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厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究
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厚膜SOI材料和SiGeOI材料制备研究
论文目录
 
摘要第1-5 页
Abstract第5-10 页
第一章 引言第10-25 页
　　· SOI材料的应用第10-14 页
　　　　· SOI材料在集成电路方面应用第10-11 页
　　　　· SOI材料在光通信方面的应用第11-14 页
　　· SOI材料制备方法第14-18 页
　　　　· 注氧隔离(SIMOX)技术第14-15 页
　　　　· 键合与背面腐蚀技术(BESOI)第15-16 页
　　　　· 智能剥离(Smart—Cut)技术第16-18 页
　　· SiGeOI材料发展应用第18-23 页
　　　　· SiGe材料在微电子技术中应用第18-20 页
　　　　· SiGe材料的性质和特点第20-22 页
　　　　· SiGeOI材料第22 页
　　　　· SiGeOI材料的制备第22-23 页
　　· 本论文工作第23-25 页
第二章 厚膜SOI材料制备研究第25-49 页
　　· 厚膜SOI材料制备第25-27 页
　　　　· 厚膜SOI材料制备步骤第25-26 页
　　　　· 制备原理第26-27 页
　　2.2.厚膜SOI材料性能表征第27-45 页
　　　　· 厚膜SOI材料SE测试第27-30 页
　　　　· 厚膜SOI材料结构表征第30-32 页
　　　　· 卢瑟福背散射技术分析外延层晶体质量第32-34 页
　　　　· 厚膜SOI材料电阻率分析第34-37 页
　　　　· 热处理对SOI衬底和厚膜SOI材料的影响第37-40 页
　　　　· 厚膜SOI材料缺陷密度表征第40-43 页
　　　　· 表面与界面AFM表征第43-45 页
　　· 厚膜SOI材料光传输实验第45-47 页
　　　　· 脊型SOI波导制备第46 页
　　　　· 波导测试第46-47 页
　　· 本章小结第47-49 页
第三章 不同氧注入剂量对外延厚膜SOI材料的影响第49-62 页
　　· 实验过程第49-50 页
　　　　· SOI衬底制备第49 页
　　　　· 外延生长制各厚膜SOI村料第49-50 页
　　· 样品表征第50-61 页
　　　　· Secco液腐蚀观察缺陷密度第50-52 页
　　　　· 衬底表面表征第52-56 页
　　　　· 透射电镜(TEM)分析第56-58 页
　　　　· 卢瑟福背散射(RBS／C)分析第58-60 页
　　　　· 分析与讨论第60-61 页
　　· 本章小结第61-62 页
第四章 高温氢处理衬底对外延层的影响第62-72 页
　　· 引言第62-64 页
　　· 实验安排第64 页
　　· 结果与分析第64-71 页
　　　　· 外延层中缺陷分析第64-65 页
　　　　· 高温氢处理对SOI衬底的影响第65-71 页
　　· 本章小结第71-72 页
第五章 SiGeOI材料制备研究第72-113 页
　　· SiGe材料生长介绍第72-75 页
　　· SGOI材料制备方法第75-76 页
　　　　· SiGe／SOI材料制备第75 页
　　　　· SGOI材料获得和材料表征第75-76 页
　　· 高Ge浓度SiGe／SOI制备SGOI材料第76-101 页
　　　　· SiGe／SOI材料RBS分析第76-77 页
　　　　· SiGe／SOI材料Raman分析第77-80 页
　　　　· SiGe／SOI材料结构TEM分析第80-83 页
　　　　· SiGe／SOI材料四晶衍射分析第83-86 页
　　　　· SGOI材料(1#B样品制备)TEM和EDS分析第86-91 页
　　　　· SGOI材料(1#B样品制备)应变弛豫和成分分析第91-93 页
　　　　· SGOI材料(1#B样品制备)表面分析第93-95 页
　　　　· SGOI材料(1#A样品制备)TEM和EDS分析第95-99 页
　　　　· SGOI材料(1#A样品制备)应变弛豫和成分分析第99-101 页
　　· 低Ge浓度SiGe／SOI制备SGOI材料第101-112 页
　　　　· SiGe／SOI村料应变弛豫和成分分析第101-102 页
　　　　· SiGe层氧化过程中成分分析第102-106 页
　　　　· SGOI材料Raman和X射线四晶衍射分析第106-109 页
　　　　· SiGe层氧化后表面形貌分析第109-112 页
　　· 本章小结第112-113 页
第六章 注H在制备SiGeOI材料中作用研究第113-130 页
　　· 实验安排第114 页
　　· 结果与分析第114-128 页
　　　　· H离子注入深度模拟第114-115 页
　　　　· TEM结构分析第115-117 页
　　　　· AES分析成分变化第117-119 页
　　　　· AFM表面分析第119-123 页
　　　　· 二次离子质谱分忻(SIMS)第123-126 页
　　　　· RBS／C分析晶体质量第126-128 页
　　　　· SGOI材料应变弛豫分析第128 页
　　· 本章小结第128-130 页
第七章 结论第130-132 页
参考文献第132-145 页
攻读博士学位期间发表学术论文目录第145-148 页
致谢第148-149 页
个人简历第149-150 页
学位论文独创性声明第150 页
学位论文使用授权声明第150 页

本篇论文共150页，点击这进入下载页面。
 
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