MEMS器件用PZT薄膜的制备及性能研究



MEMS器件用PZT薄膜的制备及性能研究

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MEMS器件用PZT薄膜的制备及性能研究

论文目录
第1章绪论	第10-22 页
1．1 MEMS的研究概况	第10-12 页
1．2 PZT薄膜的研究概况	第12-16 页
1．3 Sol-Gel法概述	第16-17 页
1．3．1 Sol-Gel法发展史	第16-17 页
1．3．2 Sol-Gel技术的现状及应用	第17 页
1．4 MEMS与PZT的集成	第17-20 页
1．4．1 概述	第17-19 页
1．4．2 制备PZT薄膜与MEMS集成需要解决的问题	第19-20 页
1．5 本论文研究的目的及主要工作	第20-22 页
1．5．1 目的与意义	第20-21 页
1．5．2 主要工作	第21-22 页
第2章 Sol-Gel法制备PZT粉	第22-37 页
2．1 Sol-Gel技术基本原理	第22-23 页
2．2 PZT粉的制备	第23-36 页
2．2．1 原料的选取	第23-24 页
2．2．2 PZT粉的制备工艺及主要技术参数	第24-36 页
2．3 本章小结	第36-37 页
第3章锆钛酸铅PZT薄膜的制备	第37-52 页
3．1 用溶胶凝胶法制备PZT薄膜的实验设备	第38 页
3．2 薄膜制备的工艺研究	第38-50 页
3．2．1 衬底、底电极、过渡层的选择与制备	第38-41 页
3．2．2 稳定的PZT前驱体溶液的制备	第41-46 页
3．2．3 成膜工艺的改进	第46-50 页
3．3 本章小结	第50-52 页
第4章 PZT薄膜铁电性能的研究	第52-60 页
4．1 电滞回线	第52-55 页
4．1．1 电滞回线原理	第52-53 页
4．1．2 电滞回线的测定原理	第53-54 页
4．1．3 剩余极化强度(Pr)和矫顽场强(Ec)的测定原理	第54-55 页
4．1．4 电滞回线的测量及分析	第55 页
4．2 介电常数	第55-59 页
4．2．1 基本原理	第55-57 页
4．2．2 介电常数的测量与分析	第57-59 页
4．3 本章小结	第59-60 页
结论	第60-62 页
参考文献	第62-67 页
攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果	第67-68 页
致谢	第68-69 页
个人简历	第69页

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