硅基PNP型达林顿管微波损伤机理研究



硅基PNP型达林顿管微波损伤机理研究

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硅基PNP型达林顿管微波损伤机理研究

论文目录
摘要	第1-6页
ABSTRACT	第6-12页
符号对照表	第12-13页
缩略语对照表	第13-16页
第一章绪论	第16-20页
1.1 研究背景及意义	第16-17页
1.2 国内外研究现状	第17-19页
1.3 论文研究内容和结构安排	第19-20页
第二章半导体器件的HPM损伤机制	第20-30页
2.1 常见电磁波	第20-21页
2.1.1 高功率微波	第20-21页
2.1.2 核电磁脉冲	第21页
2.2 双极型器件的HPM失效模式和失效机理	第21-24页
2.2.1 敷金属烧毁	第22-23页
2.2.2 雪崩击穿	第23页
2.2.3 二次击穿	第23-24页
2.3 双极型器件的损伤机理	第24-25页
2.3.1 基区展宽效应	第24-25页
2.3.2 发射极电流集边效应	第25页
2.4 达林顿晶体管的工作原理及微波防护	第25-28页
2.4.1 达林顿晶体管的工作原理	第25-27页
2.4.2 HPM损伤的防护技术	第27-28页
2.5 本章小结	第28-30页
第三章 HPM作用下达林顿晶体管的瞬态响应	第30-52页
3.1 Sentaurus-TCAD简介	第30-31页
3.2 达林顿晶体管的仿真模型	第31-35页
3.2.1 结构模型	第31-33页
3.2.2 数值模型	第33-35页
3.3 仿真结果与分析	第35-49页
3.3.1 集电极注入HPM时的结果与分析	第36-40页
3.3.2 基极注入HPM时的结果与分析	第40-45页
3.3.3 发射极注入HPM时的结果与分析	第45-48页
3.3.4 三种不同注入方式的比较	第48-49页
3.4 烧毁区域对器件性能的影响	第49-50页
3.5 本章小结	第50-52页
第四章微波参数和结构参数对器件损伤的影响	第52-74页
4.1 正弦信号参数的影响	第52-58页
4.1.1 幅值的影响	第52-53页
4.1.2 频率的影响	第53-58页
4.2 重复频率对器件损伤的影响	第58-63页
4.3 占空比对器件损伤的影响	第63-64页
4.4 信号样式对器件损伤的影响	第64-68页
4.5 器件的结构参数对损伤的影响	第68-72页
4.5.1 衬底浓度对损伤的影响	第68-69页
4.5.2 发射极电阻对损伤的影响	第69-70页
4.5.3 器件尺寸对损伤的影响	第70-72页
4.6 本章小结	第72-74页
第五章达林顿晶体管的微波脉宽效应	第74-84页
5.1 脉宽效应的模型	第74-76页
5.2 EMP损伤效应与机理	第76-78页
5.3 集电极注入下的脉宽效应	第78-80页
5.3.1 集电极注入HPM时的脉宽效应	第78-79页
5.3.2 集电极注入EMP时的脉宽效应	第79-80页
5.4 发射极和基极注入下的脉宽效应	第80-83页
5.5 本章小结	第83-84页
第六章总结与展望	第84-86页
6.1 本文总结	第84-85页
6.2 工作展望	第85-86页
参考文献	第86-92页
致谢	第92-94页
作者简介	第94-95页

本篇论文共95页，点击这进入下载页面。

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