论文目录 | |
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-7页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 薄膜晶体管的研究背景及意义 | 第8-10页 |
| 1.2 薄膜晶体管在显示中的应用 | 第10-12页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容和章节安排 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 薄膜晶体管（TFT）的制备和研究 | 第15-29页 |
| 2.1 TFT的基本结构分类 | 第15-16页 |
| 2.2 TFT的工作原理及重要参数 | 第16-19页 |
| 2.3 TFT的制备方法 | 第19-22页 |
| 2.4 薄膜的表征方法 | 第22-26页 |
| 2.5 源、漏电极制备方法 | 第26页 |
| 2.6 TFT制备原材料列表 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第三章 溶胶凝胶制备高介电常数（κ）材料 | 第29-43页 |
| 3.1 传统介电材料（SiO_2）存在的问题 | 第29-30页 |
| 3.2 高k材料概述 | 第30-32页 |
| 3.3 ZrO_2薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 3.4 ZrO_2薄膜的性能测试 | 第33-35页 |
| 3.5 基于ZrO_2介电层的TFT器件的制备及测试 | 第35-41页 |
| 3.5.1 In_2O_3半导体沟道层以及金属源、漏电极制备 | 第35页 |
| 3.5.2 In_2O_3半导体薄膜的性能测试 | 第35-37页 |
| 3.5.3 ZrO_2高k介电薄膜的性能测试 | 第37-38页 |
| 3.5.4 基于ZrO_2介电层的In_2O_3 TFT器件的性能测试 | 第38-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第四章 环保“水凝胶”工艺制备氧化物薄膜晶体管 | 第43-52页 |
| 4.1 “水凝胶”InZnO TFT器件的制备 | 第43-48页 |
| 4.1.1 前驱体溶液的配制 | 第43页 |
| 4.1.2 InZnO半导体薄膜及金属源、漏电极的制备 | 第43-44页 |
| 4.1.3 InZnO/SiO_2 TFT器件的电学测试 | 第44-46页 |
| 4.1.4 “水凝胶”InZnO在不同退火条件下的X射线光电子能谱分析 | 第46-48页 |
| 4.2 “水凝胶”InZnO/Y_2O_3 TFT器件的制备及电学性能 | 第48-50页 |
| 4.2.1 Y_2O_3高k薄膜的制备及InZnO/ Y_2O_3 TFT器件的构建 | 第48页 |
| 4.2.2 Y_2O_3高k薄膜的性能测试 | 第48-49页 |
| 4.2.3“水凝胶”InZnO/Y_2O_3 TFT器件的性能测试 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 溶胶凝胶法制备p型氧化物薄膜晶体管 | 第52-64页 |
| 5.1 溶液法p型金属氧化物半导体 | 第52-55页 |
| 5.2 溶胶凝胶制备p型NiO TFT器件 | 第55-61页 |
| 5.2.1 NiO薄膜的制备及TFT器件的组建 | 第55页 |
| 5.2.2 NiO薄膜在不同退火温度下的表征分析 | 第55-59页 |
| 5.2.3 溶胶凝胶NiO/SiO_2 TFT器件的电学测试 | 第59-60页 |
| 5.2.4 溶胶凝胶NiO/Al_2O_3 TFT器件的电学测试 | 第60-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第64-66页 |
| 攻读学位期间研究成果 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
