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基于MEMS技术硅磁敏三极管差分结构制作及特性研究

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基于MEMS技术硅磁敏三极管差分结构制作及特性研究
论文目录
 
中文摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第1章 绪论第10-23页
  1.1 磁敏三极管国内研究现状第10-12页
  1.2 磁敏三极管国外研究现状第12-21页
    1.2.1 阱型磁敏三极管研究现状第12-17页
    1.2.2 差分结构磁敏三极管研究现状第17-20页
    1.2.3 侧墙型磁敏三极管研究现状第20-21页
  1.3 硅磁敏三极管差分结构研究目的及意义第21页
    1.3.1 研究目的第21页
    1.3.2 研究意义第21页
  1.4 论文主要研究内容第21-23页
第2章 硅磁敏三极管差分结构与工作原理第23-30页
  2.1 硅磁敏三极管差分结构第23-24页
  2.2 硅磁敏三极管差分结构工作原理第24-27页
    2.2.1 硅磁敏三极管工作原理第24-25页
    2.2.2 硅磁敏三极管差分结构工作原理第25-27页
  2.3 硅磁敏三极管差分结构特性第27-29页
    2.3.1 硅磁敏三极管差分结构磁灵敏度第27-28页
    2.3.2 硅磁敏三极管差分结构温度系数第28-29页
  2.4 本章小结第29-30页
第3章 基于ATLAS硅磁敏三极管差分结构仿真研究第30-40页
  3.1 半导体器件仿真系统简介第30页
  3.2 硅磁敏三极管特性仿真第30-34页
    3.2.1 硅磁敏三极管结构仿真模型构建第30-31页
    3.2.2 硅磁敏三极管特性仿真第31-34页
  3.3 硅磁敏三极管差分结构仿真模型第34-38页
    3.3.1 硅磁敏三极管差分结构仿真模型构建第34-35页
    3.3.2 硅磁敏三极管差分结构磁特性仿真第35-38页
    3.3.3 硅磁敏三极管差分结构温度特性仿真第38页
  3.4 本章小结第38-40页
第4章 硅磁敏三极管差分结构芯片设计、制作和封装第40-48页
  4.1 分立硅磁敏三极管差分结构特性第40-42页
  4.2 硅磁敏三极管差分结构集成化设计第42-44页
    4.2.1 硅磁敏三极管差分结构设计第42-43页
    4.2.2 硅磁敏三极管差分结构集成化版图第43-44页
  4.3 硅磁敏三极管差分结构制作工艺第44-46页
  4.4 硅磁敏三极管差分结构集成化芯片封装第46-47页
  4.5 本章小结第47-48页
第5章 实验结果与讨论第48-73页
  5.1 硅磁敏三极管特性第48-52页
    5.1.1 硅磁敏三极管IC-VCE特性第48-49页
    5.1.2 硅磁敏三极管磁特性第49-51页
    5.1.3 硅磁敏三极管温度特性第51-52页
  5.2 硅磁敏三极管差分结构集成化芯片特性第52-64页
    5.2.1 硅磁敏三极管差分结构集成化芯片IC-VCE特性第52-55页
    5.2.2 硅磁敏三极管差分结构集成化芯片磁特性第55-59页
    5.2.3 硅磁敏三极管差分结构集成化芯片温度特性第59-61页
    5.2.4 硅磁敏三极管差分结构集成化芯片静态特性第61-64页
  5.3 基区长度对硅磁敏三极管差分结构集成化芯片特性影响第64-71页
    5.3.1 基区长度对IC-VCE特性影响第64-66页
    5.3.2 基区长度对磁特性影响第66-71页
  5.4 本章小结第71-73页
结论第73-74页
参考文献第74-79页
致谢第79-80页
攻读学位期间发表论文第80页
攻读学位期间科研项目第80页

本篇论文共80页,点击这进入下载页面
 
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