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氧化物薄膜晶体管的制备与物性研究

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氧化物薄膜晶体管的制备与物性研究
论文目录
 
摘要第1-9页
ABSTRACT第9-16页
第一章 绪论第16-36页
  1.1 引言第16-17页
  1.2 TFT技术现状第17-20页
    1.2.1 非晶硅TFT第17页
    1.2.2 多晶硅TFT第17-18页
    1.2.3 微晶硅TFT第18页
    1.2.4 有机TFT第18-19页
    1.2.5 氧化物半导体TFT第19-20页
  1.3 氧化物TFT有源层材料的选择以及绝缘层材料的选择第20-25页
    1.3.1 氧化物TFT有源层材料的选择第20-23页
    1.3.2 氧化物TFT绝缘层材料的选择第23-25页
  1.4 选择研究氧化物TFT的意义第25页
  1.5 TFT结构以及工作原理第25-28页
    1.5.1 TFT结构第25-26页
    1.5.2 TFT工作机理第26-28页
  1.6 衡量薄膜晶体管性能的几个主要指标第28-30页
    1.6.1 迁移率第28-29页
    1.6.2 开关比第29页
    1.6.3 开启电压和阈值电压第29-30页
    1.6.4 亚阈值摆幅第30页
  1.7 研究方法和实验设备第30-34页
  1.8 论文的主要内容及章节安排第34-36页
第二章 低介电常数与高介电常数绝缘层的IGZO-TFT的研究第36-54页
  2.1 磁控溅射SiO_2与H_fO_2为绝缘层的IGZO-TFT性能的研究第37-44页
    2.1.1 器件的制备第37-38页
    2.1.2 器件的测量结果和讨论第38-43页
    2.1.3 本节小结第43-44页
  2.2 热氧化SiO_2与溅射Al_2O_3为绝缘层的IGZO-TFT性能的研究第44-48页
    2.2.1 器件的制备第44-45页
    2.2.2 器件的测量结果和讨论第45-48页
    2.2.3 本节小结第48页
  2.3 溅射Al_2O_3与原子层沉积Al_2O_3为绝缘层的IGZO-TFT性能的研究第48-54页
    2.3.1 器件的制备第48-50页
    2.3.2 器件的测量结果和讨论第50-54页
第三章 基于原子层沉积(ALD)Al_2O_3为绝缘层的IGZO-TFT的制备及稳定性研究第54-85页
  3.1 ALD-Al_2O_3生长温度对IGZO-TFT稳定性的影响第54-65页
    3.1.1 器件的制备第55-56页
    3.1.2 器件的测量结果和讨论第56-64页
    3.1.3 本节小结第64-65页
  3.2 ALD-Al_2O_3厚度对IGZO-TFT稳定性的影响第65-71页
    3.2.1 器件的制备第65-66页
    3.2.2 器件的测量结果和讨论第66-70页
    3.2.3 本节小结第70-71页
  3.3 溅射SiO_2修饰ALD-Al_2O_3的IGZO-TFT稳定性的研究第71-77页
    3.3.1 器件的制备第71-72页
    3.3.2 器件的测量结果和讨论第72-76页
    3.3.3 本节小结第76-77页
  3.4 ALD-Al_2O_3修饰ZrO2的IGZO-TFT稳定性的研究第77-85页
    3.4.1 器件的制备第77-78页
    3.4.2 器件的测量结果和讨论第78-83页
    3.4.3 本节小结第83-85页
第四章 从temperature-stress计算TFT态密度以及器件稳定性的研究第85-106页
  4.1 用temperature-stress方法来计算IZO-TFT的态密度第85-91页
    4.1.1 器件的制备第85-86页
    4.1.2 器件的测量结果和讨论第86-91页
    4.1.3 本节小结第91页
  4.2 溅射功率密度对IZO-TFT态密度以及稳定性的影响第91-98页
    4.2.1 器件的制备第91-92页
    4.2.2 器件的测量结果和讨论第92-97页
    4.2.3 本节小结第97-98页
  4.3 有源层厚度对IGZO-TFT态密度以及稳定性的影响第98-106页
    4.3.1 器件的制备第98-99页
    4.3.2 器件的测量结果和讨论第99-105页
    4.3.3 本节小结第105-106页
第五章 IZO/IGZO双有源层的TFT的研究第106-113页
  5.1 双有源层器件的制备及稳定性的研究第106-113页
    5.1.1 器件的制备第106-107页
    5.1.2 器件的测量结果和讨论第107-112页
    5.1.3 本节小结第112-113页
第六章 结论与展望第113-118页
  6.1 结论第113-116页
  6.2 展望第116-118页
参考文献第118-127页
作者在攻读博士学位期间公开发表的论文第127-129页
作者在攻读博士学位期间所作的项目第129-130页
致谢第130页

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