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P型透明导电氧化物薄膜的研究
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P型透明导电氧化物薄膜的研究
论文目录
 
摘要第1-5 页
Abstract第5-9 页
第一章 文献综述第9-21 页
　　· 引言第9-11 页
　　· 透明导电氧化物(TCO)薄膜概述第11-18 页
　　　　· SnO_2薄膜的特性第11-13 页
　　　　· Sb_2O_5薄膜的特性第13-14 页
　　　　· Ga_2O_3薄膜的特性第14-15 页
　　　　· TCO薄膜的P型掺杂第15-18 页
　　　　　　· P型掺杂机理及影响因素第15-16 页
　　　　　　· P型TCO薄膜发展现状第16-18 页
　　· 本文研究的目的及内容第18-20 页
　　· 本章小结第20-21 页
第二章 理论介绍第21-30 页
　　· 第一原理计算第21-22 页
　　· CASTEP模块第22-29 页
　　　　· 密度泛函理论基本原理第22-27 页
　　　　　　· Hohenber-Kohn定理第23-24 页
　　　　　　· Kohn-Sham方程式第24-25 页
　　　　　　· 交换关联泛函第25-27 页
　　　　· 平面波赝势第27-29 页
　　　　　　· 范数不变赝势(NCPP)第28 页
　　　　　　· 超软赝势(USP)第28-29 页
　　· 本章小结第29-30 页
第三章 计算参数设置及相关概念第30-36 页
　　· 超晶胞第30 页
　　· 布里渊区k空间取样点第30 页
　　· 赝势第30-31 页
　　· 平面波截止能量第31 页
　　· 形成能及电离能第31-33 页
　　　　· 形成能计算公式第31-33 页
　　　　　　· 化学势(μ_i)第32-33 页
　　　　· 电离能计算公式第33 页
　　· 电子态密度,电荷密度分布及集居分析第33-35 页
　　　　· 电子态密度第33-34 页
　　　　· 电荷密度分布第34-35 页
　　　　· 集居分析第35 页
　　· 本章小结第35-36 页
第四章 薄膜的制备及其表征第36-40 页
　　· 薄膜的制备第36-38 页
　　　　· 制备原理第36 页
　　　　· 实验设备第36-37 页
　　　　· 薄膜制备过程第37-38 页
　　　　　　· SnO_2薄膜的制备过程第37-38 页
　　　　　　· Sb_2O_5薄膜的制备过程第38 页
　　　　　　· Ga_2O_3薄膜的制备过程第38 页
　　· 薄膜的表征第38-39 页
　　　　· 薄膜晶体结构的表征第38-39 页
　　　　· 薄膜成分分析第39 页
　　　　· 薄膜光学性能的测试第39 页
　　　　· 薄膜电学性能的测试第39 页
　　· 本章小结第39-40 页
第五章 SnO_2本征缺陷的研究第40-48 页
　　· 缺陷电子结构研究第40-45 页
　　· 缺陷形成能第45-46 页
　　· 本章小结第46-48 页
第六章 SnO_2薄膜的p型掺杂研究第48-60 页
　　· 含Ⅲ族杂质的SnO_2电子结构研究第48-54 页
　　· Ⅲ族杂质形成能及电离能第54-56 页
　　· 实验第56-59 页
　　　　· 薄膜晶体结构及成分分析第56-58 页
　　　　· 薄膜电学性能及光学性能分析第58-59 页
　　· 本章小结第59-60 页
第七章 SnO_2薄膜的p型共掺研究第60-68 页
　　· 共掺实验方法的提出第60-63 页
　　· 实验第63-67 页
　　　　· 薄膜晶体结构、光学性能及成分分析第63-65 页
　　　　· 共掺与单掺SnO_2薄膜性能对比分析第65-67 页
　　· 本章小结第67-68 页
第八章 Sb_2O_5本征缺陷的研究第68-76 页
　　· 缺陷电子结构研究第68-73 页
　　· 缺陷形成能第73-75 页
　　· 本章小结第75-76 页
第九章 Sb_2O_5薄膜的p型掺杂研究第76-88 页
　　· 含Ⅳ族杂质的Sb_2O_5电子结构研究第76-81 页
　　· Ⅳ族杂质形成能及电离能第81-83 页
　　· 实验第83-87 页
　　　　· 薄膜晶体结构及成分分析第84-85 页
　　　　· 薄膜电学性能及光学性能分析第85-87 页
　　· 本章小结第87-88 页
第十章 Ga_xZn_(1-x)O_3薄膜的研究第88-93 页
　　· Ga_xZn_(1-x)O_3薄膜的电子结构研究第88-89 页
　　· 实验第89-91 页
　　　　· 薄膜晶体结构及成分分析第89-91 页
　　　　· 薄膜电学性能及光学性能分析第91 页
　　· 本章小结第91-93 页
第十一章 结论第93-94 页
参考文献第94-102 页
攻读博士期间发表的论文与授权专利第102-103 页
致谢第103 页

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