论文目录 | |
中文摘要 | 第1-11页 |
ABSTRACT | 第11-13页 |
第一部分 [NHC→B]_n 和[NHB-C]_n(n=2-6)占据轨道的离域度对分子稳定性影响的理论研究 | 第13-45页 |
第一章 综述 | 第14-18页 |
1.1 硼硼三键化合物的研究现状及研究意义 | 第14-15页 |
1.2 课题设计思路 | 第15页 |
1.3 论文主要内容 | 第15-18页 |
第二章 理论基础和计算方法 | 第18-24页 |
2.1 引言 | 第18页 |
2.2 量子化学的基本方程与具体方法 | 第18-21页 |
2.2.1 薛定谔方程及三个近似 | 第18-19页 |
2.2.2 从头算方法 | 第19-20页 |
2.2.3 密度泛函理论(DFT) | 第20-21页 |
2.3 与本章有关的主要程序和方法 | 第21-24页 |
2.3.1 Gaussian程序 | 第21-22页 |
2.3.2 AdNDP程序 | 第22-24页 |
第三章 [NHC-B]_n 和[NHB-C]_n (n=2-6)占据轨道的离域度对分子稳定性影响的理论研究 | 第24-38页 |
3.1 引言 | 第24页 |
3.2 计算方法 | 第24-25页 |
3.3 计算结果与讨论 | 第25-36页 |
3.3.1 热力学稳定性 | 第25-26页 |
3.3.2 芳香性 | 第26-27页 |
3.3.3 电子结构分析 | 第27-36页 |
3.4 本章小结 | 第36-38页 |
参考文献 | 第38-45页 |
第二部分 一氧化碳在钴表面活化的轨道相互作用解析 | 第45-68页 |
第一章 综述 | 第46-50页 |
1.1 费托合成的研究现状及研究意义 | 第46-47页 |
1.2 课题设计思路 | 第47-48页 |
1.3 论文主要内容 | 第48-50页 |
第二章 理论基础和计算软件 | 第50-52页 |
2.1 本章用到的量子化学的理论基础 | 第50页 |
2.1.1 基组 | 第50页 |
2.1.2 赝势(Pseudo potential) | 第50页 |
2.2 常用术语和相关公式 | 第50-51页 |
2.2.1 吸附能Eads(adsorption energy) | 第50页 |
2.2.2 活化能Ea(activation energy barrier) | 第50页 |
2.2.3 CI-NEB(Climbing Image Nudged Elastic Band) | 第50-51页 |
2.2.4 态密度(density of state,DOS) | 第51页 |
2.3 本章用到的主要程序和方法 | 第51-52页 |
2.3.1 Materials Studio软件简介 | 第51页 |
2.3.2 VASP程序简介 | 第51-52页 |
第三章 一氧化碳在钴表面活化的轨道相互作用解析 | 第52-62页 |
3.1 引言 | 第52-53页 |
3.2 计算方法 | 第53-54页 |
3.3 计算模型 | 第54-55页 |
3.4 计算结果和讨论 | 第55-60页 |
3.4.1 热力学分析 | 第55-57页 |
3.4.2 电子结构分析 | 第57-60页 |
3.5 本章小结 | 第60-62页 |
参考文献 | 第62-68页 |
主要结论与展望 | 第68-70页 |
主要结论 | 第68-69页 |
展望 | 第69-70页 |
攻读硕士学位期间发表论文 | 第70-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
个人简况及联系方式 | 第72-75页 |