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激光脉冲沉积类文章270篇，页次：1/1页 【 第一页‖ 上一页 ‖ 下一页 ‖ 最后页】 转到
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| gd2o3高k栅介[本文56页] | 镍光子晶体制备及其性能研究[本文78页] | 半导体氧化铁薄膜的制备、表征及光伏[本文83页] |
| pld低温制备富硅sio2薄膜[本文75页] | ca、sr掺杂batio_3薄膜及陶瓷铁电材料[本文49页] | xecl激光器的改进及pld中光学实时探测[本文83页] |
| bifeo_3多铁薄膜与gan基半导体的集成[本文71页] | na掺杂p型zno：na_x薄膜的制备与性能[本文71页] | 阻变式存储器性质的研究[本文62页] |
| bifeo_3薄膜的电致阻变效应研究[本文70页] | 基于yba_2cu_3o_7导电氧化物电极的阻[本文57页] | zno基材料的择优取向生长及异质结界面[本文78页] |
| cuin_(0.75)ga_(0.25)（se_(1-y)，s_[本文39页] | zno纳米棒材料的制备及光伏特性研究[本文56页] | 激光脉冲沉积方法制备钙钛矿型铁电氧[本文47页] |
| 钛酸钡薄膜的阻变开关现象和负微分电[本文71页] | 几种钙钛矿结构氧化物薄膜/超晶格的生[本文114页] | zno基tft器件制备工艺和结构优化的研[本文93页] |
| cu_2sns_3薄膜太阳能电池的制备与性能[本文77页] | 钇铁石榴石材料磁近邻效应的第一性原[本文118页] | ruo_2和vo_2薄膜的外延生长及特性研究[本文84页] |
| ain应力层调控激光脉冲沉积法生长vo_[本文62页] | pld生长yig薄膜和3d吸波结构[本文43页] | 脉冲激光沉积法制备smco薄膜及其性能[本文76页] |
| bi_4ti_3o_(12)/zno系异质复合薄膜的[本文125页] | tc4合金表面脉冲激光沉积羟基磷灰石的[本文73页] | 脉冲激光沉积法生长掺杂zno基薄膜及其[本文139页] |
| 脉冲激光沉积类金刚石薄膜过程中工艺[本文86页] | 脉冲激光沉积方法制备太阳电池材料硫[本文64页] | 脉冲激光沉积法制备类金刚石薄膜的研[本文53页] |
| 脉冲激光沉积法制备羟基磷灰石薄膜的[本文49页] | 脉冲激光沉积法制备高质量zno薄膜及其[本文63页] | 脉冲激光沉积制备氧化锌纳米棒及其性[本文78页] |
| pr1-xcaxba[本文69页] | 纳米碳化硅的脉冲激光烧蚀沉积及其光[本文49页] | 脉冲激光沉积氮化碳薄膜及其生长机理[本文62页] |
| 脉冲激光沉积制备zno薄膜及发光特性研[本文72页] | zns荧光薄膜的脉冲激光沉积及其特性研[本文81页] | zno荧光薄膜的脉冲激光沉积[本文52页] |
| 用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长linb[本文55页] | 脉冲激光沉积制备zno薄膜的研究[本文78页] | 基于ecr等离子体辅助脉冲激光沉积的氧[本文57页] |
| ecr等离子体辅助脉冲激光沉积薄膜的若[本文54页] | bcn薄膜的脉冲激光沉积与成分控制[本文84页] | bi3.6ho0.4ti[本文71页] |
| 新型bati2o5薄[本文78页] | 脉冲激光沉积法制备硫系玻璃薄膜的结[本文127页] | 脉冲激光沉积钛膜的工艺与机理的研究[本文55页] |
| cacu3ti4o[本文81页] | 脉冲激光沉积zno薄膜的工艺及其性能的[本文59页] | 用脉冲激光沉积法在硅衬底上生长iro<[本文61页] |
