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PZT薄膜类文章91篇，页次：1/1页 【 第一页‖ 上一页 ‖ 下一页 ‖ 最后页】 转到
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| pzt/ag_2o-nps/pzt复合薄膜的光电特性[本文82页] | 基于退极化场驱动的pzt铁电薄膜太阳能[本文50页] | 稀土掺杂pzt压电陶瓷与薄膜材料的制备[本文93页] |
| pzt薄膜材料的生长与应用[本文78页] | 用不同配比度的预烧粉末和陶瓷靶在ag[本文43页] | 外延lsco/pzt/lsco铁电薄膜电容器的结[本文63页] |
| mems器件用pzt薄膜的制备及性能研究[本文69页] | ccto/pzt复合多层薄膜的结构与电性能[本文76页] | lb技术制备pzt及plzt薄膜及电性能研究[本文67页] |
| 掺杂pzt薄膜的制备及微结构与铁电性能[本文150页] | 表面沉积局限面积niti薄膜的pzt材料的[本文57页] | 基于金属/反铁电pzt薄膜/氧化铝/硅结[本文58页] |
| 压电微探针中pzt薄膜与硅尖制备工艺的[本文47页] | pzt薄膜界面“钝化”层电容测试方法的[本文58页] | pzt薄膜热退火工艺的研究及微传感器的[本文61页] |
| pzt薄膜制备、结构与热释电特性测试[本文81页] | 感光性pzt铁电薄膜制备及光敏性机理研[本文71页] | 锶掺杂pzt薄膜的特性与器件研究[本文56页] |
| 溶胶—凝胶法制备pzt薄膜的研究[本文54页] | pt/pzt/pt薄膜微力传感器的研究[本文67页] | 水热合成法制备pzt压电薄膜的研究[本文79页] |
| 基于pzt压电薄膜的微驱动器研究[本文76页] | pzt压电薄膜的改性研究[本文78页] | 基于双压电pzt薄膜单元的悬臂梁式微力[本文136页] |
| pzt薄膜晶化动力学过程研究[本文65页] | pzt热释电薄膜材料的研究[本文83页] | pzt薄膜的铁电性和极化反转特性研究[本文71页] |
| lsco/pzt/lsco集成铁铁薄膜生长长性能[本文58页] | blt/pzt/blt铁电薄膜的溶胶—凝胶制备[本文58页] | blt/pzt/blt铁电薄膜的溶胶-凝胶制备[本文58页] |
| pzt铁电薄膜/lanio_3薄膜周期结构的制[本文49页] | pzt铁电薄膜的磁控溅射低温生长[本文56页] | 界面对pzt铁电薄膜性能的影响[本文70页] |
| pzt薄膜的溶胶凝胶法制备及在mems中的[本文81页] | 铁电存储器用pzt薄膜的制备及性能研究[本文70页] | pzt铁电薄膜的掺杂改性研究[本文60页] |
| ni/pzt磁电复合薄膜的水热法合成与性[本文66页] | pzt薄膜的制备和电性质研究[本文79页] | 高锆钛比pzt薄膜的sol-gel方法制备和[本文45页] |
| pzt铁电薄膜的制备与研究[本文84页] | 用sol-gel法制备pzt铁电薄膜[本文56页] | 外场作用下多畴pzt铁电薄膜相变及印记[本文55页] |
| bnt、pzt铁电薄膜的残余应力[本文73页] | pzt铁电薄膜与algan/gan半导体异质结[本文62页] | 射频磁控溅射法制备pzt薄膜工艺与结构[本文73页] |
| pzt铁电薄膜的制备与性能研究[本文98页] | sol-gel前驱单体法制备pzt铁电薄膜技[本文74页] | 溶胶—凝胶法制备pzt纳米点薄膜研究[本文71页] |
| 单层pzt薄膜和双层pzt薄膜的制备及物[本文73页] | 微光学自适应系统中基于pzt薄膜的微反[本文76页] | 用于fbar的pzt薄膜制备研究[本文74页] |
| pzt薄膜的制备、表征及图形化研究[本文77页] | pzt薄膜的溶胶凝胶法制备及在mems中的[本文81页] | 磁控溅射法制备pzt薄膜研究[本文62页] |
| 多畴pzt铁电薄膜畴变的实验和理论研究[本文64页] | co/co_3o_4/pzt复合薄膜的制备与磁电[本文74页] | 组合化学法制备组成梯度pzt铁电薄膜及[本文68页] |
| pzt/cfo层状电磁薄膜材料制备及其力电[本文67页] | 基于一致取向pzt纳米线/pdms压电复合[本文51页] | pt/pzt多层组合薄膜的制备及电学性能[本文67页] |
| 三元系pzt基铁电薄膜微观机理研究[本文56页] | pzt/ni、bnt铁性薄膜材料的制备及其力[本文66页] | 应用于存储器的pzt铁电薄膜疲劳失效机[本文65页] |
| pzt铁电薄膜电畴结构和演化的飞秒激光[本文73页] | bmt/pzt复合薄膜的制备及性能研究[本文68页] | pzt铁电薄膜的离子束刻蚀工艺与性能损[本文63页] |
| sol-gel法制备pzt薄膜及其性能的研究[本文66页] | 极化电场对pzt铁电薄膜材料光伏效应的[本文65页] | pzt压电薄膜体声波谐振器制备研究[本文77页] |
| pzt基双层压电复合薄膜制备及性能研究[本文145页] | pzt薄膜晶化机理及取向控制研究[本文133页] | pzt薄膜及zno纳米线阵列的制备及其阻[本文122页] |
| pzt铁电薄膜光伏型紫外—近红外探测器[本文73页] | 改性富锆pzt梯度薄膜的储能性能研究[本文75页] | 基于pzt压电薄膜的水声传感器设计及其[本文83页] |
| 锆钛酸铅pzt薄膜制备及氢气退火研究[本文86页] | 掺杂pzt基铁电薄膜的制备及其光伏性能[本文78页] | 用于微执行器的pzt压电薄膜制备与表征[本文76页] |
| 基于pzt薄膜铁电隧穿结的制备与电性能[本文70页] | 压电mems用pzt薄膜的外延生长及掺杂改[本文76页] | pzt及pz/p（vdf-trfe）储能复合薄膜的[本文85页] |
| 自组装外延生长pzt-nfo纳米复合磁电薄[本文66页] | 溶胶-凝胶pzt铁电薄膜在外场作用下的[本文90页] | pzt铁电薄膜的中低温磁控溅射制备及其[本文92页] |
| 基于pzt薄膜的压电超声行波电机设计与[本文76页] | 电喷法打印pzt薄膜及近场电纺丝法制备[本文76页] | pzt-ni磁电复合薄膜的制备及性能研究[本文85页] |
| bmt/pzt异质叠层薄膜的制备及性能研究[本文145页] | nd掺杂pzt基铁电薄膜能量储存与电卡制[本文70页] | pzt薄膜的改性研究及其在微执行器中的[本文79页] |
