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IGBT的辐照效应仿真分析与加固研究
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IGBT的辐照效应仿真分析与加固研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
第一章 绪论第9-15页
　　1.1 选题背景和研究意义第9-10页
　　1.2 国内外研究现状第10-13页
　　1.3 本文的主要内容和结构第13-15页
第二章 IGBT器件结构和核辐射基本理论第15-33页
　　2.1 IGBT器件基本类型与原理简介第15-19页
　　　　2.1.1 NPT型IGBT第15-17页
　　　　2.1.2 PT型IGBT第17-18页
　　　　2.1.3 Trench型IGBT第18-19页
　　2.2 辐射环境和损伤机制第19-24页
　　　　2.2.1 常见辐射环境第19-21页
　　　　2.2.2 位移损伤机制第21-23页
　　　　2.2.3 电离辐射损伤机制第23-24页
　　2.3 电离辐射对器件作用第24-28页
　　　　2.3.1 总剂量效应第25-26页
　　　　2.3.2 单粒子效应第26-28页
　　2.4 辐射参数的量化与其在TCAD软件中的模拟方式第28-32页
　　　　2.4.1 量化方式第28-30页
　　　　2.4.2 参数导入方式第30-32页
　　2.5 本章小结第32-33页
第三章 IGBT辐射效应研究第33-52页
　　3.1 IGBT的单粒子效应研究第33-47页
　　　　3.1.2 单粒子入射对NPT-IGBT的影响第34-39页
　　　　3.1.3 单粒子入射对PT型IGBT的影响第39-41页
　　　　3.1.4 单粒子入射对Trench-IGBT的影响第41-43页
　　　　3.1.5 LCLCR对IGBT抗单粒子辐照的影响第43-46页
　　　　3.1.6 加固方向第46-47页
　　3.2 IGBT结终端总剂量效应研究第47-51页
　　　　3.2.1 常规结终端结构第47-50页
　　　　3.2.2 双侧交错场板结终端结构第50-51页
　　3.3 本章小结第51-52页
第四章 高压IGBT器件设计第52-74页
　　4.1 IGBT元胞设计第52-65页
　　　　4.1.1 阻断特性仿真第52-56页
　　　　4.1.2 导通特性仿真第56-61页
　　　　4.1.3 动态特性设计第61-64页
　　　　4.1.4 抗辐照仿真分析第64-65页
　　4.2 高耐压终端设计第65-70页
　　　　4.2.1 IGBT结终端仿真优化第65-66页
　　　　4.2.2 IGBT结终端总剂量效应研究第66-70页
　　4.3 工艺与版图第70-71页
　　4.4 初步测试结果第71-73页
　　4.5 本章小结第73-74页
第五章 结论与展望第74-76页
　　5.1 本文工作总结第74-75页
　　5.2 工作展望第75-76页
致谢第76-77页
参考文献第77-81页
攻硕期间取得的研究成果第81-82页

本篇论文共82页，点击这进入下载页面。
 
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