含有InGaN的GaN增强型HEMT与双极型器件研究
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含有InGaN的GaN增强型HEMT与双极型器件研究
论文目录
摘要
第1-6页
英文摘要
第6-10页
第一章 绪论
第10-20页
· 传统GaN基HEMT器件的研究进展
第10-13页
· GaN及其异质结材料的独特优势
第10-12页
· 传统GaN基异质结的研究进展
第12-13页
· 增强型GaN器件的研究意义和进展
第13-15页
· GaN基双极型器件的研究意义和进展
第15-17页
· 本文的研究内容和工作安排
第17-20页
第二章 GaN基材料与器件理论研究
第20-30页
· GaN基材料体系的极化特性
第20-24页
· 仿真软件Silvaco-ATLAS概述
第24-28页
· 漂移扩散模型
第25页
· 迁移率模型
第25-26页
· 产生复合模型
第26-27页
· 能带结构模型
第27页
· 界面电荷的定义
第27-28页
· 本章小结
第28-30页
第三章 含有InGaN的增强型HEMT仿真研究
第30-46页
· GaN基HEMT器件的基本参数
第30-31页
· 带有InGaN帽层的增强型GaN HEMT器件仿真
第31-39页
· InGaN帽层结构的原理
第31-35页
· InGaN帽层中In组分变化的作用
第35-37页
· InGaN帽层厚度对于器件特性的影响
第37-39页
· 凹槽型InGaN/AlGaN/GaN的研究
第39-44页
· 凹槽型InGaN/AlGaN/GaN器件的实现原理
第39-42页
· InGaN凹槽厚度的优化分析
第42-44页
· 本章小结
第44-46页
第四章 含有InGaN的双极型晶体管
第46-60页
· BJT器件的工作原理
第46-47页
· GaN/InGaN型HBT
第47-52页
· 本次研究的GaN/InGaN HBT的具体结构
第47-48页
· 发射结组分渐变的影响
第48-49页
· 基区组分缓变的影响
第49-51页
· 基区宽度的影响
第51-52页
· 横向结构GaN双极型晶体管设计
第52-57页
· 本次仿真的双极型晶体管结构分析
第52-54页
· 双异质结发射区的电流特性
第54-55页
· 发射结Al组分对器件性能的影响
第55-57页
· 基区宽度对器件特性的影响
第57页
· 本章小结
第57-60页
第五章 总结
第60-62页
致谢
第62-64页
参考文献
第64-70页
攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目
第70页
本篇论文共
70
页,
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。
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