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非极性AlGaN/GaN异质结二维电子气各向异性输运特性研究
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非极性AlGaN/GaN异质结二维电子气各向异性输运特性研究
论文目录
 
摘要第1-6页
Abstract第6-10页
第一章 绪论第10-18页
　　· 非极性GaN 材料的物理特性第10-12页
　　· 极性AlGaN/GaN异质结的缺陷第12-14页
　　　　· 极性材料中的量子限制斯塔克效应第12-13页
　　　　· 高密度的极化电荷第13-14页
　　· 非极性AlGaN/GaN异质结的研究意义第14-15页
　　　　· 非极性GaN材料中的各向异性第14-15页
　　　　· 增强型的HFET器件第15页
　　· 非极性面GaN的研究背景第15-16页
　　· 本文的主要内容和安排第16-18页
第二章 各向异性在非极性面GaN材料中的体现第18-26页
　　· 条纹状的表面形貌第18-19页
　　· 各向异性的位错密度第19-21页
　　· 堆垛层错第21页
　　· 霍尔效应测试第21-23页
　　· 本章小结第23-26页
第三章 非极性GaN基异质结 2DEG的低场迁移率模型第26-46页
　　· 二维电子气相关基础理论第26-28页
　　　　· 二维电子气的定义第26-27页
　　　　· 2DEG的主要的散射机制第27-28页
　　· 带电的堆垛层错的动量弛豫模型第28-33页
　　· 界面粗糙度散射和线性偶极子散射第33-37页
　　　　· 界面粗糙度散射第33-35页
　　　　· 偶极子散射第35-37页
　　· 其他的散射机制简介第37-39页
　　　　· 晶格振动散射第37-38页
　　　　· 杂质散射第38页
　　　　· 合金无序散射第38页
　　　　· 位错散射第38-39页
　　· 2DEG面密度的建模第39-42页
　　　　· 栅极以外的 2DEG面密度第39-41页
　　　　· 栅极金属下的 2DEG面密度第41-42页
　　· AlGaN/GaN HEMT器件物理第42-44页
　　　　· 阈值电压第42-44页
　　　　· 沟道中的电子浓度与电压的关系第44页
　　· 本章小结第44-46页
第四章 结构参数和温度对非极性AlGaN/GaN异质结 2DEG迁移率的影响第46-66页
　　· 2DEG迁移率随 2DEG面密度的变化第46-50页
　　· 温度T对迁移率的影响第50-52页
　　· 势垒层的掺杂浓度和厚度对迁移率的影响第52-57页
　　　　· 势垒层的掺杂浓度对迁移率的影响第53-54页
　　　　· 势垒层的厚度对迁移率的影响第54-57页
　　· 势垒层Al含量对迁移率的影响第57-59页
　　· 非极性AlGaN/GaN HFET器件结构和特性第59-61页
　　　　· 肖特基栅型HFET第59-60页
　　　　· MIS型栅的HFET第60-61页
　　· 非极性GaN基HFET器件仿真第61-64页
　　　　· 仿真软件的介绍第61页
　　　　· 器件的基本模型第61-62页
　　　　· 器件的仿真结果分析第62-64页
　　· 本章小结第64-66页
第五章 总结与展望第66-68页
致谢第68-70页
参考文献第70-73 页

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