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4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计

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4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计
论文目录
 
摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-21页
  1.1 脉冲功率技术第9-10页
  1.2 半导体功率器件第10-12页
  1.3 SiC材料特性第12-13页
  1.4 SiC功率器件第13-19页
  1.5 SiC RSD器件第19页
  1.6 论文主要内容第19-21页
2 4H-SiC RSD二维数值模型第21-32页
  2.1 RSD开通机理第21-22页
  2.2 物理模型分析第22-26页
  2.3 数值模型的基本原理第26-28页
  2.4 TCAD仿真基础第28-31页
  2.5 本章小结第31-32页
3 4H-SiC RSD阻断特性第32-44页
  3.1 功率器件的击穿机理第32-35页
  3.2 4H-SiC RSD阻断结构设计第35-37页
  3.3 正斜角台面建模分析第37-40页
  3.4 台面工艺及实验结果第40-42页
  3.5 本章小结第42-44页
4 4H-SiC RSD开通特性第44-54页
  4.1 4H-SiC RSD开通仿真第44-46页
  4.2 4H-SiC RSD工作过程分析第46-47页
  4.3 4H-SiC与Si RSD预充电荷量对比第47-50页
  4.4 4H-SiC RSD对预充电荷的需求第50-52页
  4.5 本章小结第52-54页
5 4H-SiC RSD的热力学传输模型第54-58页
  5.1 热力学传输模型第54-55页
  5.2 4H-SiC RSD内部温度分布及变化规律第55-57页
  5.3 4H-SiC RSD极限功率仿真第57页
  5.4 本章小结第57-58页
6 结果与展望第58-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-65页
附录 攻读硕士学位期间发表的论文第65页

本篇论文共65页,点击这进入下载页面
 
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