| 氧化铱薄膜的脉冲激光沉积、结构控制[本文122页] | 脉冲激光沉积法制备ca3co[本文75页] | p型zno薄膜的脉冲激光沉积法制备及其[本文103页] |
| 脉冲激光沉积氧化锌及其相关多层膜的[本文103页] | 脉冲激光沉积工艺对cigs薄膜成分和微[本文34页] | 用脉冲激光沉积制备srtio3[本文119页] |
| 脉冲激光沉积制备srtio3薄[本文53页] | 脉冲激光沉积铜氧化物薄膜及其非线性[本文71页] | 脉冲激光沉积zno薄膜及其性质研究[本文110页] |
| 脉冲激光沉积制备zno薄膜及其掺杂研究[本文75页] | 脉冲激光沉积制备zno薄膜及其结构和发[本文62页] | 脉冲激光沉积制备ybco薄膜：激光诱生[本文62页] |
| 脉冲激光沉积cdo和zno基薄膜及其光电[本文120页] | 脉冲激光沉积法制备铟掺杂氧化镉薄膜[本文64页] | 脉冲激光沉积pr~(3+)掺杂srtio_3和ca[本文76页] |
| 飞秒脉冲激光沉积大面积类金刚石薄膜[本文50页] | 脉冲激光沉积bifeo_3铁电薄膜及其特性[本文54页] | 脉冲激光沉积过程中的一个新的综合模[本文52页] |
| 纳秒脉冲激光沉积中等离子体膨胀动力[本文47页] | 脉冲激光沉积法制备β-fesi_2半导体薄[本文135页] | 脉冲激光沉积技术中等离子体演化及薄[本文109页] |
| 脉冲激光沉积氧化锌薄膜的组织结构与[本文86页] | 脉冲激光沉积pb_（0.5）sr_（0.5）ti[本文58页] | 脉冲激光沉积纳米氧化钛薄膜及其光催[本文143页] |
| 脉冲激光法沉积镧掺杂钛酸铅薄膜及钛[本文57页] | 脉冲激光沉积（pld）法制备nizn铁氧体[本文54页] | 脉冲激光沉积法制备纳米氧化钛薄膜[本文82页] |
| 脉冲激光沉积法制备铝掺杂氧化锌薄膜[本文116页] | 喷射rf射频等离子体增强脉冲激光沉积[本文183页] | 脉冲激光沉积（pld）制备β-fesi_2薄[本文75页] |
| zno基薄膜及多量子阱结构的脉冲激光沉[本文91页] | 脉冲激光沉积法制备大面积bi_(3.15)n[本文61页] | 脉冲激光沉积方法制备znmgo合金[本文36页] |
| 脉冲激光沉积gan薄膜研究[本文68页] | 脉冲激光沉积（pld）碲镉汞（hgcdte）[本文129页] | 用脉冲激光沉积工艺在不同衬底上生长[本文56页] |
| 脉冲激光沉积制备zno薄膜及其光电性质[本文124页] | 脉冲激光沉积钙钛矿铁电薄膜的动力学[本文62页] | 脉冲激光沉积法生长硅基zno及特性研究[本文79页] |
| 脉冲激光沉积（pld）半导体材料结构特[本文73页] | 脉冲激光沉积法制备纳米功能薄膜的形[本文83页] | 常温下脉冲激光沉积立方氮化硼薄膜和[本文84页] |
| 硅酸镓镧光波导的脉冲激光沉积与离子[本文157页] | 用脉冲激光沉积法制备半导体薄膜及性[本文76页] | 脉冲激光沉积法制备cmr薄膜及其特性研[本文88页] |
| 脉冲激光沉积羟基磷灰石/生物玻璃复合[本文165页] | 脉冲激光沉积硅基发光薄膜及其特性研[本文53页] | 钛合金表面脉冲激光沉积生物玻璃薄膜[本文147页] |
| 脉冲激光沉积法制备zns薄膜及其性质的[本文50页] | 脉冲激光沉积制备aln薄膜的研究[本文49页] | 镧锶钴氧薄膜的脉冲激光沉积法制备及[本文99页] |
| sto/ybco集成薄膜的脉冲激光沉积及性[本文71页] | 脉冲激光沉积制备fe-n薄膜[本文67页] | (ba,sr)tio_3薄膜和(ba,sr)tio_3/yba[本文101页] |
