论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7
页 |
| Abstract | 第7-12
页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24
页 |
| · 研究背景及意义 | 第12-19
页 |
| · 超大规模集成电路发展及器件可靠性概述 | 第12-14
页 |
| · NBTI 效应研究的历史背景及其对器件和电路的影响 | 第14-17
页 |
| · NBTI 效应研究意义 | 第17-19
页 |
| · NBTI 研究的现状及进展 | 第19-21
页 |
| · 本论文研究内容及安排 | 第21-24
页 |
| 第二章 微纳米PMOSFET中的NBTI效应研究 | 第24-58
页 |
| · 实验器件与实验方法 | 第24-28
页 |
| · 实验器件 | 第24-25
页 |
| · NBTI 效应研究的测试方案与测量方法 | 第25-28
页 |
| · PMOS 器件 I V 特性及静态参数的退化 | 第28-33
页 |
| · NBTI 效应对1.4nm PMOS 器件 I- V 特性的影响 | 第28-30
页 |
| · NBTI 效应对7nm PMOS 器件 I- V 特性的影响 | 第30-32
页 |
| · NBTI 效应对大小两种尺寸 PMOS 器件的影响比较 | 第32-33
页 |
| · PMOS 器件静态参数随 NBTI 应力时间的退化 | 第33-38
页 |
| · 阈值电压随应力时间的漂移情况 | 第33-34
页 |
| · 漏电流随应力时间的漂移情况 | 第34-36
页 |
| · 最大跨导随应力时间的漂移情况 | 第36-37
页 |
| · PMOS 器件整体参数随应力时间的漂移情况 | 第37-38
页 |
| · NBTI 应力条件对 PMOS 器件 NBTI 效应的影响 | 第38-45
页 |
| · 应力温度对 NBTI 效应的影响 | 第38-40
页 |
| · 栅压应力对 NBTI 效应的影响 | 第40-45
页 |
| · PMOS 器件结构尺寸对 NBTI 效应的影响 | 第45-56
页 |
| · 栅宽对 PMOS 器件 NBTI 效应的影响 | 第46-48
页 |
| · 栅长对 PMOS 器件 NBTI 效应的影响 | 第48-55
页 |
| · 栅氧厚度对 PMOS 器件 NBTI 效应的影响 | 第55-56
页 |
| · 本章小结 | 第56-58
页 |
| 第三章 PMOSFET 中的 NBTI 效应机理研究 | 第58-80
页 |
| · 引起器件退化的 Si-SiO_2系统的主要缺陷 | 第58-63
页 |
| · Si SiO_2系统的主要缺陷 | 第59-60
页 |
| · 界面陷阱与氧化层电荷对 MOS 器件的影响 | 第60-63
页 |
| · NBTI 效应的物理模型 | 第63-78
页 |
| · 界面陷阱产生模型 | 第64-66
页 |
| · 固定电荷产生模型 | 第66
页 |
| · 基于氢物质的反应扩散模型 | 第66-78
页 |
| · 本章小结 | 第78-80
页 |
| 第四章 微纳米PMOSFET中DNBTI与BNBTI效应研究 | 第80-102
页 |
| · 热载流子效应 | 第80-81
页 |
| · DNBTI 效应 | 第81-93
页 |
| · 漏端电压应力（固定栅电压应力）+NBTI 退化现象 | 第82-86
页 |
| · 漏端电压应力（固定栅电压应力）+NBTI 退化机理 | 第86-89
页 |
| · 漏端电压应力（固定漏电压应力）+NBTI 退化现象及机理 | 第89-92
页 |
| · DNBTI 退化总结 | 第92-93
页 |
| · BNBTI 效应 | 第93-100
页 |
| · SHH（固定栅电压应力）+NBTI 退化现象 | 第93-95
页 |
| · SHH（固定栅电压应力）+NBTI 退化机理 | 第95-97
页 |
| · SHH（固定衬底电压应力）+NBTI 退化现象及机理 | 第97-99
页 |
| · SHH+NBTI 恢复效应 | 第99-100
页 |
| · BNBTI 退化总结 | 第100
页 |
| · 本章小结 | 第100-102
页 |
| 第五章 微纳米PMOSFET动态NBTI效应研究 | 第102-128
页 |
| · 动态 NBTI 效应研究的实验方案 | 第102-104
页 |
| · 动态 NBTI 效应对 PMOS 器件的影响 | 第104-113
页 |
| · 动态 NBTI 效应的恢复现象 | 第104-106
页 |
| · 动态 NBTI 效应的恢复分析 | 第106-108
页 |
| · 不同条件对器件恢复的影响 | 第108-113
页 |
| · PMOS 器件 NBTI 效应的实时监测 | 第113-116
页 |
| · PMOS 器件 NBTI 效应实时监测分析 | 第116-125
页 |
| · NBTI 效应实时监测所采用的器件与实验设置 | 第116
页 |
| · NBTI 效应实时监测结果 | 第116-120
页 |
| · NBTI 效应实时监测机制分析 | 第120-125
页 |
| · NBTI 效应实时监测总结 | 第125
页 |
| · 本章小结 | 第125-128
页 |
| 第六章 NBTI 应力过程中的 SILC 研究 | 第128-142
页 |
| · SILC 简介 | 第128-130
页 |
| · NBTI 应力过程中的 SILC | 第130-140
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| · NBTI 应力过程中 SILC 的退化现象 | 第131-133
页 |
| · NBTI 应力过程中 SILC 的退化机制 | 第133-137
页 |
| · NBTI 应力过程中 SILC 退化总结 | 第137-138
页 |
| · SILC 反映陷阱变化 | 第138-140
页 |
| · 本章小结 | 第140-142
页 |
| 第七章 结束语 | 第142-146
页 |
| · 本文的主要结论 | 第142-144
页 |
| · 未来的工作 | 第144-146
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| 致谢 | 第146-148
页 |
| 参考文献 | 第148-160
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| 论文期间研究成果 | 第160-162
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