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Ⅱ-Ⅵ族半导体类文章270篇，页次：1/1页 【 第一页‖ 上一页 ‖ 下一页 ‖ 最后页】 转到
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| ⅲ-ⅴ族半导体mqw平面波导光器件的研[本文155页] | ⅲ-ⅴ族半导体alas中的过渡金属团簇的[本文47页] | ⅱ-ⅵ族半导体/二氧化锡纳米结构复合[本文110页] |
| ⅱ-ⅵ族半导体cdte低维量子结构的光电[本文62页] | ⅱ-ⅵ族半导体/氧化锌纳米结构复合薄[本文112页] | ⅱ-ⅵ族一维半导体纳米材料与有序阵列[本文75页] |
| 铜锌族纳米材料的合成表征与性能研究[本文141页] | gapn混晶光学性质及gainp、algainp合[本文105页] | 低维ii-vi族半导体纳米结构的控制生长[本文138页] |
| zno及其合金的结构、电子及光学性质的[本文84页] | 利用软化学方法合成纳米/微米半导体材[本文61页] | si衬底上znse，znte薄膜及其量子阱的[本文98页] |
| ⅱ-ⅵ族一维半导体纳米材料阵列的制备[本文113页] | 氧化锌及其纳米结构[本文144页] | iv-vi族半导体外延生长及其特性研究[本文120页] |
| 3d过渡金属基ⅱ-ⅵ族半导体缺陷特性的[本文97页] | ⅳ-ⅵ族半导体异质结能带结构和中红外[本文101页] | 低维硅纳米材料光电性质调控的第一性[本文62页] |
| iii-v族半导体纳米线的分子束外延生长[本文116页] | ⅲ-ⅴ族半导体异质结二维电子气输运特[本文99页] | 镉、锡和锗的硒化物低维结构生长与光[本文117页] |
| 基于inas纳米体系的电子结构和输运特[本文117页] | ⅲ-ⅴ族半导体纳米线结构稳定性与电子[本文101页] | ⅱ-ⅵ族三元合金半导体热力学性质的第[本文120页] |
| 二维ⅳ-ⅵ族半导体的可控合成及其光电[本文197页] | 基于高κ栅介质的高性能ⅲ-ⅴ族晶体管[本文125页] | ⅲ-ⅴ族半导体雪崩光电二极管特性研究[本文66页] |
| 几种ⅲ-ⅴ族半导体纳米线的合成及光、[本文101页] | 激光原位图形化诱导分子束外延生长半[本文114页] | algan超晶格界面调控及其电学特性[本文74页] |
| 一维ⅱ-ⅵ族半导体纳米结构光电性能调[本文90页] | inas/gasb基ⅲ-ⅴ族纳米结构的制备及[本文111页] | ⅲ-ⅴ族mosfet的电容电压和肖特基接触[本文77页] |
| gainassb四元合金纳米线的合成及其光[本文71页] | ⅱ-ⅵ族半导体微纳结构设计制备及其光[本文81页] | 基于半导体激光器的自混合微振动测量[本文69页] |
| 半导体激光泵浦源用传能光纤的关键技[本文75页] | 半导体化纳米铝及铝合金薄膜霍尔效应[本文61页] | ⅱ-ⅵ族化合物半导体纳米晶体的表面修[本文65页] |
| tio_2和yag:ce~(3+)半导体微球的制备[本文94页] | 稀磁半导体zns掺杂mn薄膜的研究[本文62页] | 半导体温差发电系统研究及电热式试验[本文96页] |
| 互耦合半导体激光器串联系统的双向混[本文42页] | 基于拓展的多代创新扩散模型在我国半[本文67页] | 大功率半导体激光器列阵的微蒸发冷却[本文88页] |
| 有机半导体器件中的磁场效应研究[本文59页] | 半导体量子点光放大器的理论研究与在[本文60页] | 一维半导体-磁性功能复合纳米材料的制[本文69页] |
