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4H-SiC厚膜外延工艺研究
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4H-SiC厚膜外延工艺研究
论文目录
 
摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-15页
　　· SiC材料结构与性质第7-10页
　　　　· 碳化硅材料结构第7-8页
　　　　· SiC材料性质及功率器件应用前景第8-10页
　　· 碳化硅厚膜外延研究现状第10-13页
　　　　· 垂直CVD研究现状第10-11页
　　　　· 氯化生长源研究现状第11-12页
　　　　· 水平热壁CVD研究现状第12-13页
　　· 碳化硅厚膜外延存在的问题第13-14页
　　· 本论文的主要工作第14-15页
第二章 碳化硅外延生长方法与设备第15-25页
　　· 常用碳化硅外延生长方法第15-18页
　　　　· 蒸发生长技术第15页
　　　　· 液相外延第15-16页
　　　　· 分子束外延第16页
　　　　· CVD生长技术第16-17页
　　　　· 总结碳化硅外延生长方法对厚膜外延生长的适用性第17-18页
　　· 常用碳化硅外延生长设备第18-22页
　　　　· VP 2400 HW第19-20页
　　　　· AIX G5 WW第20页
　　　　· VP 508 GFR第20-21页
　　　　· SB50 & SB100第21-22页
　　· VP 508 GFR系统生长工艺介绍第22-24页
　　　　· VP 508 GFR生长系统介绍第22-23页
　　　　· VP 508 GFR生长工艺流程第23-24页
　　· 本章小结第24-25页
第三章 4H-SiC外延生长速率的研究第25-33页
　　· 实验设计第25-26页
　　· 不同生长条件对生长速率的影响研究第26-30页
　　　　· 生长时间第26-27页
　　　　· 生长源流量第27页
　　　　· 生长温度和生长气压第27-28页
　　　　· 载气流量第28-30页
　　· 实验结论及分析第30-31页
　　　　· 工艺参数对生长速率的影响第30页
　　　　· 生长机制第30-31页
　　· 本章小结第31-33页
第四章 4H-SiC厚膜外延质量的研究第33-45页
　　· 表征方法分析第33-38页
　　　　· FTIR厚度测试原理第33-36页
　　　　· X射线衍射分析第36-38页
　　· 测试结果分析第38-43页
　　　　· 生长时间第38-39页
　　　　· 生长源流量第39-40页
　　　　· 生长气压第40-41页
　　　　· 生长温度第41页
　　　　· 载气流量第41-43页
　　· 本章小结第43-45页
第五章 结束语第45-47页
致谢第47-49页
参考文献第49-53 页

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