台阶场板结构4H-SiC高压肖特基二极管的研究



台阶场板结构4H-SiC高压肖特基二极管的研究

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台阶场板结构4H-SiC高压肖特基二极管的研究

论文目录
摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第一章绪论	第8-16页
· 碳化硅材料的优势及研究背景	第8-10页
· SiC 肖特基二极管的研究现状	第10-12页
· 电场集中效应和场板结构	第12-14页
· 本文的主要研究工作	第14-16页
第二章碳化硅材料特性分析和物理模型	第16-30页
· 碳化硅材料的基本特征	第16-24页
· SiC 的晶体结构	第16-18页
· 4H-SiC 的能带宽度	第18-19页
· 碰撞电离系数	第19-20页
· 载流子的迁移率	第20-24页
· 碳化硅材料的物理模型	第24-26页
· 杂质不完全离化模型和碰撞离化模型	第24-25页
· 禁带宽度模型	第25-26页
· SRH 复合及俄歇复合模型	第26页
· 器件仿真工具介绍	第26-28页
· 本章小结	第28-30页
第三章台阶场板结构 4H-SiC SBD 击穿特性模拟研究	第30-46页
· 4H-SiC 功率 SBD 工作机理研究	第30-35页
· 正向特性	第31-33页
· 反向特性	第33-35页
· 单级场板和台阶场板结构 4H-SiC SBD 器件基本结构和参数	第35-36页
· 单级场板和台阶场板结构 4H-SiC SBD 器件击穿特性比较	第36-40页
· 介质层厚度 ti对台阶结构 SBD 击穿特性的影响	第40-43页
· 本章小结	第43-46页
第四章台阶场板结构 4H-SiC SBD 工艺实验研究	第46-56页
· 实验材料及 4H-SiC SBD 的关键工艺	第46-51页
· 实验材料	第46页
· 4H-SiC SBD 关键工艺	第46-51页
· 版图设计及工艺步骤	第51-54页
· 4H-SiC SBD 版图设计	第51-52页
· 制备工艺流程	第52-54页
· 本章小结	第54-56页
第五章研究总结	第56-58页
致谢	第58-60页
参考文献	第60-64 页

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