| 新型半导体光催化剂的可控合成及半导[本文122页] | 氮杂并五苯类有机半导体材料的合成与[本文61页] | 德欧泰克半导体公司市场营销战略研究[本文45页] |
| 稀释磁性半导体sn_(1-x)mn_xo_2一维纳[本文66页] | tio_2基稀磁半导体的制备及性能研究[本文77页] | p型铜铁矿结构掺杂氧化物半导体cualo[本文77页] |
| 金属、半导体同质结/异质结纳米材料的[本文143页] | 外光反馈半导体激光器动态特性及激光[本文136页] | 基于半导体制冷技术的自动温控箱的研[本文60页] |
| ⅱ-ⅵ族/tio_2纳米复合半导体的制备及[本文75页] | 乙酰丙酮金属盐和硫醇体系液相一锅法[本文62页] | sic基稀磁半导体纳米材料的微结构和磁[本文63页] |
| ag（au）纳米粒子在分级结构氧化物半[本文142页] | 基于窄脉冲大功率半导体激光器的激光[本文56页] | 聚对苯乙炔/无机半导体复合纳米纤维光[本文75页] |
| 采用指数加权平均控制器的半导体生产[本文174页] | 新型半导体光催化剂的低温制备及其可[本文131页] | 半导体纳米材料的制备及其光电性能的[本文45页] |
| 多功能半导体激光器参数测试系统的设[本文67页] | 半导体纳米晶的化学制备及其光学性能[本文64页] | 新型半导体量子点/聚合物复合no荧光探[本文70页] |
| 太阳能半导体照明系统中高效led驱动器[本文66页] | 半导体热电材料bi-sb合金薄膜的电化学[本文91页] | 多层半导体材料中光学声子的辅助共振[本文62页] |
| 大功率半导体激光器单管合束及光纤耦[本文135页] | 大功率半导体激光短阵列合束及光纤耦[本文157页] | 852nm半导体激光器结构设计与外延生长[本文124页] |
| 非极性gan基半导体材料的mocvd生长与[本文114页] | 半导体/tft-lcd制程统计建模与批间控[本文113页] | 半导体激光器模块应用技术研究[本文63页] |
| 基于dsp的半导体激光器智能温度控制系[本文62页] | cd_(1-x)eu_xs稀磁半导体纳米颗粒的制[本文59页] | 一维氮化铟半导体纳米材料的合成与物[本文115页] |
| 半导体金属氧化物（zno、sno_2）纳米[本文67页] | 基于半导体致冷器tec的集成化恒温散热[本文65页] | 基于压缩感知的大功率半导体激光器1/[本文57页] |
| 金属渗透对8-羟基喹啉铝有机半导体电[本文63页] | co与zno半导体等复合膜磁电阻效应及自[本文117页] | 铁电半导体bati_(1-x)nb_xo_3阻变效应[本文74页] |
| ⅲ族氮化物半导体可见光盲及日盲紫外[本文92页] | 新型分布反馈式半导体激光器及其阵列[本文126页] | 基于rec技术的新型dfb半导体激光器研[本文63页] |
| 基于zemax半导体激光器与单模光纤耦合[本文57页] | 纳米结构半导体光催化剂bi-m-o（m=w，[本文67页] | 半导体桥火工品静电危害特性研究[本文68页] |
| 半导体桥火工品电磁兼容技术研究[本文80页] | 外光注入半导体激光器产生超宽带微波[本文57页] | 基于混沌半导体激光器产生随机数的方[本文51页] |
| 两类有机半导体材料的n-、p-型掺杂研[本文76页] | 光反馈混沌半导体激光器的时延特性及[本文50页] | 注人锁定f-p半导体激光器生成毫米波技[本文79页] |
| 掺杂sno_2半导体固溶体电极的结构与性[本文76页] | 高效小型半导体激光器驱动电源研制[本文80页] | 非晶化合物半导体薄膜及其性质[本文58页] |
