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600V逆导型FS-IGBT设计
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600V逆导型FS-IGBT设计
论文目录
 
摘要第1-6页
abstract第6-10页
第一章 绪论第10-17页
　　1.1 功率半导体器件简介第10-11页
　　1.2 IGBT器件发展概况第11-14页
　　1.3 逆导型IGBT的发展第14-15页
　　1.4 本课题的研究意义第15-16页
　　1.5 本文的主要工作第16-17页
第二章 RC-IGBT基本理论第17-31页
　　2.1 逆导型FS-IGBT器件结构第17-18页
　　2.2 逆导型FS-IGBT的静态特性第18-23页
　　　　2.2.1 阻断特性第18-20页
　　　　2.2.2 正向导通第20-22页
　　　　2.2.3 反向导通第22-23页
　　2.3 逆导型FS-IGBT的动态特性第23-27页
　　　　2.3.1 IGBT动态特性第23-25页
　　　　2.3.2 FRD动态特性第25-27页
　　2.4 终端技术第27-30页
　　　　2.4.1 场限环技术第28页
　　　　2.4.2 场板技术第28-29页
　　　　2.4.3 场板加场限环技术第29-30页
　　2.5 本章小结第30-31页
第三章 FS-IGBT元胞设计第31-41页
　　3.1 工艺流程设计第31-33页
　　3.2 FS-IGBT元胞设计第33-40页
　　　　3.2.1 外延参数第33-35页
　　　　3.2.2 Pbody参数第35-36页
　　　　　　3.2.2.1 Pbody注入剂量第35-36页
　　　　　　3.2.2.2 Pbody推结时间第36页
　　　　3.2.3 FS层参数第36-38页
　　　　　　3.2.3.1 FS层电阻率第36-38页
　　　　　　3.2.3.2 FS层厚度第38页
　　　　3.2.4 元胞宽度第38-40页
　　3.3 本章小结第40-41页
第四章 RC-IGBT设计第41-59页
　　4.1 消除snapback现象第41-43页
　　4.2 RC-IGBT静态特性第43-47页
　　　　4.2.1 RC-IGBT阻断第43-45页
　　　　4.2.2 RC-IGBT正向导通第45-47页
　　　　4.2.3 RC-IGBT反向导通第47页
　　4.3 RC-IGBT动态特性第47-53页
　　　　4.3.1 IGBT模式关断特性第48-50页
　　　　4.3.2 FRD模式关断特性第50-53页
　　4.4 RC-IGBT终端设计第53-56页
　　4.5 RC-IGBT版图设计第56-58页
　　4.6 本章小结第58-59页
第五章 结论第59-60页
致谢第60-61页
参考文献第61-65页
攻硕期间取得的研究成果第65-66页

本篇论文共66页，点击这进入下载页面。
 
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