ITO薄膜晶体管的制备及其性能研究
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ITO薄膜晶体管的制备及其性能研究
论文目录
摘要
第1-6页
Abstract
第6-10页
第1章 绪论
第10-30页
· 薄膜晶体管的基本概念
第10-14页
· 薄膜晶体管典型器件结构
第10页
· 薄膜晶体管的工作机理
第10-12页
· 薄膜晶体管的性能参数
第12-13页
· 薄膜晶体管的 I-V 特性
第13-14页
· 薄膜晶体管的发展历程及研究现状
第14-21页
· 薄膜晶体管发展历程
第14-19页
· 薄膜晶体管近十年发展的现状
第19-21页
· 薄膜晶体管的主要类型及其各自特点分析
第21-25页
· a-Si:H(氢化非晶硅)薄膜晶体管
第21-22页
· p-Si(多晶硅)薄膜晶体管
第22-23页
· 有机物薄膜晶体管
第23页
· 氧化物薄膜晶体管
第23-25页
· ITO 薄膜
第25-26页
· ITO 薄膜的基本性质
第25页
· ITO 薄膜电学参数的关系
第25-26页
· ITO 薄膜的应用
第26页
· 课题研究背景及内容
第26-30页
· 课题选取的背景
第27页
· ITO 薄膜晶体管发展面临的问题
第27-28页
· 本论文的主要内容
第28-30页
第2章 薄膜晶体管制备工艺以及测试分析方法
第30-41页
· 器件衬底的选择以及清洗
第30-31页
· 衬底的选择
第30页
· 衬底的清洗
第30-31页
· 栅极、源漏电极的选择以及制备工艺
第31-32页
· 栅极、源漏电极的选择
第31页
· 栅极、源漏电极的薄膜制备工艺
第31-32页
· 栅介质材料的选择以及制备工艺
第32-35页
· 栅介质材料的选择
第32-33页
· 栅介质的制备工艺
第33-35页
· 沟道层材料的选择和制备工艺
第35-38页
· 沟道材料的选择
第35-36页
· ITO 沟道的制备工艺
第36-38页
· 薄膜晶体管的光学特性分析
第38-39页
· 薄膜晶体管电学性能分析技术
第39-41页
· 半导体分析仪
第39页
· 阻抗分析仪
第39-40页
· 霍尔效应分析仪
第40-41页
第3章 实验制备ITO 薄膜晶体管及性能检测
第41-50页
· 实验制备ITO 薄膜晶体管
第41-43页
· 清洗硅片衬底
第41页
· 制备SiO_2 栅介质
第41-42页
· 制备ITO 沟道层
第42-43页
· 制备ITO 源漏电极
第43页
· ITO TFTs 器件的性能检测
第43-45页
· 介孔二氧化硅及双电荷层理论
第45-49页
· 介孔二氧化硅薄膜结构
第45-46页
· 双电荷层理论
第46-47页
· 电容和频率关系的讨论
第47-49页
· 总结
第49-50页
第4章 一步掩膜工艺制备低工作电压ITO TFTs
第50-59页
· LiCl 溶液浸泡处理对器件电容的影响
第50-52页
· 实验制备样品
第50-51页
· 分析电容和LiCl 溶液浓度的关系
第51-52页
· 一步掩膜工艺制备ITO 薄膜晶体管
第52-53页
· 器件的电学性能检测结果
第53-56页
· 器件低工作电压的讨论
第56-58页
· 低电压工作原理
第56-57页
· 栅介质的讨论
第57-58页
· 本章总结
第58-59页
结论与展望
第59-60页
参考文献
第60-64页
致谢
第64 页
本篇论文共
64
页,
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