| 多波长半导体环形腔激光器及其应用研[本文62页] | 非均匀半导体的磁输运调控和优化[本文54页] | 半导体材料非线性动力学研究[本文58页] |
| ⅱ-ⅵ族半导体材料的制备及在有机光伏[本文89页] | 基于碱金属化合物的有机半导体的n-型[本文67页] | 硫化镉半导体光催化剂的制备及其在可[本文61页] |
| 氧化钛半导体材料制备及在薄膜电池中[本文73页] | 低维半导体量子结构中氢施主杂质电子[本文37页] | 基于能带调控的高效无机半导体光催化[本文204页] |
| 宽禁带半导体氧化锌晶体的离子注入光[本文128页] | zno基磁性半导体和多铁性氧化物异质结[本文145页] | 几种光催化半导体材料的电子结构及相[本文143页] |
| zno基磁性半导体外延生长、磁性、输运[本文129页] | 低维半导体纳米材料及其异质结构的第[本文121页] | 宽禁带半导体材料的电子结构与性质研[本文127页] |
| gamnn稀磁半导体材料的制备与性能研究[本文63页] | co掺杂的zno基稀磁半导体[本文60页] | zno基稀磁半导体薄膜材料的pld制备及[本文144页] |
| 光栅外腔半导体激光器的设计制作与稳[本文45页] | 磁性半导体异质结光子辅助量子输运特[本文58页] | 以产能为导向的半导体设备管理系统应[本文71页] |
| 半导体荧光量子点的可控合成和光学性[本文67页] | 稀磁半导体模型的量子蒙特卡洛研究[本文55页] | 半导体量子点双激子态相干控制理论研[本文51页] |
| nio掺杂cu2o基稀磁半导体的理论研究和[本文62页] | 磁性掺杂氧化物半导体薄膜的光学性质[本文70页] | 三光束飞秒激光干涉在半导体表面诱导[本文138页] |
| 基于半导体光放大器的高速全光信号处[本文96页] | 多元氧族半导体纳米材料的液相合成、[本文164页] | 基于问题分解与蚁群算法的半导体晶圆[本文137页] |
| 互耦合半导体激光器的实时混沌同步特[本文47页] | 基于半导体光放大器四波混频效应的慢[本文57页] | 半导体芯片最终测试多阶段可重入调度[本文84页] |
| 半导体最终测试阶段批处理机调度问题[本文63页] | 基于互注入半导体激光器的混沌同步系[本文144页] | 半导体器件缺陷定位技术研究[本文55页] |
| 飞思卡尔半导体制造企业封装生产过程[本文67页] | 300m测程小型化脉冲半导体激光测距机[本文55页] | 氧化锌基稀磁半导体的第一性原理研究[本文112页] |
| 硫族半导体纳米晶材料的制备及发光性[本文61页] | 锌基半导体纳米晶有机电双稳态器件的[本文66页] | 窄线宽半导体激光器的研究[本文57页] |
| in_2o_3及sic基稀磁半导体薄膜的局域[本文86页] | 特殊形貌一维半导体纳米材料制备及形[本文118页] | 基于知识的模糊逻辑半导体器件建模[本文68页] |
| 宽带隙调控半导体纳米线的生长和光学[本文62页] | 电化学沉积氧化亚铜半导体薄膜及其光[本文77页] | 外腔式半导体激光器的改进研究[本文49页] |
| zno基半导体p型、稀磁掺杂研究与纳米[本文211页] | co、fe掺杂zno稀磁半导体结构与磁性能[本文146页] | 金属—有机半导体界面的电子结构研究[本文90页] |
| 若干半导体团簇组装材料的结构和电子[本文125页] | 基于atmega88的半导体激光器驱动器的[本文62页] | 贵金属/半导体纳米复合材料的合成及性[本文50页] |
| 半导体激光和5-氟尿嘧啶缓释植入剂对[本文50页] | 硫属化合物p型半导体纳米结构的合成及[本文131页] | ⅱ-ⅵ族半导体量子点的规模化合成及其[本文161页] |
