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基于高κ栅介质的高性能Ⅲ-Ⅴ族晶体管研究
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基于高κ栅介质的高性能Ⅲ-Ⅴ族晶体管研究
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-12页
1 绪论第12-24页
　　1.1 引言第12-14页
　　1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面钝化简介第14-18页
　　1.3 高κ栅介质Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体管发展历程第18-21页
　　1.4 本论文的研究内容第21-24页
2 化合物半导体工艺优化第24-34页
　　2.1 引言第24页
　　2.2 基于原子层沉积的高k介质第24-29页
　　2.3 刻蚀第29-30页
　　2.4 欧姆接触第30-32页
　　2.5 本章小结第32-34页
3 砷化镓金属氧化物半导体场效应晶体管第34-50页
　　3.1 引言第34页
　　3.2 制备流程第34-35页
　　3.3 氧化层界面与晶体管输运特性关联第35-40页
　　3.4 基于电导法的界面特性表征第40-46页
　　3.5 基于传输线模型的界面缺陷模型第46-48页
　　3.6 本章小结第48-50页
4 铝镓氮/氮化镓金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管第50-79页
　　4.1 氮化镓基晶体管发展与挑战第50-55页
　　4.2 制备流程第55-56页
　　4.3 高κ栅介质与金属绝缘体半导体电容关联第56-59页
　　4.4 高κ栅介质与晶体管特性关联第59-68页
　　4.5 氟基凹槽栅铝镓氮/氮化镓金属氧化物场效应晶体管第68-74页
　　4.6 栅极注入型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管第74-77页
　　4.7 本章小结第77-79页
5 铟镓砷环栅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管第79-95页
　　5.1 引言第79页
　　5.2 制备流程第79-81页
　　5.3 超薄环型栅极漏电第81-84页
　　5.4 低温输运特性第84-94页
　　5.5 本章小结第94-95页
6 铟镓砷纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管磁特性第95-107页
　　6.1 引言第95页
　　6.2 纳米线晶体管中的磁输运第95-99页
　　6.3 磁阻效应的调控第99-106页
　　6.4 本章小结第106-107页
7 总结与展望第107-110页
致谢第110-112页
参考文献第112-125页
附录 攻读博士学位期间发表论文目录第125页

本篇论文共125页，点击这进入下载页面。
 
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