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 有机薄膜晶体管的研制[本文48页]  超薄栅pmos器件热载流子效应和nbti效[本文62页]  纳米cmos器件的新测量方法并用于可靠[本文172页]
 0.13微米逻辑电路负偏压温度不稳定性[本文72页]  高κ栅介质mos器件电学特性的研究[本文75页]  微纳米pmos器件的nbti效应研究[本文162页]
 超深亚微米pmosfet的nbti效应研究[本文68页]  隧穿场效应晶体管和ingaas场效应晶体[本文127页]  超薄栅氧mos器件栅泄漏电流研究[本文129页]
 sic vdmos器件结构设计及界面陷阱效应[本文62页]  pmosfet器件nbti效应的机制与模型研究[本文136页]  界面态对insb光伏型红外焦平面阵列的[本文74页]
 sio_2/4h-sic mos界面特性仿真研究[本文79页]  eldrs效应加速实验方法的数值模拟[本文63页]  高介电常数叠栅介质的淀积工艺与特性[本文79页]
 高k/gaas mos界面特性仿真研究[本文72页]  al_2o_3/algan/gan moshemt器件制备及[本文73页]  第三代锑基红外探测器关键技术研究[本文117页]
 导纳谱法研究有机半导体的界面陷阱自[本文61页]  4h-sic mosfets sic-sio_2界面附近陷[本文88页]  高k栅介质gaas mos器件界面特性及氧化[本文126页]
 界面陷阱对sic mos迁移率和阈值稳定性[本文89页]  超深亚微米nmosfet中的热载流子效应[本文66页]  环氧复合材料快脉冲真空闪络特性研究[本文85页]
 铁电/algan/gan半导体异质薄膜的界面[本文137页]  algan/ain/gan异质结肖特基接触特性研[本文81页]  algan/ain/gan异质结肖特基接触特性研[本文81页]
 基于labview的介电自动化测试平台搭建[本文81页]  基于soi工艺mos器件的辐照效应研究[本文60页]  p型vdmos器件nbti效应的研究[本文67页]
 aln/gan异质结场效应晶体管器件特性研[本文88页]  太赫兹波段gan基共振隧穿器件的研究[本文122页]  聚合物和钙钛矿太阳能电池的界面研究[本文130页]
 等离子体改性纳米粒子对pi复合薄膜耐[本文59页]  cdse量子点薄膜中光生载流子输运特性[本文60页]  酸酐接枝剂对al_2o_3/ldpe体系的陷阱[本文59页]
 mgo/ldpe三层纳米复合薄膜空间电荷特[本文56页]  纳米sio_2与聚乙烯基体界面态第一性原[本文54页]  有机太阳能电池载流子陷阱效应及相关[本文117页]
 氧化物tft陷阱态分布(dos)提取研究[本文76页]  高温动态栅应力下sic基vdmos器件退化[本文71页]  合并会计报表的合并范围案例点评[共5021字]
 
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