| mn掺杂纳米zno稀磁半导体的磁性研究[本文58页] | 半导体和氧化物表面石墨烯的生长和结[本文137页] | 传导热沉半导体激光光纤耦合泵浦模块[本文67页] |
| 薄片式半导体倍频激光器特性研究[本文72页] | 半导体漂流扩散模型及其相关模型的渐[本文116页] | 可见光响应半导体纳晶薄膜的制备及催[本文74页] |
| 水滑石基半导体复合材料的制备及其光[本文158页] | 半导体低维量子系统中的等离子振荡[本文44页] | 半导体—光纤复合腔可调谐激光器的研[本文65页] |
| gaas/algaas半导体量子级联激光器的设[本文47页] | 半导体单量子阱中等离激元性质的研究[本文55页] | 基于半导体激光器干涉测量长度方法的[本文51页] |
| 光子晶体光纤与半导体纳米团簇的结构[本文53页] | 基于ald技术纳米半导体掺杂光纤的研究[本文66页] | 具有多模干涉波导结构inp基半导体激光[本文66页] |
| 稀土和几种典型半导体材料的价电子结[本文52页] | 光模数转换中的并行处理方法及半导体[本文93页] | 半导体中与自旋相关的新奇量子现象[本文139页] |
| 热蒸发法制备ii-vi族半导体纳米材料及[本文88页] | tio_2半导体光阳极的掺杂与修饰[本文63页] | 稀释磁性半导体zn_（1-x）co_xo及zn_[本文93页] |
| 半导体纳米微晶的控制合成及非线性光[本文96页] | 锌基ii-vi族半导体纳米材料分级可控生[本文147页] | 含硫配体同金属和异金属配合物作为半[本文81页] |
| 铜、锌基微/纳米半导体材料的可控合成[本文85页] | 硫属半导体/羧基氟碳聚合物纤维复合材[本文72页] | 基于dsp控制的半导体激光电源[本文64页] |
| 碳热还原法制备透明导电半导体纳米线[本文66页] | 绿色化学途径合成硒化物半导体量子点[本文135页] | 半导体—氟碳聚合物电纺纤维复合材料[本文121页] |
| 过渡金属氧族化合物半导体纳米材料的[本文121页] | 半导体纳米线及其阵列可控生长和物性[本文118页] | 基于半导体制冷技术的高精密温度控制[本文68页] |
| 半导体纳米荧光探针的合成、表征及应[本文58页] | 透明导电半导体氧化物纳米线的制备、[本文64页] | 准一维金属氧化物半导体纳米材料的气[本文81页] |
| 准一维半导体纳米材料的制备、表征及[本文65页] | 活性炭负载fe\zn掺杂纳米tio2半导体光[本文58页] | 硫化物纳米半导体材料的溶剂热合成及[本文66页] |
| zno基稀磁半导体的x射线吸收谱学研究[本文67页] | 溶液中纳米结构生长的模拟研究和若干[本文173页] | ⅲ-ⅴ族半导体及其纳米结构中的自旋动[本文259页] |
| 有机分子辅助的半导体纳米材料的控制[本文98页] | 宽带隙半导体sic和zno的光电性质及掺[本文105页] | 半导体自组织量子点的光学性质和其在[本文96页] |
| 半导体复合蛋白石结构的制备和光学性[本文66页] | 非球面液滴透镜的制作及其在半导体激[本文63页] | 半导体激光器的稳频和移频[本文46页] |
| 纳米半导体（zno、tio_2、ag@agi）的[本文67页] | 稀磁半导体材料的局域结构及电子结构[本文112页] | mn掺杂ⅳ族稀磁半导体的x射线吸收谱学[本文110页] |
| si基稀磁半导体的x射线吸收谱学研究[本文85页] | 氧化物半导体自组装薄膜的气敏性能研[本文147页] | 半导体量子点分子的电子结构及其动力[本文109页] |
| 半导体中场畴混沌运动的理论模型[本文138页] | 半导体超晶格中负微分电导及其非线性[本文34页] | 半导体量子点电子结构的理论研究[本文96页] |