| 脉冲激光沉积法制备fes_2薄膜的性能以[本文135页] | 脉冲激光沉积法制备coo和co_3o_4薄膜[本文87页] | 脉冲激光沉积法制备硅基linbo_3薄膜及[本文122页] |
| 脉冲激光沉积制备高取向aln薄膜的研究[本文66页] | pld（脉冲激光沉积法）制备zno基稀磁[本文74页] | 脉冲激光沉积法制备pd（pt）负载催化[本文88页] |
| 脉冲激光液相沉积制tio_2纳米薄膜及其[本文66页] | 脉冲激光沉积法制备硅基掺mn硅酸锌薄[本文70页] | 脉冲激光沉积法生长znmgo/zno多层结构[本文78页] |
| 垂直靶向脉冲激光沉积纳米薄膜[本文64页] | 脉冲激光沉积法生长znmgo合金薄膜和l[本文134页] | 脉冲激光沉积法制备zno薄膜及其光学性[本文67页] |
| 脉冲激光沉积后硒化法制备cigs薄膜[本文39页] | 脉冲激光沉积法制备zno:al透明导电薄[本文52页] | 氧化锡锑（ato）透明导电薄膜的脉冲激[本文82页] |
| 脉冲激光沉积制备不同择优取向的aln薄[本文69页] | 脉冲激光沉积含氟羟基磷灰石薄膜及其[本文74页] | 脉冲激光沉积制备氧化物薄膜及其光电[本文71页] |
| 脉冲激光沉积法制备的zno薄膜的电抽运[本文90页] | 脉冲激光沉积制备层状钴氧化物薄膜及[本文51页] | 脉冲激光沉积法制备czts薄膜和zno薄膜[本文75页] |
| 脉冲激光沉积法制备铜锌锡硫（cu_2zn[本文54页] | 脉冲激光沉积gan薄膜及zno缓冲层的影[本文65页] | 脉冲激光沉积氮化硅薄膜的工艺研究[本文56页] |
| 直流偏压辅助脉冲激光沉积cn_x薄膜的[本文73页] | pt基bifeo_3铁电磁薄膜的脉冲激光沉积[本文75页] | 脉冲激光烧蚀沉积纳米si晶粒空间分布[本文54页] |
| 脉冲激光沉积羟基磷灰石薄膜微观组织[本文126页] | 脉冲激光沉积法制备钽掺杂二氧化钛薄[本文55页] | 脉冲激光沉积法制备氟镓共掺氧化锌透[本文46页] |
| 脉冲激光沉积法制备biino_3-pbtio_3高[本文65页] | 脉冲激光沉积法制备mg_xzn_(1-x)o_(1[本文89页] | 脉冲激光沉积法制备nio纳米复合薄膜及[本文79页] |
| 脉冲激光沉积制备半导体薄膜材料及其[本文137页] | 锑碲基相变材料的脉冲激光沉积法制备[本文72页] | 脉冲激光气相沉积法制备锆薄膜及性能[本文86页] |
| 基于脉冲激光沉积敏感膜的光纤f-p氢气[本文63页] | 脉冲激光沉积制备一维金属氧化物纳米[本文147页] | 脉冲激光沉积富锂正极薄膜试验研究[本文106页] |
| 脉冲激光沉积铜锌锡硫（czts）薄膜及[本文69页] | 脉冲激光沉积法制备类金刚石薄膜及其[本文52页] | cu_2o薄膜的脉冲激光沉积技术研究[本文81页] |
| 工艺参数对脉冲激光沉积类金刚石膜的[本文59页] | 脉冲激光沉积铜铟镓硒（cigs）光滑薄[本文64页] | 脉冲激光沉积法制备钛酸锶钡复合物薄[本文83页] |
| 脉冲激光沉积法制备basn_(0.15)ti_(0[本文87页] | 脉冲激光沉积法制备非极性面znos薄膜[本文71页] | 脉冲激光沉积法制备sno外延薄膜及其性[本文79页] |
| 硼碳氮薄膜的脉冲激光沉积、键结构演[本文82页] | 脉冲激光沉积法制备钛酸锶钡薄膜及性[本文61页] | 脉冲激光沉积法制备取向性钇钡铜氧薄[本文66页] |
| 脉冲激光沉积法制备vo_2外延薄膜及其[本文83页] | bazr_(0.2)ti_(0.8)o_3和basn_(0.15)[本文85页] | 脉冲激光沉积/化学气相沉积法制备过渡[本文61页] |
