论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 引言 | 第12-16页 |
| 第二章 文献综述 | 第16-50页 |
| 2.1 ZnO的晶体结构 | 第16-17页 |
| 2.2 ZnO的基本形态 | 第17-20页 |
| 2.2.1 ZnO体单晶 | 第17-18页 |
| 2.2.2 ZnO纳米结构 | 第18-19页 |
| 2.2.3 ZnO薄膜 | 第19-20页 |
| 2.3 ZnO的物理特性 | 第20-24页 |
| 2.3.1 ZnO的基本性质 | 第20-21页 |
| 2.3.2 ZnO的光学性质 | 第21-23页 |
| 2.3.3 ZnO的电学性质 | 第23-24页 |
| 2.4 ZnO的能带工程 | 第24-31页 |
| 2.4.1 ZnO的能带结构 | 第25-26页 |
| 2.4.2 ZnO的合金化 | 第26-27页 |
| 2.4.3 Zn_(1-x)Mg_xO合金 | 第27-29页 |
| 2.4.4 Zn_(1-x)Be_xO合金 | 第29-30页 |
| 2.4.5 Zn_(1-x)Cd_xO合金 | 第30-31页 |
| 2.5 ZnO基量子阱结构 | 第31-38页 |
| 2.5.1 量子阱的基本概念 | 第32页 |
| 2.5.2 量子阱的物理效应 | 第32-34页 |
| 2.5.3 ZnO量子阱的研究及应用 | 第34-38页 |
| 2.6 非极性ZnO薄膜及相关研究进展 | 第38-47页 |
| 2.6.1 非极性ZnO薄膜的研究意义 | 第38-41页 |
| 2.6.2 非极性ZnO薄膜的制备方法 | 第41-42页 |
| 2.6.3 非极性ZnO薄膜的特性及研究进展 | 第42-45页 |
| 2.6.4 非极性Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO量子阱的研究进展 | 第45-47页 |
| 2.7 本文的研究思路 | 第47-50页 |
| 第三章 实验原理、生长工艺及表征手段 | 第50-58页 |
| 3.1 实验设备 | 第50-53页 |
| 3.1.1 MBE的工作原理 | 第50-51页 |
| 3.1.2 MBE的技术优势 | 第51页 |
| 3.1.3 MBE的设备构造 | 第51-53页 |
| 3.2 实验原料及生长工艺 | 第53-55页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第53-54页 |
| 3.2.2 衬底的选择及清洗 | 第54页 |
| 3.2.3 生长工艺 | 第54-55页 |
| 3.3 表征手段 | 第55-58页 |
| 第四章 非极性a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的外延生长及性能研究 | 第58-78页 |
| 4.1 非极性a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜外延生长参数的优化 | 第58-70页 |
| 4.1.1 生长温度对a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第59-63页 |
| 4.1.2 氧气流量对a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第63-66页 |
| 4.1.3 缓冲层厚度对a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜性能的影响 | 第66-70页 |
| 4.2 不同Mg含量a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的性能研究 | 第70-77页 |
| 4.2.1 不同Mg组分a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的晶体质量 | 第71-73页 |
| 4.2.2 不同Mg组分a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的表面形貌 | 第73-75页 |
| 4.2.3 不同Mg组分a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的光电性能 | 第71-77页 |
| 4.3 本章小结 | 第77-78页 |
| 第五章 非极性a面ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO异质结能带带阶的研究 | 第78-90页 |
| 5.1 能带带阶的测试方法 | 第79页 |
| 5.2 a面ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO异质结的制备 | 第79-81页 |
| 5.3 a面ZnO/Znl_xMgxO异质结能带带阶的测定 | 第81-88页 |
| 5.4 本章小结 | 第88-90页 |
| 第六章 非极性a面ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO多量子阱性能的研究 | 第90-106页 |
| 6.1 a面ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO多量子阱的制备 | 第91-93页 |
| 6.2 a面ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO多量子阱的激子局域化效应 | 第93-96页 |
| 6.3 阱层宽度对a面ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO多量子阱光学性能的影响 | 第96-100页 |
| 6.4 垒层Mg含量对a面ZnO/Zn_(1-x)Mg_xO多量子阱光学性能的影响 | 第100-104页 |
| 6.5 本章小结 | 第104-106页 |
| 第七章 GaN缓冲层提高a面ZnO薄膜晶体质量的研究 | 第106-120页 |
| 7.1 GaN缓冲层的制备及表征 | 第107-108页 |
| 7.2 GaN缓冲层工艺对a面ZnO薄膜性能的影响 | 第108-115页 |
| 7.2.1 GaN缓冲层厚度对a面ZnO性能的影响 | 第108-112页 |
| 7.2.2 GaN缓冲层生长温度对a面ZnO性能的影响 | 第112-115页 |
| 7.3 经过优化工艺生长的a面ZnO薄膜 | 第115-118页 |
| 7.4 本章小结 | 第118-120页 |
| 第八章 结论 | 第120-122页 |
| 8.1 全文总结 | 第120-121页 |
| 8.2 主要创新点 | 第121页 |
| 8.3 工作展望 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-142页 |
| 致谢 | 第142-144页 |
| 个人简历 | 第144-146页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文和取得的其他科研成果 | 第146-147页 |
