PZT薄膜及ZnO纳米线阵列的制备及其阻变存储性能 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-6页 | | Abstract | 第6-13页 | | 第1章 绪论 | 第13-36页 | | 1.1 导言 | 第13页 | | 1.2 新型存储技术简介 | 第13-27页 | | 1.2.1 相变存储器 | 第13-14页 | | 1.2.2 磁阻式存储器 | 第14-15页 | | 1.2.3 铁电存储器 | 第15-19页 | | 1.2.4 阻变存储器 | 第19-27页 | | 1.3 薄膜的主要沉积方式 | 第27-30页 | | 1.3.1 磁控溅射法 | 第27-28页 | | 1.3.2 金属有机化学气相沉积 | 第28页 | | 1.3.3 脉冲激光沉积法 | 第28-29页 | | 1.3.4 溶胶凝胶法 | 第29-30页 | | 1.4 氧化锌纳米线的沉积方式及阻变研究 | 第30-33页 | | 1.4.1 水热法 | 第30-31页 | | 1.4.2 化学气相沉积 | 第31-33页 | | 1.4.3 氧化锌基阻变特性研究 | 第33页 | | 1.5 目前相关研究的不足之处 | 第33-34页 | | 1.6 本文主要研究内容 | 第34-36页 | | 第2章 材料与实验方法 | 第36-49页 | | 2.1 制备PZT薄膜所需材料及制备参数 | 第36-37页 | | 2.2 制备ZnO样品所需材料 | 第37-38页 | | 2.3 研究分析方法 | 第38-49页 | | 2.3.1 样品晶体结构与形貌测试方法 | 第38-41页 | | 2.3.2 铁电性能测试系统 | 第41-42页 | | 2.3.3 电学测试系统 | 第42-43页 | | 2.3.4 导电机理模型 | 第43-48页 | | 2.3.5 实验装备汇总 | 第48-49页 | | 第3章 PZT薄膜的基本特性及其阻变性能 | 第49-68页 | | 3.1 导言 | 第49页 | | 3.2 PZT薄膜的微结构 | 第49-52页 | | 3.2.1 PZT的晶体结构和厚度 | 第49-50页 | | 3.2.2 表面粗糙度和铁电畴分析 | 第50-52页 | | 3.3 样品电学性能测试 | 第52-58页 | | 3.3.1 顶电极的沉积 | 第52-53页 | | 3.3.2 铁电性能 | 第53-55页 | | 3.3.3 介电性能及伏安曲线的测量 | 第55-58页 | | 3.4 预极化处理后的J－V特性 | 第58-60页 | | 3.5 PZT基铁电电容器的瞬时电流 | 第60-64页 | | 3.6 可翻转二极管的物理机理 | 第64-66页 | | 3.7 本章小结 | 第66-68页 | | 第4章 剩余极化及温度对PZT基阻变特性的影响 | 第68-85页 | | 4.1 导言 | 第68页 | | 4.2 剩余极化强度对PZT基阻变特性的影响 | 第68-72页 | | 4.3 温度对PZT基阻变特性的影响 | 第72-74页 | | 4.3.1 P－V曲线的温度依赖性研究 | 第72-73页 | | 4.3.2 温度对PZT基阻变特性的调控 | 第73-74页 | | 4.4 PZT基阻变存储器中导电机理分析 | 第74-84页 | | 4.4.1 室温剩余极化作用后导电分析 | 第74-77页 | | 4.4.2 不同温度下的导电机理 | 第77-84页 | | 4.5 本章小结 | 第84-85页 | | 第5章 ZnO纳米线的沉积及其电阻回滞 | 第85-103页 | | 5.1 引言 | 第85页 | | 5.2 氧化锌纳米线阵列的制备工艺 | 第85-91页 | | 5.2.1 溶胶凝胶法制备氧化锌薄膜种子层 | 第86-88页 | | 5.2.2 水热法制备氧化锌单晶纳米棒催化层 | 第88-89页 | | 5.2.3 化学气相沉积法制备氧化锌纳米线 | 第89-91页 | | 5.3 纳米线基本物性分析 | 第91-98页 | | 5.3.1 X射线衍射分析 | 第91-92页 | | 5.3.2 扫描电子显微镜分析 | 第92-95页 | | 5.3.3 氧空位含量的定性测量 | 第95-98页 | | 5.4 Si/ZnO/Ag结构电阻回滞性能测试 | 第98-102页 | | 5.5 本章小结 | 第102-103页 | | 结论 | 第103-105页 | | 参考文献 | 第105-119页 | | 攻读学位期间发表的学术论文 | 第119-121页 | | 致谢 | 第121-122页 | | 个人简历 | 第122页 |
|
|
|
| |
