论文目录 | |
| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| · 研究背景-光互联的发展 | 第11-12页 |
| · 稀土共掺杂氧化物薄膜的光致发光研究现状 | 第12-14页 |
| · 稀土掺杂三氧化二铝的研究 | 第12页 |
| · 稀土掺杂氧化锌的研究 | 第12-13页 |
| · 稀土掺杂氧化物中光学敏化剂的研究 | 第13-14页 |
| · 稀土元素铒与铥的光谱理论 | 第14-19页 |
| · 本论文研究工作 | 第19-20页 |
| 参考文献 | 第20-22页 |
| 第二章 稀土共掺杂氧化物薄膜材料的制备工艺与表征方法 | 第22-40页 |
| · 稀土共掺杂氧化物薄膜材料的制备工艺 | 第22-31页 |
| · 各种薄膜制备方法简介 | 第22-25页 |
| · 硅衬底片的清洗 | 第25-26页 |
| · 磁控溅射技术 | 第26-29页 |
| · 薄膜退火 | 第29-31页 |
| · 稀土掺杂薄膜材料的表征技术 | 第31-38页 |
| · 卢瑟福背散射(RBS) | 第31-32页 |
| · 透射电子显微镜(TEM) | 第32-33页 |
| · X射线衍射(XRD) | 第33-34页 |
| · 拉曼光谱(RAMAN) | 第34页 |
| · X射线光电子谱分析(XPS) | 第34-36页 |
| · 光致发光谱(PL) | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-40页 |
| 第三章 Er:Si:Al_2O_3薄膜的研究 | 第40-52页 |
| · 引言 | 第40-42页 |
| · Er:Si:Al_2O_3薄膜的制备 | 第42-43页 |
| · Er:Si:Al_2O_3薄膜的发光性质及结构表征 | 第43-50页 |
| · 不同退火温度下的多层膜PL强度及与双层膜PL比较 | 第43-44页 |
| · 不同退火温度下的多层膜的拉曼谱 | 第44-45页 |
| · 不同激发波长下的多层膜PL强度的变化 | 第45-46页 |
| · 不同退火温度下的多层膜中Er的寿命和激发率 | 第46-48页 |
| · 多层膜PL温度特性 | 第48-50页 |
| · 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第四章 Er:Tm:Al_2O_3薄膜材料的PL光谱温度特性研究 | 第52-63页 |
| · 引言 | 第52-53页 |
| · Er:Tm:Al_2O_3薄膜的制备 | 第53-54页 |
| · Er:Tm:Al_2O_3薄膜的发光性质及结构表征 | 第54-61页 |
| · 不同铒铥掺杂比例下薄膜PL | 第54-56页 |
| · 不同激发波长下的薄膜PL | 第56-57页 |
| · 不同工作温度下薄膜PL | 第57-59页 |
| · 稀土之间能量传递机制的讨论 | 第59-61页 |
| · 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第五章 Er:Si:ZnO薄膜光致发光特性的研究 | 第63-71页 |
| · 引言 | 第63-64页 |
| · Er:Si:ZnO薄膜的制备 | 第64-65页 |
| · Er:Si:ZnO薄膜的发光性质及结构表征 | 第65-69页 |
| · 不同退火温度下Er:Si:ZnO多层薄膜和三明治结构薄膜的PL | 第65-66页 |
| · 不同波长激发下的多层膜PL | 第66-67页 |
| · Er:Si:ZnO三明治结构薄膜与Er:ZnO薄膜的PL | 第67-68页 |
| · 不同工作温度下Er:Si:ZnO多层膜及三明治结构PL | 第68-69页 |
| · 结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第六章 Er:Tm:ZnO薄膜的宽带PL谱研究 | 第71-78页 |
| · 引言 | 第71-72页 |
| · Er:Tm:ZnO薄膜的制备 | 第72-73页 |
| · Er:Tm:ZnO薄膜的PL特性 | 第73-76页 |
| · 不同退火温度下Er:Tm:ZnO单层薄膜的PL | 第73-74页 |
| · Er:Tm:ZnO单层薄膜PL强度和Er,Tm浓度比的关系 | 第74-75页 |
| · 不同激发波长下Er:Tm:ZnO单层薄膜PL | 第75-76页 |
| · 结论 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-78页 |
| 第七章 Er:Si:ZnO/Tm:Si:ZnO双层膜的宽带发光特性研究 | 第78-91页 |
| · 引言 | 第78-80页 |
| · Er:Si:ZnO/Tm:Si:ZnO双层膜的制备 | 第80-81页 |
| · Er:Si:ZnO/Tm:Si:ZnO双层膜的发光性质及结构表征 | 第81-89页 |
| · Er:Si:ZnO/Tm:Si:ZnO双层膜,Er:ZnO/Tm:ZnO双层膜及Er:ZnO单层膜PL | 第81-82页 |
| · 激发波长分别为488纳米与795纳米Er:Si:ZnO/Tm:Si:ZnO双层膜薄膜中铒和铥的PL强度随退火温度的变化 | 第82-85页 |
| · 不同退火温度下Er:Si:ZnO/Tm:Si:ZnO双层膜结构的研究 | 第85-87页 |
| · 不同退火温度下Er:Si:ZnO/Tm:Si:ZnO双层膜中铒和铥的变温行为的研究 | 第87-89页 |
| · 结论 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第91-92页 |
| 攻读博士学位期间参加的学术会议 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-96
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