锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究
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锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究
论文目录
摘要
第1-11 页
第一章 引言
第11-12 页
第二章 文献综述
第12-29 页
· MBE技术简介
第12-14 页
· Ⅲ-Ⅴ族化合物MBE生长及性质
第14-16 页
· 半导体激光器简介
第16-19 页
· 2-5μm波段Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体激光器
第19-24 页
· 量子级联激光器
第24-25 页
· InGaAsSb红外探测器
第25-27 页
· 中科院上海微系统所(原冶金所)的锑化物材料与器件的研究
第27 页
· 小结
第27-29 页
第三章 2μm InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器设计与优化
第29-46 页
· 引言
第29 页
· Ⅲ—Ⅴ族材料基本参数的计算
第29-37 页
· AlGaAsSb和InGaAsSb的晶格常数
第29-32 页
· AlGaAsSb和InGaAsSb的禁带宽度
第32-34 页
· AlGaAsSb和InGaAsSb的折射率
第34-37 页
· 应变量子阱的能带结构和增益谱
第37-41 页
· AlGaAsSb/InGaAsSb激光器光学限制因子
第41-42 页
· InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁近似计算
第42-45 页
· 小结
第45-46 页
第四章 AlGaAsSb材料的生长和测试表征
第46-62 页
· 国产Ⅳ型分子束外延系统
第46-47 页
· 分子束外延生长基本步骤
第47-48 页
· 材料的测试表征方法
第48 页
· AlGaAsSb的材料的生长研究
第48-61 页
· 衬底的表面处理
第48-51 页
· 生长温度对材料质量的影响
第51-52 页
· 材料组分和应变的调节
第52-58 页
· AlGaAsSb材料的掺杂研究
第58-61 页
· 小结
第61-62 页
第五章 InGaAsSb材料的生长和测试表征
第62-70 页
· InGaAsSb材料的不互溶隙
第62 页
· InGaAsSb材料的临界厚度
第62-64 页
· InGaAsSb材料的MBE生长特性
第64-66 页
· InGaAsSb材料的组分和带隙波长
第66-68 页
· 小结
第68-70 页
第六章 量子阱材料的生长和测试表征
第70-82 页
· 引言
第70 页
· 不同数目量子阱材料的测试特性
第70-74 页
· 不同生长质量的多量子阱材料的测试特性
第74-75 页
· 材料光致发光波长与阱宽的关系
第75-77 页
· 不同量子阱材料光致发光与温度的关系
第77-78 页
· 不同量子阱材料光致发光与激发功率的关系
第78-80 页
· 不同垒厚度对光致发光的影响
第80-81 页
· 小结
第81-82 页
第七章 激光器和探测器的结构与性能测试
第82-90 页
· 引言
第82 页
· 激光器的结构与能带
第82-85 页
· 探测器的结构与能带
第85-86 页
· 激光器的制作工艺
第86 页
· 探测器的制作工艺
第86-87 页
· 激光器的测试结果
第87-88 页
· 探测器的测试结果
第88-89 页
· 小结
第89-90 页
第八章 结论
第90-93 页
参考文献
第93-98 页
发表文章目录
第98-99 页
致谢
第99-100 页
作者简历
第100 页
本篇论文共
100
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