稀土掺杂SiC_xN_y薄膜制备及其性质研究 |
论文目录 | | | 摘要 | 第1-5
页 | | ABSTRACT | 第5-7
页 | | 目录 | 第7-11
页 | | 第一章 绪论 | 第11-37
页 | | · 文献综述 | 第13-26
页 | | · SiCN的理论模拟 | 第13-16
页 | | · SiC_xN_y的结构和成键性质 | 第16-20
页 | | · SiC_xN_y的各种制备方法及发光性质 | 第20-22
页 | | · 衬底缓冲层对薄膜发光的影响 | 第22-24
页 | | · SiC_xN_y电学性质 | 第24-25
页 | | · 稀土掺杂半导体的性质 | 第25-26
页 | | · SiCN研究趋势 | 第26
页 | | · 论文的指导思想和研究内容 | 第26-27
页 | | 参考文献 | 第27-37
页 | | 第二章 实验原理与表征方法 | 第37-65
页 | | · 序言 | 第37
页 | | · 溅射 | 第37-48
页 | | · 等离子体与气体电离过程 | 第37-40
页 | | · 直流辉光放电过程 | 第40-41
页 | | · 直流辉光放电伏安特性曲线 | 第41-43
页 | | · 射频辉光放电 | 第43-44
页 | | · 溅射及其原理 | 第44-46
页 | | · 溅射参数 | 第46
页 | | · 射频溅射装置 | 第46-48
页 | | · 工艺参数 | 第48
页 | | · 蒸发镀膜 | 第48-49
页 | | · 衬底选择与清洗工艺 | 第49-52
页 | | · 衬底选择 | 第49-50
页 | | · 衬底清洗工艺 | 第50
页 | | · 衬底加热 | 第50-51
页 | | · 温度测量 | 第51-52
页 | | · 论文涉及的表征方法 | 第52-61
页 | | · X射线衍射(XRD) | 第52
页 | | · 椭圆偏振光谱(Spectroscopic Ellipsometry,SE) | 第52-55
页 | | · 喇曼(Raman)光谱 | 第55-56
页 | | · X射线光电子能谱(XPS) | 第56-57
页 | | · 原子力显微镜(AFM) | 第57
页 | | · 扫描电子显微镜(SEM) | 第57-58
页 | | · 紫外—可见分光光度计(UV-VIS) | 第58-59
页 | | · 荧光分光光度计(Fluorophotometer) | 第59-60
页 | | · 电致发光 | 第60-61
页 | | · 表面轮廓仪(Surface Profiler/Profilometer) | 第61
页 | | 本章小结 | 第61-62
页 | | 参考文献 | 第62-65
页 | | 第三章 SiCN薄膜的制备与特性研究 | 第65-93
页 | | · 序言 | 第65-66
页 | | · SiCN薄膜的制备工艺 | 第66-68
页 | | · 衬底选择 | 第66
页 | | · 衬底的清洗工艺 | 第66-67
页 | | · 衬底加热及控温 | 第67
页 | | · 制备工艺参数 | 第67-68
页 | | · SiCN薄膜的表征 | 第68-82
页 | | · 溅射参数对薄膜沉积的影响 | 第68-71
页 | | (1) 溅射参数对薄膜沉积速率的影响 | 第68-69
页 | | (2) 衬底温度对SiCN成核结晶的影响 | 第69-70
页 | | (3) 沉积温度对表面形貌的影响 | 第70-71
页 | | · 溅射参数对薄膜成键影响 | 第71-82
页 | | (1) IR表征 | 第72-76
页 | | (2) Raman研究 | 第76-79
页 | | (3) XPS研究 | 第79-82
页 | | · SiCN薄膜的性质 | 第82-85
页 | | · 光学带隙 | 第82-83
页 | | · SiCN薄膜的光致发光性质 | 第83-85
页 | | · 本章小结 | 第85-86
页 | | 参考文献 | 第86-93
页 | | 第四章 SiCN电致发光薄膜制备与性质研究 | 第93-105
页 | | · 序言 | 第93-94
页 | | · SiCN薄膜的制备 | 第94-95
页 | | · SiCN薄膜的光学性质 | 第95-97
页 | | · SiCN基电致发光器件的制备和研究 | 第97-102
页 | | · 本章总结 | 第102
页 | | 参考文献 | 第102-105
页 | | 第五章 稀土掺杂的SiCN薄膜的制备和性质研究 | 第105-135
页 | | · 序言 | 第105-107
页 | | · 氢化SiCN:Tb薄膜的制备和碳热处理 | 第107-117
页 | | · 氢化SiCN:Tb薄膜的制备和碳热处理 | 第107-108
页 | | · 氢化SiCN:Tb薄膜的表征和测试 | 第108-111
页 | | · 氢化SiCN:Tb薄膜的XRD谱 | 第108
页 | | · SiCN:Tb薄膜的形貌演变 | 第108-110
页 | | · SiCN:Tb薄膜的成分 | 第110
页 | | · SiCN:Tb薄膜的光致发光行为 | 第110-111
页 | | · 表征和测试结果分析 | 第111-117
页 | | · 退火温度对样品形貌的影响 | 第111-112
页 | | · 退火温度对样品发光性能的影响 | 第112-113
页 | | · 结晶性SiCN:Tb薄膜的发光机制 | 第113-117
页 | | · 无氢SiCN:Tb薄膜的制备和性质研究 | 第117-127
页 | | · 无氢SiCN:Tb薄膜的制备 | 第117-121
页 | | · 空气中退火 | 第121-122
页 | | · NH_3退火处理 | 第122-127
页 | | · 本章小结 | 第127-128
页 | | 参考文献 | 第128-135
页 | | 第六章 总结与展望 | 第135-141
页 | | · 本论文的主要结论 | 第135-138
页 | | · 工作展望 | 第138-141
页 | | 在学期间发表的研究成果 | 第141-143
页 | | 致谢 | 第143页 |
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