论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7页 |
| abstract | 第7-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 引言 | 第12-13页 |
| 1.2 热电效应理论及器件 | 第13-16页 |
| 1.2.1 塞贝克效应 | 第13-14页 |
| 1.2.2 珀尔帖效应 | 第14-15页 |
| 1.2.3 汤姆逊效应 | 第15页 |
| 1.2.4 热电器件工作原理 | 第15-16页 |
| 1.3 热电性能 | 第16-19页 |
| 1.3.1 热电转换效率 | 第16-17页 |
| 1.3.2 影响热电性能的物理参数 | 第17-19页 |
| 1.4 提高热电性能的方法 | 第19-20页 |
| 1.4.1 优化材料的载流子浓度 | 第19-20页 |
| 1.4.2 降低材料的热导率 | 第20页 |
| 1.5 BiCuSeO材料的研究进展 | 第20-21页 |
| 1.6 本论文的研究目的及意义 | 第21-23页 |
| 第2章 样品的制备、表征及性能测试 | 第23-30页 |
| 2.1 脉冲激光沉积技术 | 第23-24页 |
| 2.2 靶材的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.1 实验原料及仪器 | 第24-25页 |
| 2.2.2 靶材烧结流程 | 第25页 |
| 2.3 材料的结构表征 | 第25-27页 |
| 2.3.1 晶体结构测试(X射线衍射) | 第25-26页 |
| 2.3.2 表面形貌测(试扫描电子显微镜SEM) | 第26页 |
| 2.3.3 微结构测试(透射电子显微镜TEM) | 第26-27页 |
| 2.4 性能测试 | 第27-29页 |
| 2.4.1 塞贝克系数的测量 | 第27-28页 |
| 2.4.2 电阻率的测量 | 第28-29页 |
| 2.4.3 霍尔测试 | 第29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第3章 BiCuSeO单晶薄膜及热电性能 | 第30-41页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 沉积温度对样品的影响 | 第30-34页 |
| 3.2.1 单晶薄膜样品的制备及测试 | 第30-31页 |
| 3.2.2 沉积温度对薄膜晶体结构的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.3 沉积温度对薄膜表面形貌的影响 | 第33-34页 |
| 3.3 单晶衬底对样品的影响 | 第34-37页 |
| 3.3.1 样品的制备 | 第34-35页 |
| 3.3.2 单晶衬底对薄膜晶体结构的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.3 单晶衬底对薄膜表面形貌的影响 | 第37页 |
| 3.4 在SrTiO3(001)单晶基片上制备的薄膜的热电性能 | 第37-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 二价元素掺杂对BiCuSeO单晶薄膜热电性能的影响 | 第41-50页 |
| 4.1 引言 | 第41页 |
| 4.2 Bi1-xCaxCuSeO薄膜与Bi1-xPbxCuSeO薄膜的制备 | 第41-42页 |
| 4.3 薄膜的晶体结构和微观形貌分析 | 第42-45页 |
| 4.3.1 晶体结构 | 第42-43页 |
| 4.3.2 表面形貌 | 第43-44页 |
| 4.3.3 微观形貌 | 第44-45页 |
| 4.4 Ca、Pb掺杂的BiCuSeO薄的热电性能 | 第45-49页 |
| 4.4.1 电阻率 | 第45-47页 |
| 4.4.2 塞贝克系数 | 第47-48页 |
| 4.4.3 功率因子 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第5章 BiCuSeO薄膜在非晶衬底上的制备及其热电性能的研究 | 第50-57页 |
| 5.1 引言 | 第50页 |
| 5.2 样品的制备 | 第50-51页 |
| 5.3 样品的晶体结构和微观形貌分析 | 第51-53页 |
| 5.3.1 晶体结构 | 第51页 |
| 5.3.2 表面形貌 | 第51-52页 |
| 5.3.3 微观结构 | 第52-53页 |
| 5.4 玻璃衬底上生长的BiCuSeO薄膜的热电性能 | 第53-56页 |
| 5.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 结束语 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 攻读硕士研究生期间发表的学术论文和专利 | 第66页 |
