4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计



4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计

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4H-SiC RSD模型研究及台面终端设计

论文目录
摘要	第1-5页
Abstract	第5-9页
1 绪论	第9-21页
1.1 脉冲功率技术	第9-10页
1.2 半导体功率器件	第10-12页
1.3 SiC材料特性	第12-13页
1.4 SiC功率器件	第13-19页
1.5 SiC RSD器件	第19页
1.6 论文主要内容	第19-21页
2 4H-SiC RSD二维数值模型	第21-32页
2.1 RSD开通机理	第21-22页
2.2 物理模型分析	第22-26页
2.3 数值模型的基本原理	第26-28页
2.4 TCAD仿真基础	第28-31页
2.5 本章小结	第31-32页
3 4H-SiC RSD阻断特性	第32-44页
3.1 功率器件的击穿机理	第32-35页
3.2 4H-SiC RSD阻断结构设计	第35-37页
3.3 正斜角台面建模分析	第37-40页
3.4 台面工艺及实验结果	第40-42页
3.5 本章小结	第42-44页
4 4H-SiC RSD开通特性	第44-54页
4.1 4H-SiC RSD开通仿真	第44-46页
4.2 4H-SiC RSD工作过程分析	第46-47页
4.3 4H-SiC与Si RSD预充电荷量对比	第47-50页
4.4 4H-SiC RSD对预充电荷的需求	第50-52页
4.5 本章小结	第52-54页
5 4H-SiC RSD的热力学传输模型	第54-58页
5.1 热力学传输模型	第54-55页
5.2 4H-SiC RSD内部温度分布及变化规律	第55-57页
5.3 4H-SiC RSD极限功率仿真	第57页
5.4 本章小结	第57-58页
6 结果与展望	第58-60页
致谢	第60-61页
参考文献	第61-65页
附录攻读硕士学位期间发表的论文	第65页

本篇论文共65页，点击这进入下载页面。

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