论文目录 | |
| 摘要 | 第1-7
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| ABSTRACT | 第7-12
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| 第一章 绪论 | 第12-26
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| · 高压器件中的横向结终端技术 | 第12-19
页 |
| · 横向高压器件中体内场优化思想的萌芽 | 第19-22
页 |
| · 本论文的主要工作 | 第22-23
页 |
| · 本论文的主要创新点 | 第23-26
页 |
| 第二章 浮空埋层新结构FBL-LDMOS体内场优化 | 第26-46
页 |
| · 纵向浮空埋层新结构FBL-LDMOS的耐压机理 | 第26-32
页 |
| · 纵向浮空埋层新结构FBL-LDMOS的参数优化 | 第32-37
页 |
| · 纵向浮空埋层新结构FBL-LDMOS的工艺及版图设计 | 第37-42
页 |
| · 光刻对位问题 | 第37-39
页 |
| · 衬底制备 | 第39-40
页 |
| · 工艺及版图设计 | 第40-42
页 |
| · 实验结果及分析 | 第42-45
页 |
| · 本章小结 | 第45-46
页 |
| 第三章 多埋层结终端技术LDMOS体内场优化 | 第46-64
页 |
| · 均匀多埋层的纵向结终端技术LDMOS的耐压机理 | 第46-50
页 |
| · 均匀多埋层纵向结终端技术LDMOS的参数优化方案 | 第50-54
页 |
| · 非均匀多埋层纵向结终端技术LDMOS的耐压机理 | 第54-58
页 |
| · 非均匀多埋层纵向结终端技术LDMOS的参数优化方案 | 第58-62
页 |
| · 本章小结 | 第62-64
页 |
| 第四章 横向超结LDMOS体内场优化 | 第64-100
页 |
| · 横向超结器件中衬底辅助耗尽效应 | 第64-70
页 |
| · 具有阶梯掺杂buffer层的横向超结LDMOS | 第70-80
页 |
| · 具有浮空N型埋层超结LDMOS的耐压机理 | 第80-93
页 |
| · 具有N型浮空埋层超结LDMOS的实验结果与分析 | 第93-98
页 |
| · 本章小结 | 第98-100
页 |
| 第五章 结论与展望 | 第100-103
页 |
| · 结论 | 第100-101
页 |
| · 下一步工作 | 第101-103
页 |
| 致谢 | 第103-104
页 |
| 参考文献 | 第104-114
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| 读博期间取得的研究成果 | 第114-115
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