铟镓锌氧薄膜晶体管的制备及其性能研究



铟镓锌氧薄膜晶体管的制备及其性能研究

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铟镓锌氧薄膜晶体管的制备及其性能研究

论文目录
摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-10页
第一章绪论	第10-18页
1.1 引言	第10页
1.2 IGZO（铟镓锌氧）化合物的介绍	第10-12页
1.2.1 IGZO的发现	第10-11页
1.2.2 IGZO的结构特点	第11页
1.2.3 IGZO的导电机理	第11-12页
1.3 薄膜晶体管的工程原理	第12-14页
1.4 氧化物TFT的发展史	第14-15页
1.5 IGZO-TFT薄膜晶体管的研究现状	第15-17页
1.6 本文研究的目的和主要内容	第17-18页
第二章薄膜的制备方法与表征技术	第18-29页
2.1 薄膜的制备方法	第18-21页
2.1.1 分子束外延	第18页
2.1.2 化学气相沉积	第18-19页
2.1.3 磁控溅射法	第19-20页
2.1.4 激光脉冲沉积法	第20页
2.1.5 溶胶-凝胶法	第20-21页
2.2 磁控溅射设备的工作原理	第21-22页
2.3 薄膜的表征与测试	第22-26页
2.3.1 X射线衍射（XRD）	第23-24页
2.3.2 扫描电子显微镜（SEM）	第24-25页
2.3.3 X射线光电子能谱(XPS)	第25页
2.3.4 台阶仪	第25-26页
2.4 薄膜晶体管（TFT）的性能参数	第26-28页
2.5 本章小结	第28-29页
第三章 IGZO-TFT的制备和工艺参数的讨论	第29-45页
3.1 TFT的常用结构	第29页
3.2 IGZO的薄膜制备方法	第29-31页
3.2.1 基片的清洗	第29-30页
3.2.2 磁控溅射设备的使用	第30-31页
3.3 TFT源漏电极的制备	第31页
3.4 IGZO薄膜的测试和分析	第31-33页
3.4.1 IGZO薄膜晶体结构的表征	第32-33页
3.4.2 IGZO薄膜的透光率测试	第33页
3.5 IGZO-TFT各种制备工艺的探讨	第33-43页
3.5.1 退火气氛对IGZO-TFT器件性能的影响	第34-37页
3.5.2 退火温度对IGZO-TFT器件性能的影响	第37-39页
3.5.3 薄膜厚度对IGZO-TFT器件的影响	第39-41页
3.5.4 沟道W/L对TFT器件的影响	第41-43页
3.6 本章小结	第43-45页
第四章对IGZO-TFT器件性能的改进	第45-58页
4.1 电极材料对IGZO薄膜晶体管的影响	第45-48页
4.2 制备透明的IGZO-TFT器件	第48-52页
4.2.1 透明IGZO-TFT制备工艺	第48-49页
4.2.2 SiNx与SiO2分别作为IGZO-TFT绝缘层	第49-52页
4.3 对制备的IGZO-TFT器件的分析	第52-56页
4.3.1 退火对器件性能的影响	第52-55页
4.3.2 IGZO-TFT器件的均一性和稳定性测试	第55-56页
4.4 本章小结	第56-58页
第五章结论	第58-60页
致谢	第60-61页
参考文献	第61-68页
攻硕期间取得的成果	第68-69页

本篇论文共69页，点击这进入下载页面。

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