IGZO TFT毕业论文
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| 退火和表面处理对igzo－tft性能的影响[本文83页] | 金属源漏多晶硅tft及非晶igzo tft的特[本文60页] | a-igzo tft制备工艺和性能的研究[本文73页] | ||
| igzo-tft器件的制备工艺探索及性能优[本文86页] | igzo-tft生物传感器的制备及其性能的[本文77页] | 基于sin_x绝缘层的a-igzo tft性能提高[本文69页] | ||
| 溶液法制备igzo-tft器件的性能优化与[本文72页] | 采用像素复用技术的igzo-tft amoled像[本文71页] | n型igzo tft与p型有机tft器件的制备及[本文64页] | ||
| 柔性衬底上α-igzo tft器件的制备与稳[本文69页] | 基于igzo沟道的tft存储器仿真特性研究[本文69页] | 基于面向高世代tft-lcd线的cu和coa工[本文75页] | ||
| 基于igzo-tft的打印银源漏电极研究[本文69页] | 双有源层异质结构a-izo/igzo tft的模[本文53页] | 采用igzo tfts的amoled外围驱动电路设[本文56页] | ||
| 基于in-ga-zn-o沟道薄膜晶体管存储器[本文73页] | 铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备和性能[本文71页] | 铟镓锌氧薄膜晶体管的制备及其性能研[本文69页] | ||
| 非晶氧化铟镓锌薄膜晶体管的制备与性[本文81页] | a-igzo薄膜晶体管的制备及界面接触性[本文78页] | erp的主要功能模块简介[共4659字] | ||
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