TFT稳定性的影响 | 第54-65页 |
| 3.1.1 器件的制备 | 第55-56页 |
| 3.1.2 器件的测量结果和讨论 | 第56-64页 |
| 3.1.3 本节小结 | 第64-65页 |
| 3.2 ALD-Al_2O_3厚度对IGZO-TFT稳定性的影响 | 第65-71页 |
| 3.2.1 器件的制备 | 第65-66页 |
| 3.2.2 器件的测量结果和讨论 | 第66-70页 |
| 3.2.3 本节小结 | 第70-71页 |
| 3.3 溅射SiO_2修饰ALD-Al_2O_3的IGZO-TFT稳定性的研究 | 第71-77页 |
| 3.3.1 器件的制备 | 第71-72页 |
| 3.3.2 器件的测量结果和讨论 | 第72-76页 |
| 3.3.3 本节小结 | 第76-77页 |
| 3.4 ALD-Al_2O_3修饰ZrO2的IGZO-TFT稳定性的研究 | 第77-85页 |
| 3.4.1 器件的制备 | 第77-78页 |
| 3.4.2 器件的测量结果和讨论 | 第78-83页 |
| 3.4.3 本节小结 | 第83-85页 |
| 第四章 从temperature-stress计算TFT态密度以及器件稳定性的研究 | 第85-106页 |
| 4.1 用temperature-stress方法来计算IZO-TFT的态密度 | 第85-91页 |
| 4.1.1 器件的制备 | 第85-86页 |
| 4.1.2 器件的测量结果和讨论 | 第86-91页 |
| 4.1.3 本节小结 | 第91页 |
| 4.2 溅射功率密度对IZO-TFT态密度以及稳定性的影响 | 第91-98页 |
| 4.2.1 器件的制备 | 第91-92页 |
| 4.2.2 器件的测量结果和讨论 | 第92-97页 |
| 4.2.3 本节小结 | 第97-98页 |
| 4.3 有源层厚度对IGZO-TFT态密度以及稳定性的影响 | 第98-106页 |
| 4.3.1 器件的制备 | 第98-99页 |
| 4.3.2 器件的测量结果和讨论 | 第99-105页 |
| 4.3.3 本节小结 | 第105-106页 |
| 第五章 IZO/IGZO双有源层的TFT的研究 | 第106-113页 |
| 5.1 双有源层器件的制备及稳定性的研究 | 第106-113页 |
| 5.1.1 器件的制备 | 第106-107页 |
| 5.1.2 器件的测量结果和讨论 | 第107-112页 |
| 5.1.3 本节小结 | 第112-113页 |
| 第六章 结论与展望 | 第113-118页 |
| 6.1 结论 | 第113-116页 |
| 6.2 展望 | 第116-118页 |
| 参考文献 | 第118-127页 |
| 作者在攻读博士学位期间公开发表的论文 | 第127-129页 |
| 作者在攻读博士学位期间所作的项目 | 第129-130页 |
| 致谢 | 第130页 |
