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脉冲激光沉积硅基发光薄膜及其特性研究
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脉冲激光沉积硅基发光薄膜及其特性研究
论文目录
 
摘要第1-6 页
Abstract第6-7 页
第一章 绪论第7-14 页
　　1．1 硅基发光材料研究的背景及其必要性第7-8 页
　　1．2 硅基发光材料研究进展第8-13 页
　　　　1．2．1 早期的硅基发光研究第8 页
　　　　1．2．2 多孔硅发光第8-9 页
　　　　1．2．3 纳米硅发光及其制备方法第9-11 页
　　　　1．2．4 硅发光机理第11-13 页
　　1．3 本论文主要工作第13-14 页
第二章 脉冲激光沉积法制备薄膜原理与装置第14-18 页
　　2．1 脉冲激光沉积法的原理第14-15 页
　　2．2 PLD方法制备薄膜的优点第15 页
　　2．3 PLD工艺参数对薄膜质量的影响第15-16 页
　　2．4 实验装置第16-18 页
　　　　2．4．1 实验装置图第16-17 页
　　　　2．4．2 装置的特点第17-18 页
第三章 薄膜的表征方法第18-20 页
　　3．1 原子力显微镜(AFM)第18 页
　　3．2 X射线衍射(XRD)第18 页
　　3．3 激光拉曼光谱(RANMAN )第18-19 页
　　3．4 光致荧光光谱第19 页
　　3．5 测试仪器第19-20 页
第四章 硅基富硅二氧化硅薄膜的制备与表征第20-37 页
　　4．1 样品的制备第20-21 页
　　4．2 XRD结果分析第21-22 页
　　4．3 AFM测试结果第22-24 页
　　4．4 RAMAN光谱分析第24 页
　　4．5 荧光光谱分析第24-32 页
　　　　4．5．1 样品的荧光光谱第24-28 页
　　　　4．5．2 退火温度对发光特性的影响第28-29 页
　　　　4．5．3 沉积时间对发光特性的影响第29-30 页
　　　　4．5．4 工作气压对发光特性的影响第30-32 页
　　　　4．5．5 工作气氛对发光特性的影响第32 页
　　4．6 样品成分分析第32 页
　　4．7 发光机理初步分析第32-36 页
　　　　4．7．1 红光的发光机理第33-35 页
　　　　4．7．2 蓝光(450nm-500nm)的发光机理第35-36 页
　　　　4．7．3 紫外光(325nm、350nm)的发光机理第36 页
　　4．8 结论第36-37 页
第五章 Si/SiO_2多层结构薄膜的制备与表征第37-48 页
　　5．1 样品的制备第37-38 页
　　5．2 晶相分析第38 页
　　5．3 表面形貌分析第38-40 页
　　5．4 荧光光谱测试结果第40-45 页
　　　　5．4．1 样品的荧光光谱第40-42 页
　　　　5．4．2 退火温度对发光特性的影响第42-43 页
　　　　5．4．3 层数对发光特性的影响第43-44 页
　　　　5．4．4 不同工作气压对发光特性的影响第44-45 页
　　5．5 发光机理初步分析第45-46 页
　　　　5．5．1 蓝光波段(450nm-490nm)的发光机理第45 页
　　　　5．5．2 紫外光(325nm，350nm)波段的发光机理第45 页
　　　　5．5．3 红光波段的发光机理第45-46 页
　　5．6 结论第46-48 页
第六章 结论第48-49 页
参考文献第49-53 页
致谢第53 页

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