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含有InGaN的GaN增强型HEMT与双极型器件研究

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含有InGaN的GaN增强型HEMT与双极型器件研究
论文目录
 
摘要第1-6页
英文摘要第6-10页
第一章 绪论第10-20页
  · 传统GaN基HEMT器件的研究进展第10-13页
    · GaN及其异质结材料的独特优势第10-12页
    · 传统GaN基异质结的研究进展第12-13页
  · 增强型GaN器件的研究意义和进展第13-15页
  · GaN基双极型器件的研究意义和进展第15-17页
  · 本文的研究内容和工作安排第17-20页
第二章 GaN基材料与器件理论研究第20-30页
  · GaN基材料体系的极化特性第20-24页
  · 仿真软件Silvaco-ATLAS概述第24-28页
    · 漂移扩散模型第25页
    · 迁移率模型第25-26页
    · 产生复合模型第26-27页
    · 能带结构模型第27页
    · 界面电荷的定义第27-28页
  · 本章小结第28-30页
第三章 含有InGaN的增强型HEMT仿真研究第30-46页
  · GaN基HEMT器件的基本参数第30-31页
  · 带有InGaN帽层的增强型GaN HEMT器件仿真第31-39页
    · InGaN帽层结构的原理第31-35页
    · InGaN帽层中In组分变化的作用第35-37页
    · InGaN帽层厚度对于器件特性的影响第37-39页
  · 凹槽型InGaN/AlGaN/GaN的研究第39-44页
    · 凹槽型InGaN/AlGaN/GaN器件的实现原理第39-42页
    · InGaN凹槽厚度的优化分析第42-44页
  · 本章小结第44-46页
第四章 含有InGaN的双极型晶体管第46-60页
  · BJT器件的工作原理第46-47页
  · GaN/InGaN型HBT第47-52页
    · 本次研究的GaN/InGaN HBT的具体结构第47-48页
    · 发射结组分渐变的影响第48-49页
    · 基区组分缓变的影响第49-51页
    · 基区宽度的影响第51-52页
  · 横向结构GaN双极型晶体管设计第52-57页
    · 本次仿真的双极型晶体管结构分析第52-54页
    · 双异质结发射区的电流特性第54-55页
    · 发射结Al组分对器件性能的影响第55-57页
    · 基区宽度对器件特性的影响第57页
  · 本章小结第57-60页
第五章 总结第60-62页
致谢第62-64页
参考文献第64-70页
攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目第70页

本篇论文共70页,点击这进入下载页面
 
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