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Si基GaN横向功率二极管新结构研究

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Si基GaN横向功率二极管新结构研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-16页
  1.1 研究背景第10-11页
  1.2 国内外研究现状第11-15页
  1.3 本文研究内容第15-16页
第二章 AlGaN/GaN异质结器件理论与制造技术第16-28页
  2.1 AlGaN/GaN的极化效应第16-19页
  2.2 AlGaN/GaN SBD工作原理第19-21页
  2.3 GaN功率器件制备技术第21-27页
  2.4 本章小结第27-28页
第三章 MIS栅混合阳极二极管的设计与仿真第28-47页
  3.1 传统GaN功率二极管性能分析第28-34页
  3.2 MIS栅混合阳极二极管的设计第34-43页
    3.2.1 器件结构及工作原理第35-37页
    3.2.2 器件导通模型第37-38页
    3.2.3 反向特性分析第38-40页
    3.2.4 温度稳定性分析第40-41页
    3.2.5 栅下势垒层厚度选择第41-43页
  3.3 MIS栅混合阳极二极管的仿真第43-46页
    3.3.1 正向导通特性第44页
    3.3.2 反向耐压特性第44-46页
  3.4 本章小结第46-47页
第四章 MIS栅混合阳极二极管的研制与测试第47-74页
  4.1 工艺流程第47-53页
  4.2 关键工艺研究第53-66页
    4.2.1 欧姆接触优化方法第54-62页
    4.2.2 刻蚀工艺监测方法第62-66页
  4.3 测试及分析第66-73页
    4.3.1 正向导通测试第66-69页
    4.3.2 反向耐压测试第69-71页
    4.3.3 变温测试第71-73页
  4.4 本章小结第73-74页
第五章 总结与展望第74-76页
  5.1 结论第74-75页
  5.2 展望第75-76页
致谢第76-77页
参考文献第77-82页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第82-83页

本篇论文共83页,点击这进入下载页面
 
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