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 基于psp的对称ldd mos管建模研究[本文76页]  深亚微米ldd mosfet器件热载流子效应[本文76页]  超深亚微米ldd mosfet器件模型及热载[本文135页]
 ldd公司ipo造假案例分析--基于证券监[本文35页]  基于场板和ldd技术的algan/gan hemt器[本文77页]  短波sfh/gmsk系统解调技术研究[本文77页]
 64k bicmos prom的工艺实现[本文68页]  抗热载流子效应的工艺及器件结构研究[本文58页]  pci设备驱动程序设计与应用[本文76页]
 新型tft器件的模拟研究--halo ldd多晶[本文69页]  0.35um工艺mcu电路esd耐量优化和保护[本文71页]  t0.1标准下改善90nm 3.3v nmos热载流[本文57页]
 氟基等离子体处理对algan/gan hemt的[本文78页]  ofdma系统中基于能量效率的资源分配优[本文67页]  新型纳米器件及其应用电路建模分析[本文79页]
 
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