T0.1标准下改善90nm 3.3V NMOS热载流子注入（HCI）效应



T0.1标准下改善90nm 3.3V NMOS热载流子注入（HCI）效应

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T0.1标准下改善90nm 3.3V NMOS热载流子注入（HCI）效应

论文目录
摘要	第1-6页
Abstract	第6-12页
第一章绪论	第12-28页
· 可靠性综述	第12-14页
· 可靠性简介	第14-19页
· 时间相关电介质击穿TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown)	第15页
· 栅极氧化物完整性(GOI)	第15-16页
· 热载流子注入效应(HCI)	第16页
· 负偏置温度不稳定性(NBTI)	第16-17页
· 电迁移(EM)	第17-18页
· 应力迁移(SM)	第18页
· 总结	第18-19页
· 热载流子注入效应(HCI)分析	第19-24页
· HCI的机理简介	第19-20页
· HCI的影响因素以及测试方法	第20-23页
· HCI的评价标准	第23-24页
· 课题背景分析	第24-27页
· 90nm技术下的热载流子效应分析	第24-25页
· 90nm 3.3V NMOS的热载流子注入效应的改善	第25-27页
· 研究目的	第27页
· 小结	第27-28页
第二章 ·V NMOS热载流子注入效应分析	第28-36页
· 3.3V NMOS HCI的现状	第28-29页
· 现有工艺的热载流子注入效应评估	第28-29页
· 原因分析	第29-35页
· 现有LDD注入工艺对器件的影响	第31-33页
· 现有退火工艺对器件的影响	第33-35页
· 小结	第35-36页
第三章实验设计与研究方法	第36-43页
· 工艺比较	第36-37页
· LDD注入的实验设计	第37-38页
· LDD退火的实验设计	第38-40页
· 测试方法简介	第40-41页
· 实验设计小结	第41-43页
第四章实验结果分析和结论	第43-51页
· LDD注入实验的测试结果	第43-45页
· LDD注入退火实验的测试结果	第45-46页
· 实验结果分析及优化	第46-49页
· 测试结果小结	第49-50页
· 小结	第50-51页
第五章论文总结	第51-53页
参考文献	第53-56页
致谢	第56-57页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文	第57页

本篇论文共57页，点击这进入下载页面。

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