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SiGe HBT性能增强的技术研究

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SiGe HBT性能增强的技术研究
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-14页
第1章 绪论第14-34页
  1.1 课题研究背景第14-18页
  1.2 改善体硅(bulk Si)SiGe HBT优值技术的研究现状第18-26页
  1.3 改善SOI SiGe HBT优值和热特性的技术研究现状第26-30页
  1.4 现有改善器件优值和热特性技术的不足第30-31页
  1.5 本论文课题来源、主要工作及创新点第31-34页
第2章 用于改善体硅SiGe HBT的f_T×BV乘积优值的集电结耗尽区内N-P~+交替掺杂层的技术研究第34-48页
  2.1 单一改变集电区杂质掺杂浓度N_C对体硅SiGe HBT的f_T×BV乘积优值的影响和不足第34-42页
    2.1.1 特征频率-击穿电压乘积(f_T×BV)优值概念第34-35页
    2.1.2 传统体硅SiGe HBT仿真模型第35-37页
    2.1.3 单一改变N_C对器件的f_T×BV乘积优值的影响和不足第37-42页
  2.2 改善体硅SiGe HBT的f_T×BV乘积优值的集电结耗尽区N-P~+交替掺杂层(N-P~+CDL)技术第42-46页
    2.2.1 N-P~+CDL物理思想的提出第42-44页
    2.2.2 N-P~+CDL对器件BV的改善第44-45页
    2.2.3 N-P~+CDL对器件的f_T×BV乘积优值的改善第45-46页
  2.3 本章小结第46-48页
第3章 用于改善体硅SiGe HBT的β、f_T和β×V_A温度敏感性的基区能带工程技术研究第48-66页
  3.1 基区Ge组分(Box),Trapezoid,Triangular分布对体硅SiGe HBTs的β和f_T温度敏感性的影响第48-57页
    3.1.1 不同基区Ge组分Box分布对器件的β和f_T温度敏感性的影响第48-53页
    3.1.2 基区Ge组分Box、Triangular和Trapezoid分布对器件的β和f_T温度敏感性的影响第53-57页
  3.2 改善体硅SiGe HBT的b和f_T温度敏感性的基区Ge组分多重均匀-缓变分布(MSSB)第57-60页
    3.2.1 MSSB物理思想的提出第57-58页
    3.2.2 MSSB对器件的β温度敏感性的改善第58-59页
    3.2.3 MSSB对器件的f_T温度敏感性的改善第59-60页
  3.3 MSSB对体硅SiGe HBT的β×V_A乘积优值温度敏感性的改善第60-63页
  3.4 本章小结第63-66页
第4章 用于同时改善SOI SiGe HBT特征频率-击穿电压乘积优值及热特性的集电区N~+埋层技术的研究第66-78页
  4.1 增加衬底绝缘层厚度对SOI SiGe HBT的f_T×BV_(CEO)乘积优值的影响和不足第66-72页
    4.1.1 衬底绝缘层的引入对器件f_T×BV_(CEO)乘积优值的影响第66-69页
    4.1.2 增加衬底绝缘层厚度对器件f_T×BV_(CEO)乘积优值的影响第69-71页
    4.1.3 增加衬底绝缘层厚度对器件热特性的负面影响第71-72页
  4.2 新型集电区N+埋层对SOI SiGe HBT的f_T×BV_(CEO)乘积优值及热特性的改善第72-76页
    4.2.1 对器件f_T×BV_(CEO)乘积优值的改善第73-74页
    4.2.2 对器件热特性的改善第74-76页
  4.3 本章小结第76-78页
第5章 体硅SiGe HBTs工艺实现和测试分析第78-90页
  5.1 体硅SiGe HBTs的材料结构第78页
  5.2 SiGe HBT工艺流程第78-83页
  5.3 SiGe HBTs直流特性测试和分析第83-88页
    5.3.1 体硅MSSB SiGe HBT直流参数测试第83-86页
    5.3.2 体硅MSSB和Box SiGe HBT的β与T关系的比较第86页
    5.3.3 体硅MSSB和Box SiGe HBTs的V_A和b×V_A乘积优值与T关系的比较第86-88页
  5.4 本章小结第88-90页
主要结论第90-92页
参考文献第92-102页
攻读博士期间所发表的学术论文第102-104页
致谢第104-105页

本篇论文共105页,点击这进入下载页面
 
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