| 脉冲激光沉积辅助制备wp_2纳米片及其[本文83页] | 脉沖激光沉积法制备fega薄膜与其磁性[本文59页] | 脉冲激光沉积技术制备的高温超导体薄[本文137页] |
| 脉冲激光沉积制备zno基量子阱及其光学[本文112页] | 脉冲激光沉积法外延生长大面积aln单晶[本文146页] | 递进式脉冲激光沉积cn_x薄膜的组织结[本文75页] |
| 脉冲激光沉积ha生物复合薄膜的组织结[本文80页] | 脉冲激光沉积制备氧化钛薄膜及其阻变[本文70页] | 脉冲激光沉积多层铁石榴石磁光薄膜微[本文103页] |
| 脉冲激光沉积制备铌金属超导薄膜的研[本文64页] | la_(1-x)sr_xcro_3薄膜脉冲激光沉积制[本文75页] | 脉冲激光沉积制备c轴取向bicuseo薄膜[本文66页] |
| 紫外脉冲激光沉积技术制备la_(1-x)ca[本文93页] | 激光脉冲沉积复合制备仿生耦合结构建[本文65页] | azo基导电陶瓷的场助烧结及其薄膜的脉[本文132页] |
| 脉冲激光沉积n-n+srtio_3/si(001)异质[本文82页] | 脉冲激光沉积法制备氮掺杂的znos薄膜[本文77页] | 基于脉冲激光的inconel718粉末分层沉[本文87页] |
| la_(0.9)sr_(0.1)mno_3薄膜的脉冲激光[本文77页] | 脉冲激光沉积技术在有机钙钛矿太阳能[本文60页] | 脉冲激光沉积多晶锗薄膜的研究[本文76页] |
| 基于激光脉冲沉积（pld）法制备的二维[本文53页] | 基于脉冲激光送丝沉积的增减材复合加[本文166页] | 脉冲激光沉积法制备氧化亚铜薄膜的性[本文72页] |
| 脉冲激光沉积法制备非贵金属催化剂及[本文76页] | pld制备ingazno薄膜及其物理性质研究[本文115页] | 离子注入单晶zno，tio_2基改性和li_([本文86页] |
| 太阳能电池窗口层纳米硅薄膜的制备及[本文70页] | 稀土掺杂硫系薄膜的制备及其发光性能[本文57页] | ag掺杂zno薄膜的相组成和光学性质[本文56页] |
| zncdo薄膜的制备及性能研究[本文62页] | n掺杂zno薄膜的结构与光电性能[本文55页] | zno及其掺杂薄膜结构与性质研究[本文90页] |
| zno基稀磁半导体薄膜材料的pld制备及[本文144页] | 稀土掺杂pzt压电陶瓷与薄膜材料的制备[本文93页] | ag掺杂lbmo材料制备及liv效应研究[本文72页] |
| 非极性/半极性zno基薄膜和结构的制备[本文101页] | ba（fe_(1/2)nb_(1/2)）o_3基薄膜的p[本文133页] | zno基半导体p型、稀磁掺杂研究与纳米[本文211页] |
| 钙钛矿氧化物薄膜的电学及光学非线性[本文118页] | 硅基二氧化铈薄膜的脉冲激光制备及性[本文57页] | 铪基及稀土高k薄膜在si、ge及inp上外[本文117页] |
| 激光沉积法制备srtio_3铁电薄膜及其性[本文59页] | pld和mocvd方法生长的zno薄膜结构及发[本文77页] | pld制备zno薄膜及非晶纳米棒的结构与[本文67页] |
| 生物陶瓷材料羟基磷灰石的生物相容性[本文53页] | 氧化锌（zno）薄膜的制备及其性质的研[本文53页] | zno基稀磁半导体的x射线吸收谱学研究[本文67页] |
| 铪基高k栅介质薄膜和白色长余辉材料c[本文127页] | 激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体[本文57页] | 铜铟镓硒薄膜太阳能电池关键材料与原[本文125页] |