| 若干半导体微结构非线性光学性质的理[本文87页] | 采用fokker-planck方程研究半导体的非[本文71页] | 一维半导体纳米材料及其电子和光电子[本文110页] |
| 有机半导体共混体系的光物理特性研究[本文53页] | 激光沉积法制备掺钴氧化锌稀磁半导体[本文57页] | 铝镓氮半导体薄膜制备及场发射性能研[本文67页] |
| 基于plc的大功率半导体激光器控制系统[本文72页] | p型铜铁矿结构透明氧化物半导体的制备[本文90页] | 提高大功率半导体激光列阵光束质量的[本文118页] |
| 大功率半导体激光器列阵的光纤双向耦[本文85页] | 半导体激光器与光纤高效耦合特性的研[本文170页] | 有机半导体表面与界面电子结构的同步[本文109页] |
| 宽带隙半导体（zno，sic）材料的制备[本文102页] | ⅱ-ⅵ族纳米结构半导体的x射线吸收谱[本文121页] | 宽禁带半导体sic和zno的外延生长及其[本文125页] |
| 宽禁带半导体器件的研制及其测量技术[本文113页] | 宽带隙半导体sic、zno的同步辐射光电[本文112页] | 基于介观和多体层面的对于半导体自旋[本文181页] |
| 硫属半导体纳米材料的液相控制合成与[本文132页] | 受限半导体纳米系统中自旋动力学以及[本文223页] | 户用光伏建筑一体化发电系统及太阳能[本文127页] |
| lng冷能利用与低温半导体温差发电研究[本文133页] | nsrl表面物理站的调试及宽禁带半导体[本文122页] | 正电子对zno和gan宽带隙半导体中缺陷[本文98页] |
| 形状可控的金属via族半导体的γ-射线[本文115页] | 宽带隙半导体zno（及sic）薄膜的制备[本文100页] | x射线运动学理论及其在半导体外延材料[本文70页] |
| cvd制备碳基宽带隙半导体材料及其特性[本文93页] | 半导体器件集成电路用键合金丝产业化[本文99页] | ⅲ族氮化物半导体薄膜场发射性能研究[本文131页] |
| 新型多有源区隧道级联耦合大光腔半导[本文88页] | 半导体泵浦 nd：yag-ktp碘分子吸收多[本文58页] | 半导体泵浦yag自锁模激光器的研究[本文66页] |
| 金属氧化物半导体纳米材料的制备和性[本文73页] | 电沉积法制备硫锡半导体纳米棒网络薄[本文65页] | 大功率半导体激光光纤耦合输出技术的[本文91页] |
| zno基稀磁半导体材料的制备及性能研究[本文86页] | 基于有机基体纳米半导体与有机无机杂[本文77页] | ⅱ-ⅳ族半导体量子点的合成及其在指纹[本文83页] |
| 半导体光放大器的非线性研究及其应用[本文66页] | 铝合金阳极氧化膜半导体性质及耐蚀性[本文72页] | 水相体系中聚合物/半导体复合纳米粒子[本文77页] |
| 半导体激光器温度控制系统的研究与设[本文88页] | 纳米半导体光催化剂的固载和光催化反[本文74页] | 基于半导体饱和吸收镜的全固态nd：yv[本文61页] |
| 基于经济周期的中国半导体装备制造业[本文67页] | 半导体光放大器超快动力学过程的研究[本文146页] | 闪耀光纤光栅复模理论和半导体激光器[本文170页] |
| 通用半导体公司jit生产模式应用研究[本文77页] | 金属硫族化合物半导体纳米晶的合成及[本文133页] | 聚合物半导体中激子离化及电荷输运特[本文108页] |
| 半导体量子点的合成、表征及其应用的[本文63页] | 非均匀注入半导体光放大器的研究[本文75页] | 新型光纤半导体复合腔可调谐激光器的[本文66页] |
