论文目录 | |
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 液晶简史和中国TFT-LCD发展历程 | 第12-15页 |
| 1.2.1 液晶简史 | 第12-13页 |
| 1.2.2 世界TFT-LC液晶面板发展简表 | 第13-14页 |
| 1.2.3 高世代面板线产品主要特点(>G8.5) | 第14-15页 |
| 1.3 TFT-LCD市场状况和发展趋势 | 第15-18页 |
| 1.3.1 TFT-LC市场状况及趋势 | 第15-16页 |
| 1.3.2 TFT-LCD各个面板供应商技术特点 | 第16-17页 |
| 1.3.3 基于高世代TFT-LCD产品特点及制程工艺要求 | 第17-18页 |
| 1.4 本论文的工作 | 第18-20页 |
| 第二章 薄膜晶体管关键特性参数 | 第20-26页 |
| 2.1 薄膜晶体管的发展历程 | 第20-21页 |
| 2.2 薄膜晶体管结构分类 | 第21页 |
| 2.3 薄膜晶体管的基本原理 | 第21-23页 |
| 2.4 薄膜晶体管重要参数介绍 | 第23-24页 |
| 2.5 薄膜晶体管在LCD的定位 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 基于高世代线CU工艺制作 | 第26-47页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 基于高世代线CU产品工艺流程(4MASK) | 第26-27页 |
| 3.3 基于高世代线CU布线TFT产品制备 | 第27-31页 |
| 3.3.1 基于高世代线的TFT四道光罩(4Mask)工艺流程 | 第27-30页 |
| 3.3.2 基于高世代线的Cu+COA产品制备 | 第30-31页 |
| 3.4 CU溅射工艺参数影响 | 第31-38页 |
| 3.4.1 Cu溅射工艺对Cu性质参数的影响 | 第31-34页 |
| 3.4.2 Cu翘曲的影响 | 第34-35页 |
| 3.4.3 粘合层和阻挡层Mo的厚度选取 | 第35-38页 |
| 3.5 Cu湿法蚀刻工艺参数影响 | 第38-41页 |
| 3.5.1 Cu蚀刻药液 | 第38页 |
| 3.5.2 电化学腐蚀 | 第38-39页 |
| 3.5.3 Cu蚀刻形貌管理 | 第39-41页 |
| 3.6 干法蚀刻工艺对CU制程工艺的影响 | 第41-46页 |
| 3.6.1 干法蚀刻工艺对Cu制程工艺的改善 | 第41-43页 |
| 3.6.2 干法蚀刻中对于Cu蚀刻副产物的改善 | 第43-46页 |
| 3.7 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 基于高世代线COA工艺制作 | 第47-57页 |
| 4.1 引言 | 第47页 |
| 4.2 基于高世代线COA产品工艺流程 | 第47-49页 |
| 4.2.1 传统工艺流程和COA流程比较 | 第48-49页 |
| 4.2.2 氮化硅工艺和PFA工艺比较 | 第49页 |
| 4.3 基于高世代线COA产品制程特性影响 | 第49-54页 |
| 4.3.1 COA产品堆叠高度的影响的关键参数 | 第50-51页 |
| 4.3.2 曝光参数对形貌角度(Taper)的影响 | 第51-54页 |
| 4.4 COA产品设计规范 | 第54-56页 |
| 4.4.1 RGB色阻开孔设计 | 第54-55页 |
| 4.4.2 避免RGB空气气泡的设计 | 第55-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 引入CU和COA工艺对BCE IGZO TFT特性影响 | 第57-70页 |
| 5.1 引言 | 第57页 |
| 5.2 非晶IGZO TFT的主要性能参数 | 第57-60页 |
| 5.2.1 关键TFT架构 | 第58-59页 |
| 5.2.2 IGZO晶体管的优点 | 第59-60页 |
| 5.3 基于Cu和COA工艺的BCE IGZO TFT样品的制备 | 第60-62页 |
| 5.4 Cu和COA工艺制程对BCE IGZO TFT特性参数影响 | 第62-69页 |
| 5.4.1 BCE IGZO TFT采用Cu制程之必要性 | 第62-63页 |
| 5.4.2 RGB烘烤对BCE IGZO TFT特性参数影响 | 第63-66页 |
| 5.4.3 色阻覆盖对BC EIGZO TFT特性参数影响 | 第66-69页 |
| 5.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 总结 | 第70页 |
| 6.2 展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 附件 | 第75页 |
