基于LaON界面钝化层的Ge MOS器件界面及电特性研究



基于LaON界面钝化层的Ge MOS器件界面及电特性研究

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基于LaON界面钝化层的Ge MOS器件界面及电特性研究

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
1 绪论	第10-33页
1.1 集成电路的发展与摩尔定律	第10-12页
1.2 MOS器件等比缩小面临的挑战	第12-19页
1.3 Ge基MOSFET的优势及存在的问题	第19-20页
1.4 Ge MOS器件界面研究进展	第20-31页
1.5 本论文主要研究工作及内容安排	第31-33页
2 Ge MOS器件制备工艺及测试表征方法	第33-47页
2.1 Ge MOS器件的制备工艺	第33-36页
2.2 器件电学特性测试与参数提取	第36-42页
2.3 栅介质薄膜及MOS界面表征方法	第42-46页
2.4 本章小结	第46-47页
3 稀土锗酸盐形成及其对Ge MOS界面改善研究	第47-62页
3.1 引言	第47页
3.2 La_2O_3和Y_2O_3 Ge MOS界面及氮化研究	第47-55页
3.3 LaON界面钝化层对HfO_2/Ge界面的改善作用	第55-60页
3.4 本章小结	第60-62页
4 基于LaON的双界面钝化层研究	第62-81页
4.1 引言	第62页
4.2 YON/LaON双界面钝化层研究	第62-71页
4.3 TaON/LaON双界面钝化层研究	第71-79页
4.4 本章小结	第79-81页
5 HfO_2高k层改性对LaON界面钝化层影响的研究	第81-99页
5.1 引言	第81页
5.2 N和Ta掺入HfO_2高k层对界面质量的影响	第81-91页
5.3 F等离子体处理HfO_2高k层对界面质量的影响	第91-97页
5.4 本章小结	第97-99页
6 新型LaTaON高中栅介质研究	第99-108页
6.1 引言	第99页
6.2 实验工艺与样品制备	第99-100页
6.3 实验结果与分析讨论	第100-107页
6.4 本章小结	第107-108页
7 总结与展望	第108-112页
7.1 工作总结与创新点	第108-110页
7.2 工作展望	第110-112页
致谢	第112-113页
参考文献	第113-127页
附录攻读博士学位期间发表的论文	第127页

本篇论文共127页，点击这进入下载页面。

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