| 有机薄膜的介质辅助脉冲激光蒸发及其[本文167页] | 全固态薄膜锂离子电池新型电极材料的[本文116页] | 高温超导薄膜的制备及相关特性的研究[本文60页] |
| 高温超导平面约瑟夫森器件的制备和性[本文58页] | 高度有序的tio2/fto多孔纳[本文51页] | 微波可调谐电容器材料的c-v特性研究[本文78页] |
| 抗凝血纳米功能薄膜材料的研制及抗凝[本文151页] | zno基稀磁半导体薄膜制备及铁磁特性研[本文55页] | 晶态氮化碳薄膜沉积及其生长机理研究[本文105页] |
| batio3/la0.67[本文52页] | 金刚石基linbo3压电薄膜的[本文65页] | 硅基linbo3压电薄膜多层结[本文71页] |
| 纳米晶硅及掺饵纳米晶硅发光特性的研[本文54页] | zno荧光薄膜的制备与硫化研究[本文64页] | pr0.7sr0.3mn[本文55页] |
| 钙钛矿结构金属氧化物薄膜的室温可逆[本文119页] | 稀土掺杂bi3tinbo9<[本文128页] | p型透明导电氧化物cualo2的掺杂研究[本文63页] |
| pbmg1/3nb2/3[本文136页] | 基于二氧化铪的高介电常数薄膜的制备[本文79页] | 铁电sbn60薄膜的制备及性能研究[本文98页] |
| 硅基铌酸锂薄膜的pld生长及其性能研究[本文78页] | 歧南凹陷沙河街组水道砂体储集性能差[本文116页] | zno纳米晶薄膜的结构、发光和掺杂[本文64页] |
| znse纳米线的制备、表征和性质研究及[本文62页] | 用于锂离子电池的新型负极材料研究[本文71页] | 无定形氧化硅的相分离和纳晶硅镶嵌二[本文64页] |
| 掺杂zno薄膜的生长及其储锂性能研究[本文76页] | 氧化锌纳米棒的制备和表征[本文59页] | 新型固态薄膜电池及性能研究[本文125页] |
| iv b族金属氧化物hfo2和z[本文62页] | zno薄膜和p掺杂zno薄膜的制备与表征[本文54页] | 等离子体浸没注入技术对半导体材料的[本文74页] |
| zno薄膜的水溶液法制备及li~+、柠檬酸[本文66页] | 脉冲激光烧蚀等离子体和ecr放电等离子[本文79页] | 碳氮纳米锥阵列和p型氧化锌的制备研究[本文53页] |
| 金属磷化物的锂电化学[本文67页] | 纳晶硅镶嵌二氧化硅薄膜及其发光性质[本文60页] | 纳米薄膜作为锂离子电池电极材料的性[本文164页] |
| gan及gan基薄膜的制备、表征和特性研[本文56页] | 本征及掺杂氧化锌的制备和光电性质研[本文116页] | 3d过渡金属掺杂in2o[本文126页] |
| 一种新型可折叠场致发射阴极制备工艺[本文63页] | 新型pmn-pt透明电光陶瓷及其薄膜研究[本文65页] | p型cualo2多晶靶材及薄膜[本文66页] |
| 掺铁sno2陶瓷与薄膜的制备[本文83页] | 钛酸锶钡铁电陶瓷的电性能研究及其薄[本文72页] | ca-co-o体系氧化物热电材料的制备与性[本文83页] |
| bi系co基氧化物热电陶瓷及薄膜的制备[本文74页] | 钙钛矿型氧化物薄膜的激光感生热电电[本文161页] | lsco薄膜的制备工艺与其湿度敏感性能[本文72页] |
| 脉冲激光制备纳米氧化钛薄膜及其光电[本文66页] | 脉冲激光制备硅基纳米复合材料及其光[本文53页] | 镍钛合金生物活性涂层制备及界面强化[本文74页] |
| zn1-xcoxo和t[本文86页] | 氧化锌纳米结构与薄膜的制备及光学特[本文54页] | 氧化物超导/铁磁异质结的近邻效应和涡[本文151页] |
| 氧化物超导准多层的磁通钉扎和超导/铁[本文111页] | 镱铒体系上转换发光研究与光子晶体频[本文83页] | pld法制备zno薄膜及其特性研究[本文45页] |
