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二维半导体材料迁移率的第一性原理研究
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二维半导体材料迁移率的第一性原理研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第一章 绪论第11-21页
　　1.1 论文研究背景及意义第11-12页
　　1.2 二维（2D）层状材料输运特性研究现状第12-19页
　　　　1.2.1 二维层状材料第12-18页
　　　　　　1.2.1.1 类石墨烯平面结构材料第12-15页
　　　　　　1.2.1.2 非平面层状结构材料第15-18页
　　　　　　1.2.1.3 研究对象第18页
　　　　1.2.2 层状材料的输运特性研究现状第18-19页
　　1.3 本文的主要研究内容第19-21页
第二章 相关理论第21-44页
　　2.1 第一性原理计算第21-30页
　　　　2.1.1 密度泛函理论第21-27页
　　　　　　2.1.1.1 波恩奥本海默近似（绝热近似）第21-22页
　　　　　　2.1.1.2 单电子近似和平均场近似第22-23页
　　　　　　2.1.1.3 Hartree-Fock近似第23-24页
　　　　　　2.1.1.4 Hohenberg-Kohn定理第24-25页
　　　　　　2.1.1.5 Kohn-Sham方程第25-27页
　　　　2.1.2 赝势方法第27-29页
　　　　　　2.1.2.1 平面波基函数第27-28页
　　　　　　2.1.2.2 赝势第28-29页
　　　　2.1.3 PWscf软件包第29-30页
　　2.2 形变势理论第30-38页
　　　　2.2.1 形变势理论基础第30-35页
　　　　　　2.2.1.1 形变作用下的能带位移量第31-32页
　　　　　　2.2.1.2 电子声子相互作用下的能带位移量第32-33页
　　　　　　2.2.1.3 形变势最终形式第33-34页
　　　　　　2.2.1.4 光学形变势第34-35页
　　　　2.2.2 电子声子相互作用第35-36页
　　　　2.2.3 压电相互作用第36-38页
　　2.3 波尔兹曼方程与迁移率第38-43页
　　　　2.3.1 波尔兹曼方程第38-40页
　　　　2.3.2 散射几率和迁移率第40-43页
　　　　　　2.3.2.1 声学声子第40页
　　　　　　2.3.2.2 光学声子第40-42页
　　　　　　2.3.2.3 压电效应第42页
　　　　　　2.3.2.4 迁移率第42-43页
　　2.4 Matthiessen规则第43页
　　2.5 本章小结第43-44页
第三章 计算过程，结果和讨论第44-64页
　　3.1 计算参数的测试和结构弛豫优化第44-45页
　　　　3.1.1 计算参数的测试第44页
　　　　3.1.2 晶体结构优化第44-45页
　　3.2 能带和态密度第45-48页
　　3.3 迁移率第48-62页
　　　　3.3.1 有效质量第48-49页
　　　　3.3.2 声速计算第49-52页
　　　　3.3.3 形变势第52-59页
　　　　　　3.3.3.1 声学形变势第52-53页
　　　　　　3.3.3.2 光学形变势第53-58页
　　　　　　3.3.3.3 压电形变势第58-59页
　　　　3.3.4 迁移率第59-60页
　　　　3.3.5 迁移率讨论第60-62页
　　3.4 本章小结第62-64页
第四章 范德华力对PtSe2的影响第64-80页
　　4.1 半导体-半金属转变第64页
　　4.2 处理范德华力的色散修正方法第64-67页
　　　　4.2.1 Jacob阶梯第64-66页
　　　　4.2.2 vdW-DFT方法第66-67页
　　4.3 计算结果和结论第67-79页
　　　　4.3.1 范德华力对不同层数的影响第67-73页
　　　　4.3.2 二层结构的探究第73-77页
　　　　4.3.3 半导体金属转变第77-79页
　　4.4 本章小结第79-80页
第五章 结论和展望第80-82页
　　5.1 结论第80-81页
　　5.2 展望第81-82页
致谢第82-83页
参考文献第83-94页
攻硕期间取得的研究成果第94-95页

本篇论文共95页，点击这进入下载页面。
 
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