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基于高κ栅介质的高性能Ⅲ-Ⅴ族晶体管研究

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基于高κ栅介质的高性能Ⅲ-Ⅴ族晶体管研究
论文目录
 
摘要第1-7页
Abstract第7-12页
1 绪论第12-24页
  1.1 引言第12-14页
  1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面钝化简介第14-18页
  1.3 高κ栅介质Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体管发展历程第18-21页
  1.4 本论文的研究内容第21-24页
2 化合物半导体工艺优化第24-34页
  2.1 引言第24页
  2.2 基于原子层沉积的高k介质第24-29页
  2.3 刻蚀第29-30页
  2.4 欧姆接触第30-32页
  2.5 本章小结第32-34页
3 砷化镓金属氧化物半导体场效应晶体管第34-50页
  3.1 引言第34页
  3.2 制备流程第34-35页
  3.3 氧化层界面与晶体管输运特性关联第35-40页
  3.4 基于电导法的界面特性表征第40-46页
  3.5 基于传输线模型的界面缺陷模型第46-48页
  3.6 本章小结第48-50页
4 铝镓氮/氮化镓金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管第50-79页
  4.1 氮化镓基晶体管发展与挑战第50-55页
  4.2 制备流程第55-56页
  4.3 高κ栅介质与金属绝缘体半导体电容关联第56-59页
  4.4 高κ栅介质与晶体管特性关联第59-68页
  4.5 氟基凹槽栅铝镓氮/氮化镓金属氧化物场效应晶体管第68-74页
  4.6 栅极注入型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管第74-77页
  4.7 本章小结第77-79页
5 铟镓砷环栅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管第79-95页
  5.1 引言第79页
  5.2 制备流程第79-81页
  5.3 超薄环型栅极漏电第81-84页
  5.4 低温输运特性第84-94页
  5.5 本章小结第94-95页
6 铟镓砷纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管磁特性第95-107页
  6.1 引言第95页
  6.2 纳米线晶体管中的磁输运第95-99页
  6.3 磁阻效应的调控第99-106页
  6.4 本章小结第106-107页
7 总结与展望第107-110页
致谢第110-112页
参考文献第112-125页
附录 攻读博士学位期间发表论文目录第125页

本篇论文共125页,点击这进入下载页面
 
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