KDP溶液晶体生长新系统输运特性数值模拟研究



KDP溶液晶体生长新系统输运特性数值模拟研究

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KDP溶液晶体生长新系统输运特性数值模拟研究

论文目录
中文摘要	第1-5页
英文摘要	第5-14页
1 绪论	第14-38页
· 引言	第14-19页
· 非线性光学材料简介	第14-15页
· KDP 晶体简介	第15-19页
· 晶体生长的基本过程	第19-23页
· 溶解过程	第19页
· 晶体生长基元的形成	第19-20页
· 晶体生长的输运过程	第20-21页
· 晶体生长界面及其生长	第21-23页
· 晶体生长的研究现状	第23-34页
· 晶体的制备方法	第23-27页
· KDP 晶体快速生长的相关研究	第27-29页
· 晶体形貌稳定性方面的研究	第29-32页
· 数值模拟的研究现状	第32-34页
· 课题的研究目的和内容	第34-38页
· 课题的提出及意义	第34-35页
· 课题的研究内容	第35-36页
· 本课题的主要特色	第36-38页
2 小尺寸晶体液下生长的数值模拟	第38-64页
· 引言	第38页
· 数值模拟	第38-39页
· FLUENT 软件	第39-40页
· FLUENT 软件介绍	第39页
· FLUENT 模拟计算步骤	第39-40页
· 晶体生长的输运过程	第40-45页
· 输运理论的基本方程	第40-42页
· 控制方程的离散格式	第42-44页
· 流场计算的SIMPLE 算法	第44-45页
· 物理模型	第45-46页
· 数学模型	第46-49页
· 基本假设	第46页
· 基本控制方程	第46页
· 边界条件	第46-48页
· 网格划分及数值方法	第48-49页
· 计算结果及分析	第49-62页
· 入口溶液流动速度的影响	第49-56页
· 体过饱和度的影响	第56-60页
· 晶体尺寸的影响	第60-62页
· 小结	第62-64页
3 KDP 晶体喷入式生长系统及数值模拟	第64-88页
· 引言	第64页
· 物理模型的提出	第64-65页
· 数学模型	第65-67页
· 基本假设	第65-66页
· 基本方程及边界条件	第66页
· 网格划分及数值方法	第66-67页
· 计算结果及分析	第67-81页
· 体过饱和度σb 的影响	第67-71页
· 同时改变入口流速Vpr 和Vpy 的影响	第71-75页
· 柱面入口流速Vpr 的影响	第75-77页
· 锥面入口流速Vpy 的影响	第77-79页
· 入口流速和体过饱和度对溶质边界层的影响	第79-81页
· 结果讨论	第81-85页
· 自然对流与强制对流	第81-83页
· 系统的比较及优化	第83-85页
· 小结	第85-88页
4 带旋转流场的晶体生长系统及数值模拟	第88-112页
· 引言	第88页
· 物理模型	第88-89页
· 数学模型	第89-91页
· 基本假设	第89页
· 基本方程及边界条件	第89-90页
· 湍流模型	第90-91页
· 网格划分及数值方法	第91页
· 计算结果及分析	第91-104页
· 旋转速度的影响	第91-96页
· 体过饱和度的影响	第96-101页
· 溶液入口流速的影响	第101-104页
· 结果讨论	第104-110页
· 自然对流与强制对流	第104-106页
· 溶质边界层	第106-108页
· 系统的比较及优化	第108-110页
· 小结	第110-112页
5 结论与展望	第112-116页
· 论文的主要结论	第112-114页
· 论文的主要创新点	第114页
· 后续研究工作的展望	第114-116页
致谢	第116-118页
参考文献	第118-126页
附录	第126-132页
A.晶体生长源项C 程序	第126-131页
B.攻读博士学位期间发表的学术论文	第131-132页
C.攻读博士学位期间参加的科研项目	第132页

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