FS结构的3300V IGBT终端设计
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FS结构的3300V IGBT终端设计
论文目录
摘要
第1-6页
abstract
第6-9页
第一章 引言
第9-18页
1.1 IGBT发展概况
第9-12页
1.2 结终端技术的发展概况
第12-17页
1.3 本论文的研究意义
第17页
1.4 本文的主要工作
第17-18页
第二章 结终端基本理论
第18-34页
2.1 PN结击穿原理
第18-21页
2.1.1 雪崩击穿
第18-19页
2.1.2 热击穿
第19-21页
2.2 FS IGBT的阻断特性
第21-22页
2.3 结终端技术
第22-33页
2.3.1 等位环
第23-24页
2.3.2 场限环
第24-26页
2.3.3 场板
第26-27页
2.3.4 VLD结合埋层
第27-29页
2.3.5 斜场板结合深槽
第29-31页
2.3.6 浅槽结合场限环
第31-33页
2.4 本章小结
第33-34页
第三章 终端选型及设计
第34-53页
3.1 终端结构选型
第34-36页
3.2 终端工艺步骤
第36-41页
3.3 终端结构设计
第41-52页
3.3.1 场氧化层厚度
第42-43页
3.3.2 环间距
第43-44页
3.3.3 多晶场板和金属场板拉偏
第44-48页
3.3.4 温度
第48-50页
3.3.5 两种电场分布结构的击穿特性对比
第50-52页
3.4 本章小结
第52-53页
第四章 版图设计及流片测试与分析
第53-63页
4.1 版图设计
第53-56页
4.1.1 版图设计规则
第53-54页
4.1.2 版图设计结构
第54-56页
4.2 流片测试与结果分析
第56-62页
4.2.0 裸片测试结果分析
第56-57页
4.2.1 封装测试结果分析
第57-58页
4.2.2 高温反向偏置实验
第58-62页
4.3 本章小结
第62-63页
第五章 结论
第63-64页
致谢
第64-65页
参考文献
第65-67页
攻读硕士期间取得的研究成果
第67-68页
本篇论文共
68
页,
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。
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