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宽带隙半导体SiC、ZnO的同步辐射光电子能谱研究
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宽带隙半导体SiC、ZnO的同步辐射光电子能谱研究
论文目录
 
摘要第1-9 页
Abstract第9-12 页
第一章 绪论第12-42 页
　　§· 宽带隙半导体ZnO和SiC第13-22 页
　　　　· ZnO的晶体结构第13 页
　　　　· ZnO的性质第13-14 页
　　　　· ZnO的应用第14-16 页
　　　　· SiC的晶体结构和多型性第16-18 页
　　　　· SiC的性质第18-20 页
　　　　· SiC的应用第20-22 页
　　§· 角分辨光电子能谱第22-38 页
　　　　· 基本原理第22-24 页
　　　　· 实验方法第24-27 页
　　　　· 角分辨光电子能谱的最新进展第27-31 页
　　　　· 同步辐射光电子能谱在宽带隙半导体研究中的应用第31-38 页
　　§· 本论文的选题第38-40 页
　　参考文献第40-42 页
第二章 实验仪器设备和理论计算方法第42-56 页
　　§· 实验仪器设备第43-47 页
　　　　· NSRL表面物理光束线和实验站第43-45 页
　　　　· SSLS表面、界面及纳米结构科学光束线和实验站第45-47 页
　　§· 理论计算方法第47-53 页
　　　　· 第一性原理方法简介第48-49 页
　　　　· 第一性原理方法的应用第49-50 页
　　　　· 全势线性缀加平面波方法原理简介第50-53 页
　　　　· WIEN2K程序包简介第53 页
　　§· 本章小结第53-55 页
　　参考文献第55-56 页
第三章 SiC表面和界面的同步辐射光电子能谱研究第56-86 页
　　§· SiC重构表面的角分辨光电子能谱研究第57-69 页
　　　　· 前言第57-59 页
　　　　· 实验介绍第59-60 页
　　　　· 实验结果和讨论第60-68 页
　　　　· 本节小结第68-69 页
　　§· Mn/SiC(0001)界面的同步辐射光电子能谱研究第69-75 页
　　　　· 前言第69 页
　　　　· 实验介绍第69-70 页
　　　　· 实验结果和讨论第70-74 页
　　　　· 本节小结第74-75 页
　　§· C_(60)/Si(111)界面及SiC形成的光电子能谱研究第75-81 页
　　　　· 前言第75 页
　　　　· 实验介绍第75-76 页
　　　　· 实验结果和讨论第76-80 页
　　　　· 本节小结第80-81 页
　　§· 本章小结第81-82 页
　　参考文献第82-86 页
第四章 ZnO同步辐射光电发射及氢掺杂缺陷态的理论研究第86-110 页
　　§· ZnO(0001)表面的同步辐射角分辨光电子能谱研究第86-94 页
　　　　· 前言第86-87 页
　　　　· 实验介绍和理论计算方法第87-89 页
　　　　· 实验结果和讨论第89-93 页
　　　　· 本节小结第93-94 页
　　§· ZnO表面极性的X射线光电子衍射研究第94-99 页
　　　　· 光电子衍射技术简介第94-95 页
　　　　· 实验介绍和理论计算方法第95-96 页
　　　　· 实验结果和讨论第96-98 页
　　　　· 本节小结第98-99 页
　　§· 氢掺杂ZnO缺陷态的理论研究第99-105 页
　　　　· 前言第99 页
　　　　· 缺陷形成能计算方法第99-103 页
　　　　· 缺陷态局域振动模式第103-105 页
　　　　· 本节小结第105 页
　　§· 本章小结第105-107 页
　　参考文献第107-110 页
发表论文第110-112 页
致谢第112页

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