论文目录 | |
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-41页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 纳米间隙 | 第12-17页 |
1.2.1 纳米间隙的概念及由来 | 第12-15页 |
1.2.2 电子发射公式 | 第15-16页 |
1.2.3 平均自由程 | 第16页 |
1.2.4 发射极材料和形貌 | 第16-17页 |
1.3 纳米间隙制备工艺 | 第17-25页 |
1.3.1 电子束光刻(electron beam lithography,EBL) | 第18-20页 |
1.3.2 聚焦离子束刻蚀(focus ion beam,FIB) | 第20-22页 |
1.3.3 机械断裂法(mechanical break junctions) | 第22-23页 |
1.3.4 电子迁移法(Electromigration) | 第23-24页 |
1.3.5 电化学沉积(Electrochemical Deposition) | 第24-25页 |
1.4 纳米间隙晶体管的结构分类 | 第25-32页 |
1.4.1 平面型纳米间隙结构 | 第26-29页 |
1.4.2 垂直型纳米间隙结构 | 第29-32页 |
1.5 纳米间隙器件结构的应用 | 第32-38页 |
1.5.1 纳米间隙结构在太赫兹技术中的应用 | 第32-34页 |
1.5.2 纳米间隙结构在高速存储器中的应用 | 第34-35页 |
1.5.3 纳米间隙结构在生物分子检测中的应用 | 第35-37页 |
1.5.4 纳米间隙结构在极端环境(高温、辐射)中的应用 | 第37-38页 |
1.6 本论文的研究目的与基本内容 | 第38-41页 |
第二章 金真空纳米间隙阵列的制备和电子发射特性研究 | 第41-55页 |
2.1 引言 | 第41-42页 |
2.2 金真空纳米间隙阵列制备及工艺 | 第42-45页 |
2.3 金真空纳米间隙阵列表征 | 第45-47页 |
2.4 金真空纳米间隙阵列的场发射性能测试 | 第47-51页 |
2.5 理论分析 | 第51-53页 |
2.6 本章小结 | 第53-55页 |
第三章 侧栅极纳米间隙结构制备和频率特性研究 | 第55-68页 |
3.1 引言 | 第55-56页 |
3.2 器件制备和表征 | 第56-58页 |
3.3 电学性能测试 | 第58-61页 |
3.4 纳米间隙结构设计和频响特性模拟研究 | 第61-67页 |
3.4.1 纳米间隙结构电磁仿真基础 | 第61-62页 |
3.4.2 理论推导 | 第62-64页 |
3.4.3 频响特性模拟计算 | 第64-67页 |
3.5 本章小结 | 第67-68页 |
第四章 石墨烯原位场致电子发射特性研究 | 第68-87页 |
4.1 引言 | 第68-69页 |
4.2 悬空石墨烯和叉指电极复合结构 | 第69-79页 |
4.2.1 湿法转移悬空石墨烯 | 第69-71页 |
4.2.2 样品表征 | 第71-73页 |
4.2.3 原位场发射特性研究 | 第73-79页 |
4.3 金纳米颗粒修饰的石墨烯薄膜 | 第79-86页 |
4.3.1 金纳米颗粒修饰的石墨烯薄膜制备 | 第79-80页 |
4.3.2 金纳米颗粒-石墨烯复合纳米结构的表征 | 第80-82页 |
4.3.3 原位场发射特性研究和讨论 | 第82-86页 |
4.4 本章小结 | 第86-87页 |
第五章 基于石墨烯的纳米间隙沟道晶体管 | 第87-109页 |
5.1 引言 | 第87-88页 |
5.2 石墨烯的电子结构与输运特性 | 第88-90页 |
5.3 石墨烯的制备与转移 | 第90-94页 |
5.4 垂直型石墨烯纳米间隙沟道器件 | 第94-103页 |
5.4.1 基于石墨烯的纳米间隙隧穿晶体管的结构与原理 | 第94-96页 |
5.4.2 垂直型石墨烯异质结晶体管的制备和工艺优化 | 第96-101页 |
5.4.3 垂直型石墨烯异质结晶体管的性能测试和讨论 | 第101-103页 |
5.5 平面型石墨烯纳米间隙沟道器件 | 第103-107页 |
5.6 本章小结 | 第107-109页 |
第六章 总结和展望 | 第109-114页 |
6.1 总结 | 第109-112页 |
6.2 展望 | 第112-114页 |
参考文献 | 第114-126页 |
致谢 | 第126-127页 |
作者简介 | 第127-128页 |