铟镓锌氧薄膜晶体管的制备及其性能研究
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铟镓锌氧薄膜晶体管的制备及其性能研究
论文目录
摘要
第1-6页
ABSTRACT
第6-10页
第一章 绪论
第10-18页
1.1 引言
第10页
1.2 IGZO(铟镓锌氧)化合物的介绍
第10-12页
1.2.1 IGZO的发现
第10-11页
1.2.2 IGZO的结构特点
第11页
1.2.3 IGZO的导电机理
第11-12页
1.3 薄膜晶体管的工程原理
第12-14页
1.4 氧化物TFT的发展史
第14-15页
1.5 IGZO-TFT薄膜晶体管的研究现状
第15-17页
1.6 本文研究的目的和主要内容
第17-18页
第二章 薄膜的制备方法与表征技术
第18-29页
2.1 薄膜的制备方法
第18-21页
2.1.1 分子束外延
第18页
2.1.2 化学气相沉积
第18-19页
2.1.3 磁控溅射法
第19-20页
2.1.4 激光脉冲沉积法
第20页
2.1.5 溶胶-凝胶法
第20-21页
2.2 磁控溅射设备的工作原理
第21-22页
2.3 薄膜的表征与测试
第22-26页
2.3.1 X射线衍射(XRD)
第23-24页
2.3.2 扫描电子显微镜(SEM)
第24-25页
2.3.3 X射线光电子能谱(XPS)
第25页
2.3.4 台阶仪
第25-26页
2.4 薄膜晶体管(TFT)的性能参数
第26-28页
2.5 本章小结
第28-29页
第三章 IGZO-TFT的制备和工艺参数的讨论
第29-45页
3.1 TFT的常用结构
第29页
3.2 IGZO的薄膜制备方法
第29-31页
3.2.1 基片的清洗
第29-30页
3.2.2 磁控溅射设备的使用
第30-31页
3.3 TFT源漏电极的制备
第31页
3.4 IGZO薄膜的测试和分析
第31-33页
3.4.1 IGZO薄膜晶体结构的表征
第32-33页
3.4.2 IGZO薄膜的透光率测试
第33页
3.5 IGZO-TFT各种制备工艺的探讨
第33-43页
3.5.1 退火气氛对IGZO-TFT器件性能的影响
第34-37页
3.5.2 退火温度对IGZO-TFT器件性能的影响
第37-39页
3.5.3 薄膜厚度对IGZO-TFT器件的影响
第39-41页
3.5.4 沟道W/L对TFT器件的影响
第41-43页
3.6 本章小结
第43-45页
第四章 对IGZO-TFT器件性能的改进
第45-58页
4.1 电极材料对IGZO薄膜晶体管的影响
第45-48页
4.2 制备透明的IGZO-TFT器件
第48-52页
4.2.1 透明IGZO-TFT制备工艺
第48-49页
4.2.2 SiNx与SiO2分别作为IGZO-TFT绝缘层
第49-52页
4.3 对制备的IGZO-TFT器件的分析
第52-56页
4.3.1 退火对器件性能的影响
第52-55页
4.3.2 IGZO-TFT器件的均一性和稳定性测试
第55-56页
4.4 本章小结
第56-58页
第五章 结论
第58-60页
致谢
第60-61页
参考文献
第61-68页
攻硕期间取得的成果
第68-69页
本篇论文共
69
页,
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。
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